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公开(公告)号：CN117878084A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310647020.7
申请日：2023-06-02
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及功率模块及其制造方法。功率模块包括半导体芯片、绝缘电路板和引线框架，所述绝缘电路板包括绝缘层和布置在绝缘层的第一表面上的第一金属层，所述引线框架布置在半导体芯片和绝缘电路板之间。
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公开(公告)号：CN104752240A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410432816.1
申请日：2014-08-28
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/27 , B22F1/0085 , B22F1/0096 , B22F1/02 , B22F3/10 , B22F3/1003 , B22F2998/10 , B23K1/00 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/3006 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/27505 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29488 , H01L2224/3201 , H01L2224/83055 , H01L2224/83825 , H01L2224/8384 , H01L2924/10272 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种接合银浆的方法，其包括制备包含多个银粉末和能够环绕各个银粉末的固相烧结介质材料的银浆。此外，该方法包括在大于大气压水平的氧分压下加热银浆，以及接合银粉末。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106856196A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201610528274.7
申请日：2016-07-06
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L23/367 , H01L23/492 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L24/33 , H01L24/40 , H01L2224/29139 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/371 , H01L2224/8385 , H01L2224/8485 , H01L2924/17747 , H01L2924/00014 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供一种能够提高高温条件下的结构稳定性和可靠性的功率模块，起包括：上衬底，其具有金属层；下衬底，其与上衬底隔开，并具有面对上衬底的金属层的金属层；半导体元件，其配置成布置在上衬底和下衬底之间；以及，至少一个支脚部，其在上衬底的金属层和下衬底的金属层中的至少一者上形成，从而以预定的间隔将上衬底与下衬底彼此隔开，其中，支脚部可将半导体元件与上衬底的金属层或下衬底的金属层电连接。
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公开(公告)号：CN104733528A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410346404.6
申请日：2014-07-21
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L21/02565 , H01L29/1045 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/22 , H01L29/66068 , H01L29/66666 , H01L29/7813
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该器件可以包括：n-型外延层，该n-型外延层设置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；p型外延层，该p型外延层设置在n-型外延层上；n+区域，该n+区域设置在p型外延层上；沟槽，该沟槽通过p型外延层和n+区域并且设置在n-型外延层上；p+区域，该p+区域设置在n-型外延层上并且与沟槽隔开；栅极绝缘层，该栅极绝缘层定位在沟槽中；栅电极，该栅电极定位在栅极绝缘层上；氧化层，该氧化层定位在栅电极上；源电极，该源电极定位在n+区域、氧化层和p+区域上；以及漏电极，该漏电极定位在n+型碳化硅衬底的第二表面上，其中沟道定位在沟槽的两侧上。
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公开(公告)号：CN105632950A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510600204.3
申请日：2015-09-18
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , B23K1/19 , B23K20/02 , B23K20/026 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K2103/08 , B23K2103/18 , B23K2103/52 , B23K2103/56 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/27332 , H01L2224/2741 , H01L2224/27848 , H01L2224/29109 , H01L2224/29139 , H01L2224/29309 , H01L2224/29339 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/32507 , H01L2224/83097 , H01L2224/832 , H01L2224/83825 , H01L2224/8384 , H01L2224/83906
Abstract: 一种利用银膏进行粘结的方法，包括：将银膏涂覆在半导体器件或者基板上。该银膏包含银和铟。将半导体放置在基板上。对银膏进行加热以形成粘结层。半导体器件与基板通过粘结层彼此粘结。铟以40摩尔％或者更少的摩尔％被包含在银膏中。
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公开(公告)号：CN105609432A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510530833.3
申请日：2015-08-26
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , B23K20/026 , B23K20/16 , B23K20/233 , B23K35/025 , B23K35/264 , B23K35/3006 , B23K2101/42 , B23K2103/166 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/13294 , H01L2224/13313 , H01L2224/13339 , H01L2224/16227 , H01L2224/16505 , H01L2224/29294 , H01L2224/29313 , H01L2224/29339 , H01L2224/32227 , H01L2224/32505 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81825 , H01L2224/8184 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83825 , H01L2224/8384 , H01L2924/00015 , H01L2924/10272 , H01L2924/201 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H05K3/341 , H05K3/3463 , H05K2201/10166 , H05K2203/1131 , H01L2224/29388 , H01L2924/00014 , H01L2224/13388 , H01L2924/00012 , H01L2224/29113 , H01L2224/29139
Abstract: 本申请公开一种使用银浆料进行结合的方法，该方法包括使用银浆料涂覆半导体器件或基板。该银浆料包含多个银颗粒和多个铋颗粒。该方法还包括将半导体器件布置在基板上以及通过加热银浆料来形成结合层，其中半导体器件和基板通过结合层相互结合。
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公开(公告)号：CN104752241A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410482929.2
申请日：2014-09-19
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: B23K35/3006 , B22F1/0085 , B22F1/0096 , B22F3/00 , B22F2998/10 , B23K35/025 , C22C1/0466 , B22F1/0003 , B22F1/025
Abstract: 本发明提供一种接合银浆的方法。该方法包括制备含有银粉末和铅粉末的银浆，以及加热银浆。然后接合银粉末。
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