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公开(公告)号:CN104733463A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201410798449.7
申请日:2014-12-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L25/18 , H01L23/145 , H01L23/147 , H01L23/15 , H01L23/3128 , H01L23/3142 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49894 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L24/97 , H01L27/0207 , H01L29/4916 , H01L29/517 , H01L2224/02166 , H01L2224/05553 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/48091 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
Abstract: 本发明涉及改善半导体集成电路器件的性能。半导体器件具有安装在布线基板上的外围电路芯片以及逻辑芯片。布线基板和外围电路芯片电连接,且外围电路芯片和逻辑芯片电连接。外围电路芯片包括第一外围电路,电源控制器,温度传感器以及第一RAM。逻辑芯片包括CPU,第二外围电路以及第二RAM。第一外围电路和第一RAM根据第一工艺规则制造。CPU,第二外围电路和第二RAM根据比第一工艺规则精细的第二工艺规则制造。