电子元器件封装件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112242387B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202010677861.9

    申请日:2020-07-15

    Abstract: 本发明的电子元器件封装件是具有包括相邻的第一边和第二边的外缘的电子元器件封装件。该电子元器件封装件具备:第一电子元器件芯片;第二电子元器件芯片,与第一电子元器件芯片分开设置;1个以上的第一端子,沿着第一边配置;1个以上的第二端子,沿着第二边配置;以及1个以上的第一导体,使1个以上的第一端子与第一电子元器件芯片连接,而没有使1个以上的第一端子与第二电子元器件芯片连接。

    磁传感器装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111693911B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202010165768.X

    申请日:2020-03-11

    Abstract: 本发明的磁传感器装置具有自旋阀型的磁阻效应元件,并且能够向该磁阻效应元件的自由层稳定地施加偏置磁场,其具备:自旋阀型的磁阻效应元件;基板,其配置有磁阻效应元件;电源,其供给施加于磁阻效应元件的实质上恒定的电流;以及磁场产生部,其被设置成串联连接于施加于磁阻效应元件的电流的电流路径,并且能够向至少一部分的磁阻效应元件施加偏置磁场,磁场产生部位于一部分的磁阻效应元件的附近,并且位于与基板不同的层。

    键输入装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108572738B

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN201711261103.3

    申请日:2017-12-04

    Inventor: 太田尚城

    Abstract: 本发明涉及键输入装置。键输入装置具备:键顶,其通过按压操作而能够升降移动;第一基材,其具有位于键顶侧的第一面及与该第一面相对的第二面,支承键顶并且设置为能够与键顶一起升降移动;第二基材,其设置于键顶的升降移动方向上的键顶和第一基材之间,具有位于第一基材侧的第一面及与该第一面相对的第二面;磁场产生部;磁传感器部,其包含检测从磁场产生部产生的磁场的磁检测元件;吸附部,其由能够吸附磁场产生部的软磁性材料构成,在第一基材的第一面及第二基材的第一面中的任一方设置有磁传感器部和吸附部,在另一方以与吸附部相对的方式设置有磁场产生部。

    磁传感器
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109490799B

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN201811069288.2

    申请日:2018-09-13

    Inventor: 太田尚城

    Abstract: 本发明所涉及的磁传感器具备第1磁轭、第2磁轭、第1磁阻效应元件、第2磁阻效应元件、用于使电流流到第1以及第2磁阻效应元件的电流通路。第1以及第2磁轭分别接受包含平行于第1假想直线Lz的方向的输入磁场分量的输入磁场并产生输出磁场。输出磁场包含平行于与第1假想直线Lz相正交的第2假想直线Lx的方向的输出磁场分量。第1以及第2磁阻效应元件分别生成对应于第1以及第2磁轭所产生的输出磁场的输出磁场分量的检测值。第1以及第2磁轭分别导通于第1以及第2磁阻效应元件。

    三轴磁传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN108205119B

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201710961421.4

    申请日:2017-10-16

    Abstract: 本发明提供能够高精度地检测三轴方位的磁场的三轴磁传感器及其制造方法。三轴磁传感器(1)具备:具有第一面(21)及与其相对的第二面(22)的基板(2)、和设置于第一面(21)上的磁传感器元件组(3)。磁传感器元件组(3)包含X轴方向的磁力检测用的第一磁传感器元件(31)、Y轴方向的磁力检测用的第二磁传感器元件(32)和Z轴方向的磁力检测用的第三磁传感器元件(33)。第一~第三磁传感器元件(31~33)分别包含由至少含有磁化固定层(42)及自由层(44)的层叠体构成的第一~第三磁阻效应元件(4),第一~第三磁阻效应元件(4)的各磁化固定层(42)的磁化方向M42被固定在相对于第一面(21)以规定的角度θM42倾斜的方向。

    电阻元件阵列电路、电阻元件阵列电路单元和红外传感器

    公开(公告)号:CN110873608A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910821807.4

    申请日:2019-08-30

    Abstract: 本发明的电阻元件阵列电路具备多根字线、多根位线、多个电阻元件、选择部、差分放大器和接地端子。多根字线与电源连接。多个电阻元件分别配置在多根字线与多根位线的多个交叉点上。选择部选择任何一根字线,并且选择任何一根位线。差分放大器包括正输入端子、负输入端子和输出端子,正输入端子与多根位线中的被选择部选择的一根选择位线连接,负输入端子与多根位线中的没有被选择部选择的非选择位线和多根字线中的没有被选择部选择的非选择字线的双方连接,输出端子与负输入端子连接。接地端子与正输入端子连接。

    电磁波探测元件和具备其的电磁波传感器

    公开(公告)号:CN118533299A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410187308.5

    申请日:2024-02-20

    Abstract: 本发明的电磁波探测元件(11)具有:电磁波探测部(12)、与电磁波探测部(12)电连接的导电层(15)、以及导电性支柱(17)。导电性支柱(17)具备与导电层(15)电连接的端面(31),端面(31)具有:与导电层(15)相接的内侧区域(33)、和位于内侧区域(33)的外侧的外侧区域(34)。电磁波探测元件(11)具有:位于外侧区域(34)的至少一部分和导电层(15)之间的电介质层。

    元件阵列电路、电磁波传感器、温度传感器和应变传感器

    公开(公告)号:CN117473942A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202310934854.6

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本发明的元件阵列电路具备1根以上的第一布线、多根第二布线、多个阻抗元件、1个以上的运算放大器、1个以上的转换元件和1个以上的切换部。多根第二布线各自在分别与1根以上的第一布线不同的方向上延伸。多个阻抗元件各自连接于1根以上的第一布线中的1根和多根第二布线中的1根的双方。1个以上的运算放大器各自具有正输入端子、可以连接于多根第二布线中的1根的负输入端子和输出端子。1个以上的转换元件各自与负输入端子和输出端子连接,并且各自将流经连接于负输入端子的多根第二布线中的1根的电流转换成电压。1个以上的切换部各自在负输入端子和输出端子之间与1个以上的转换元件中的1个并联,可以处于导通状态与非导通状态。

    磁传感器和其制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114487947A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202110960882.6

    申请日:2021-08-20

    Abstract: 本发明提供一种磁传感器,其具备:树脂层,其具有第1面和与该第1面相对的第2面;和检测规定方向的磁场的磁阻效应部,磁阻效应部至少包含检测第1方向的磁场的第1磁阻效应部,第1方向是与树脂层的第1面正交的方向,在树脂层的第1面形成相对于第1面以规定的角度倾斜的倾斜面,第1磁阻效应部设置于倾斜面。

    磁传感器及其制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108414954A

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201711159549.5

    申请日:2017-11-20

    Abstract: 本发明提供一种具有能够实现较大磁通密度并且可以精确地形成的磁轭的磁传感器。磁传感器包括检测第一方向(X)上的磁场的磁场检测元件(21)和位于磁场检测元件(21)附近并在正交于第一方向(X)的第二方向(Z)上延伸的第一磁轭(23)。第一磁轭(23)包括定位为至少在第一方向(X)上远离磁场检测元件(21)的第一部分(23a)和定位为在第二方向(Z)上比第一部分(23a)更远离磁场检测元件(21)的第二部分(23b)。第二部分(23b)具有和其与第一部分(23a)的界面(23d)相反的表面(23f),表面(23f)具有在远离第一部分(23a)的方向上突出的弯曲形状。

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