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公开(公告)号：CN112746324A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010530643.2
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法。晶片是具有基于(0001)面呈从0度到15度中选择的角度的偏角的晶片，测量点是将所述晶片的表面以10mm以下的一定间隔划分的多个地点，目标区域是共享所述晶片的中心并且半径为所述晶片半径的70％圆的内部区域，所述测量点位于所述目标区域，所述测量点的摇摆曲线具有峰和半峰宽，ω角的平均值是目标区域中测量点的峰具有的ω角的平均值，所述半峰宽是基于所述ω角的平均值的值，所述目标区域包括95％以上的测量点，其半峰宽为‑1.5到1.5度。可以精确地控制晶体生长的温度梯度，并且可以提供具有优异特性的单晶碳化硅晶片。
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公开(公告)号：CN112695379A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202010531585.5
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及籽晶粘合层、层压体的制备方法及晶片的制备方法。所述籽晶粘合层的特征在于，Vr由下面的式1表示，并且具有28％/mm3以上的Vr值。在所述式1中，Sg(％)是下面的式2的值，V1是碳化前的籽晶粘合层的体积，V2是石墨化的籽晶粘合层的体积，在所述式2中，A1是所述碳化前的籽晶粘合层的面积，A2是所述石墨化的籽晶粘合层的面积。本发明的籽晶粘合层以独特的石墨化收缩率使施加在晶锭上的应力最小化，可以使所生长的晶锭与籽晶支架部分分离，但不能完全分离。而且，使用本发明的籽晶粘合层而制备的晶锭和加工的晶片可以表现出良好的翘曲值。式1；式2
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公开(公告)号：CN111074338A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910987523.2
申请日：2019-10-17
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及具有保护膜的籽晶的制备方法以及使用该制备方法的晶锭的制备方法等，所述具有保护膜的籽晶包括：第一层，位于籽晶后表面并直接与所述籽晶后表面接触；以及第二层，位于所述第一层上；基于从所述第一层的下表面到所述第二层的上表面，所述第一层的厚度为30％以下，通过采用所述具有保护膜的籽晶的制备方法，可以制备缺陷减少的晶锭。
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公开(公告)号：CN113322520A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011097998.3
申请日：2020-10-14
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 实施方式涉及晶片及其制造方法。根据一实施例的晶片在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N和18N的荷载下分别测定的根据动态机械分析的松弛模量(relaxation modulus)的差异可以为450GPa以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113322519A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011097996.4
申请日：2020-10-14
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 实施方式涉及外延片、晶片及其制造方法。上述制造方法包括：准备步骤、生长步骤、冷却步骤、切割步骤、加工步骤；上述加工步骤包括：第一加工步骤，使用表面粒度为1000目至3000目的第一砂轮进行加工；及第二加工步骤，使用表面粒度为6000目至10000目的第二砂轮进行加工。通过实施方式的晶片的制造方法制造的晶片具有低微管缺陷密度，且可以使颗粒和划痕发生最小化。通过实施方式的外延片的制造方法制造的外延片可以具有坠落、三角及胡萝卜缺陷等的密度低，并呈现优异的器件特性，且可以期待器件成品率改善。
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公开(公告)号：CN112695384A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202010531605.9
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及其制备方法以及碳化硅晶片的制备方法。所述碳化硅晶锭包括：本体部，包括本体部一截面和与本体部一截面对置的本体部另一截面，以及突出部，位于本体部另一截面上，并且具有基于本体部另一截面弯曲的表面；本体部另一截面包括一端点和另一端点，一端点是位于所述本体部另一截面的一端的一点，另一端点是位于所述本体部另一截面的末端的一点，一端点、突出部的最高点和另一端点位于与本体部一截面垂直的同一平面上，作为同一平面与突出部表面的交线的弧的曲率半径由下面的数学式1表示。本发明的碳化硅晶锭及其制备方法可以精确地控制晶体生长的温度梯度，并且可以提供具有更好特性的碳化硅晶锭。数学式13D≤r≤37D。
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公开(公告)号：CN111304745A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201910643497.1
申请日：2019-07-17
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及一种晶锭的制备装置以及使用该装置的碳化硅单晶锭的制备方法，所述晶锭的制备装置包括：坩锅主体，具有开放部且容纳原料；盖子组装体，位于所述开放部且至少一部分固定于所述坩锅主体，所述晶锭的制备装置的特征在于，所述盖子组装体包括：布置孔，上下贯通；外缘构件，以包围所述布置孔的圆周的方式沿着所述开放部的圆周布置；及芯构件，位于所述布置孔且以所述外缘构件为基准上下移动。通过适用所述晶锭的制备装置，可以提供进一步大口径的高质量单晶锭。
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公开(公告)号：CN113272951A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202080008264.5
申请日：2020-03-12
Applicant: SKC株式会社
IPC: H01L23/15 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/485 , H01L23/525 , H01L23/50 , H01L23/538 , H01L23/528
Abstract: 本实施方式涉及封装基板和半导体装置，上述半导体装置包括具备半导体元件的元件部，及与上述元件部电连接的封装基板；通过将玻璃基板适用作为上述封装基板的芯，以使半导体元件和母板更紧密地连接，从而以尽可能短的距离传输电信号。为此，提供一种封装基板，显著改善信号传输速度等电特性，实质上防止寄生元件的产生，从而能够进一步简化绝缘膜处理工序，且可适用于高速电路。
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公开(公告)号：CN112746317A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010531592.5
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法。所述晶片的特征在于：因施加到表面的冲击而产生裂纹，所述冲击依靠具有机械能的重锤，所述机械能的最小值是每单位面积0.194J至0.475J。当从根据一个实施例的碳化硅晶锭切下的晶片的表面因施加到其表面的机械能而产生裂纹时，所述机械能的最小值可以是每单位面积(1cm2)0.194J至0.475J。根据一个实施例的碳化硅晶锭的制备方法可以通过设置最佳工艺条件，从而能够制备确保耐冲击性且缺陷密度数值降低的碳化硅晶锭。
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