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公开(公告)号：CN106536125A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580040979.8
申请日：2015-07-24
Applicant: 电化株式会社
CPC classification number: B23K35/30 , B23K35/0222 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , C04B37/026 , C04B2235/723 , C04B2235/96 , C04B2237/125 , C04B2237/127 , C04B2237/366 , C04B2237/407 , C22C5/08
Abstract: 本发明提供用于陶瓷基板时使接合性提高的硬钎料。根据本发明，提供硬钎料，其特征在于，相对于72质量份以上的氧量为0.08质量％以下的银粉末与28质量份以下的氧量为0.05质量％以下的铜粉末的合计100质量份，包含1.0质量份～5.0质量份的活性金属。
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公开(公告)号：CN106537580B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201580039392.5
申请日：2015-07-29
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明的课题在于获得对超声波接合具有优异的耐裂纹性的陶瓷电路基板。本发明通过下述陶瓷电路基板解决上述课题，所述陶瓷电路基板的特征在于，在陶瓷基板的一面接合有金属电路板、在另一面接合有金属散热板，金属电路板的结晶粒径为20μm以上且70μm以下。该陶瓷电路基板可以如下制造：分别在陶瓷基板的一面配置金属电路板、在另一面配置金属散热板，以真空度为1×10‑3Pa以下、接合温度为780℃以上且850℃以下、保持时间为10分钟以上且60分钟以下进行接合，从而制造。
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公开(公告)号：CN106061923A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580009679.3
申请日：2015-02-20
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明可得到具有高接合强度和优异的耐热循环性、在使作为电子机器的工作可靠性提高的同时放热性优异的陶瓷线路基板。本发明的陶瓷线路基板是介由银‑铜系焊料层对陶瓷基板的两个主表面和金属板进行接合而成的陶瓷线路基板，其特征在于，相对于75～98质量份的银粉末和2～25质量份的铜粉末的合计100质量份，银‑铜系焊料层由含有0.3～7.5质量份的碳纤维(carbon fiber)和1.0～9.0质量份的选自钛、锆、铪、铌、钽、钒和锡的至少一种活性金属的银‑铜系焊料构成，所述碳纤维的平均长度为15～400μm、平均直径为5～25μm、平均长径比为3～28。
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公开(公告)号：CN110731129B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201880037182.6
申请日：2018-06-07
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 课题在于得到适于半导体元件的银纳米粒子接合、与功率模块密封树脂的密合性优异的陶瓷电路基板。解决方案在于一种陶瓷电路基板，其为在使用了氮化铝或氮化硅的陶瓷基板的两主面介由钎料而接合铜板、在至少一主面的铜板上实施了镀银的陶瓷电路基板，其特征在于，铜板侧面不实施镀银，银镀层的厚度为0.1μm至1.5μm，镀银后的电路基板的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra为0.1μm至1.5μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110709369A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880036002.2
申请日：2018-05-29
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 提供一种具有高接合性和优异的耐热循环特性的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其特征在于，陶瓷基板和铜板介由钎料而接合，所述钎料含有Ag、Cu以及选自Ti和Zr中的至少1种活性金属成分和选自In、Zn、Cd和Sn中的至少1种元素，接合后的钎料层的连续率为80％以上且钎料层的维氏硬度为60～85Hv。
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公开(公告)号：CN112772001A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980062400.6
申请日：2019-09-27
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 接合基板(10)，其具备：基板(20)；金属板(30)，其与基板(20)构成层叠状态且具有基板(20)侧的第1面(32)和位于第1面(32)的相反侧的第2面(34)，在从层叠方向观察时，第1面(32)的缘部与第2面(34)的缘部相比更靠外侧；及接合构件(40)，其配置在基板(20)与金属板(30)之间且将金属板(30)与基板(20)接合，在从层叠方向观察时，所述接合构件(40)在金属板(30)的全周范围内从缘部伸出，其中，沿层叠方向切断而得的切断面中的、从相当于第1面(32)的周缘的部分至相当于第2面(34)的周缘的部分的周面长度(A)、接合构件(40)的伸出长度(B)、及金属板(30)的厚度(C)满足下述的第1式及第2式。(第1式)0.032≤B/(A+B)≤0.400(第2式)0.5(mm)≤C≤2.0(mm)。
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公开(公告)号：CN110731129A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201880037182.6
申请日：2018-06-07
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 课题在于得到适于半导体元件的银纳米粒子接合、与功率模块密封树脂的密合性优异的陶瓷电路基板。解决方案在于一种陶瓷电路基板，其为在使用了氮化铝或氮化硅的陶瓷基板的两主面介由钎料而接合铜板、在至少一主面的铜板上实施了镀银的陶瓷电路基板，其特征在于，铜板侧面不实施镀银，银镀层的厚度为0.1μm至1.5μm，镀银后的电路基板的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra为0.1μm至1.5μm。
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公开(公告)号：CN106061923B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201580009679.3
申请日：2015-02-20
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明可得到具有高接合强度和优异的耐热循环性、在使作为电子机器的工作可靠性提高的同时放热性优异的陶瓷线路基板。本发明的陶瓷线路基板是介由银‑铜系焊料层对陶瓷基板的两个主表面和金属板进行接合而成的陶瓷线路基板，其特征在于，相对于75～98质量份的银粉末和2～25质量份的铜粉末的合计100质量份，银‑铜系焊料层由含有0.3～7.5质量份的碳纤维(carbon fiber)和1.0～9.0质量份的选自钛、锆、铪、铌、钽、钒和锡的至少一种活性金属的银‑铜系焊料构成，所述碳纤维的平均长度为15～400μm、平均直径为5～25μm、平均长径比为3～28。
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