公开(公告)号：CN101681815B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200880016596.7

申请日：2008-04-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梅津畅彦 ,  月原浩一 ,  松延刚 ,  稻垣敬夫 ,  田附幸一 ,  堀田慎 ,  白井克弥

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02683 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285

Abstract: 在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11)，并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造，在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时，非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造，提供了一种薄膜的结晶化方法，该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。

公开(公告)号：CN101651093A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910161384.4

申请日：2009-08-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 尼子博久 ,  梅津畅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/66 ,  G01N21/84

CPC classification number: G01N21/8422 ,  G01N21/9501 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/268 ,  H01L22/12 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了半导体薄膜形成方法和半导体薄膜检查装置，所述半导体薄膜形成方法包括：在透明基板上形成非晶半导体薄膜的步骤；通过用激光照射所述非晶半导体薄膜来进行热处理，使所述非晶半导体薄膜结晶化从而形成结晶半导体薄膜的步骤；以及用于检查所述结晶半导体薄膜的检查步骤。所述检查步骤包括：通过从所述透明基板的背侧用光照射所述结晶半导体薄膜并进行摄像来获得所述结晶半导体薄膜的透射图像的步骤，以及基于所获得的透射图像对所述结晶半导体薄膜进行筛选的筛选步骤。所述半导体薄膜形成方法和半导体薄膜检查装置能够精确并容易地对所述结晶半导体薄膜进行评估。

公开(公告)号：CN1397946A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02107145.4

申请日：1996-04-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 金子正彦 ,  梅津畅彦 ,  荒谷胜久 ,  中沖有克

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/004

CPC classification number: G11B7/242 ,  G11B7/005 ,  G11B7/08511 ,  G11B7/127 ,  G11B7/24 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/244 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/257 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  Y10S428/913 ,  Y10S430/146 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明为一种多层光盘，具有一个使用通用重放装置，如CD唱机也能被重放的信息存储层并且使用一个专用重放装置能从其他信息存储层读取信息。根据本发明具有多个信息存储层的多层光盘包括多个信息存储层，其中多个信息存储层的其中之一对于重放光束的第一波长770nm至830nm的反射因数为70％或更高，而其他的信息存储层由具有与重放光束的第一波长不同的第二波长的重放光束重放。

公开(公告)号：CN101587840A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910143362.5

申请日：2009-05-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梅津畅彦 ,  月原浩一 ,  尼子博久 ,  松延刚 ,  白井克弥

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/956 ,  G01N2021/9513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L22/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供了一种半导体薄膜的制造方法，其包括以下步骤：在基板上形成非晶半导体薄膜；通过对非晶半导体薄膜照射激光以对非晶半导体薄膜有选择地进行加热处理，从而使被激光照射的区域中的非晶半导体薄膜结晶，由此在每个元件区域中局部地形成结晶半导体薄膜；以及检查结晶半导体薄膜的结晶度。检查的步骤包括如下步骤：通过对结晶半导体薄膜和非晶半导体薄膜照射光以确定结晶区域的亮度与未结晶区域的亮度之间的对比度，并根据所确定的对比度对结晶半导体薄膜进行筛选。由于对结晶半导体薄膜的筛选是根据结晶区域的亮度和未结晶区域的亮度之间的对比度，从而可以实现比以往更可靠的筛选。

公开(公告)号：CN1379459A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN02102090.6

申请日：2002-01-22

Applicant: 索尼株式会社 ,  索尼精密技术株式会社

Inventor： 和田裕之 ,  田附幸一 ,  梅津畅彦 ,  矶村英二 ,  阿部哲夫 ,  服部正 ,  大岛朗文 ,  浦垣诚 ,  野口良行 ,  玉置洋之 ,  江部正孝 ,  石黑朋广 ,  加藤康行

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/00

CPC classification number: G01N21/956

Abstract: 以不接触方式自动客观地评估多晶硅薄膜状态的多晶硅薄膜评估装置包括可移动的工作台,其上面设置承载多晶硅薄膜的基片;用可见光观察的光学系统,对多晶硅薄膜的表面图像拍照,以实现自动聚焦;用紫外光观察的光学系统,用于获得多晶硅薄膜的表面图像,利用用可见光观察的光学系统进行自动聚焦;以及评估单元,从表面图像评估该多晶硅薄膜表面空间结构的线性和周期性,以根据该线性和周期性的评估结果来评估该多晶硅薄膜的状态。

公开(公告)号：CN1092381C

公开(公告)日：2002-10-09

申请号：CN96107289.X

申请日：1996-04-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 金子正彦 ,  梅津畅彦 ,  荒谷胜久 ,  中冲有克

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/242 ,  G11B7/005 ,  G11B7/08511 ,  G11B7/127 ,  G11B7/24 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/244 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/257 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  Y10S428/913 ,  Y10S430/146 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明为一种多层光盘，具有一个使用通用重放装置，如CD唱机也能被重放的信息存储层并且使用一个专用重放装置能从其他信息存储层读取信息。根据本发明具有多个信息存储层的多层光盘包括多个信息存储层，其中多个信息存储层的其中之一对于重放光束的第一波长770nm至830nm的反射因数为70%或更高，而其他的信息存储层由具有与重放光束的第一波长不同的第二波长的重放光束重放。

公开(公告)号：CN101587840B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200910143362.5

申请日：2009-05-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梅津畅彦 ,  月原浩一 ,  尼子博久 ,  松延刚 ,  白井克弥

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/956 ,  G01N2021/9513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L22/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供了一种半导体薄膜的制造方法，其包括以下步骤：在基板上形成非晶半导体薄膜；通过对非晶半导体薄膜照射激光以对非晶半导体薄膜有选择地进行加热处理，从而使被激光照射的区域中的非晶半导体薄膜结晶，由此在每个元件区域中局部地形成结晶半导体薄膜；以及检查结晶半导体薄膜的结晶度。检查的步骤包括如下步骤：通过对结晶半导体薄膜和非晶半导体薄膜照射光以确定结晶区域的亮度与未结晶区域的亮度之间的对比度，并根据所确定的对比度对结晶半导体薄膜进行筛选。由于对结晶半导体薄膜的筛选是根据结晶区域的亮度和未结晶区域的亮度之间的对比度，从而可以实现比以往更可靠的筛选。

公开(公告)号：CN1144373A

公开(公告)日：1997-03-05

申请号：CN96107289.X

申请日：1996-04-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 金子正彦 ,  梅津畅彦 ,  荒谷胜久 ,  中冲有克

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/242 ,  G11B7/005 ,  G11B7/08511 ,  G11B7/127 ,  G11B7/24 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/244 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/257 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  Y10S428/913 ,  Y10S430/146 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明为一种多层光盘，具有一个使用通用重放装置，如CD唱机也能被重放的信息存储层并且使用一个专用重放装置能从其他信息存储层读取信息。根据本发明具有多个信息存储层的多层光盘包括多个信息存储层，其中多个信息存储层的其中之一对于重放光束的第一波长770nm至830nm的反射因数为70％或更高，而其他的信息存储层由具有与重放光束的第一波长不同的第二波长的重放光束重放。

公开(公告)号：CN101651093B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200910161384.4

申请日：2009-08-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 尼子博久 ,  梅津畅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/66 ,  G01N21/84

CPC classification number: G01N21/8422 ,  G01N21/9501 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/268 ,  H01L22/12 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了半导体薄膜形成方法和半导体薄膜检查装置，所述半导体薄膜形成方法包括：在透明基板上形成非晶半导体薄膜的步骤；通过用激光照射所述非晶半导体薄膜来进行热处理，使所述非晶半导体薄膜结晶化从而形成结晶半导体薄膜的步骤；以及用于检查所述结晶半导体薄膜的检查步骤。所述检查步骤包括：通过从所述透明基板的背侧用光照射所述结晶半导体薄膜并进行摄像来获得所述结晶半导体薄膜的透射图像的步骤，以及基于所获得的透射图像对所述结晶半导体薄膜进行筛选的筛选步骤。所述半导体薄膜形成方法和半导体薄膜检查装置能够精确并容易地对所述结晶半导体薄膜进行评估。

公开(公告)号：CN101681815A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880016596.7

申请日：2008-04-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梅津畅彦 ,  月原浩一 ,  松延刚 ,  稻垣敬夫 ,  田附幸一 ,  堀田慎 ,  白井克弥

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02683 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285

Abstract: 在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11)，并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造，在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时，非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造，提供了一种薄膜的结晶化方法，该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。