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公开(公告)号：CN103813974A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201280045191.2
申请日：2012-08-03
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B3/0008 , B81C2201/0169 , B81C2201/017 , B81C2201/0176
Abstract: 在一个实施例中，一种形成MEMS装置的方法包括：提供基体；在基体层之上形成牺牲层；在牺牲层上形成硅基工作部分；从牺牲层释放所述硅基工作部分，使得工作部分包括至少一个暴露外表面；在硅基工作部分的所述至少一个暴露外表面上形成第一层硅化物形成金属；以及利用第一层硅化物形成金属形成第一硅化物层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101410999A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011552.0
申请日：2007-03-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01F1/692 , B81B2201/0278 , B81B2203/0127 , B81C1/00666 , B81C2201/0169 , B81C2201/0178 , C23C16/402 , C23C16/56 , Y10T428/24488 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明提供一种可以容易地制造、具有优异的绝热性能和高质量的膜片结构元件。还提供一种用于制造这种膜片结构元件的方法。所述膜片结构元件配置有由氧化硅膜形成的膜片，以及基板，所述基板通过支持所述膜片的外围的一部分而以中空状态支持所述膜片。用于制造这种膜片的方法具有：膜形成步骤，即通过等离子体CVD法在硅基板(2)的表面侧上形成热收缩性氧化硅膜(13)；热处理步骤，即使用加热进行热处理以使形成在所述基板(1)上的所述氧化硅膜(13)收缩；以及去除步骤，即去除所述基板(2)的一部分，使得所述氧化硅膜(13)与所述膜片对应的部分作为膜片相对于所述基板(2)以中空状态被支持，并且形成凹部(4)。
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公开(公告)号：CN105084304A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510251130.7
申请日：2015-05-18
Applicant: 因文森斯公司
CPC classification number: B81C1/00626 , B81C1/00825 , B81C2201/0169
Abstract: 在此披露了一种用于形成MEMS器件的致动器层的方法。该方法包括对致动器层进行蚀刻并且在蚀刻之后对致动器层进行退火处理以减少MEMS器件的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN1246911C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN01813971.X
申请日：2001-06-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/84 , G01P15/125
CPC classification number: B81C1/00666 , B81B2201/0235 , B81C2201/0164 , B81C2201/0169 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01G4/33 , H01G5/16
Abstract: 本发明的目的在提供一种薄膜结构体及其制造方法，是关于使用半导体加工技术而形成的薄膜结构体及其制造方法，特别是构成半导体加速传感器的薄膜结构体及其制造方法，不仅可简便地进行薄膜体的应力控制，同时可很容易将薄膜体的膜厚予以加厚。为了达成上述目的，半导体加速传感器的质量体(3)、梁(7)及构成固定电极(5)的薄膜体(8)，是由多个的经掺杂的多晶硅薄膜(33，35)所构成，而该经掺杂的多晶硅薄膜(33，35)，则是薄由进行多次一边掺杂做为杂质的磷一边使多晶硅成膜的程序而层叠而成。
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公开(公告)号：CN103864006A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310692997.7
申请日：2013-12-17
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B2201/0221 , B81B2201/0235 , B81B2203/0181 , B81B2203/06 , B81C1/0038 , B81C1/00952 , B81C2201/0169 , B81C2201/112 , G01P15/0802 , G01P2015/0871 , G01P2015/0874
Abstract: 提供了一种用于通过减少源自基于TEOS的硅氧化膜的碳的数量来减小MEMS器件中的静摩擦的机制，其中所述膜在制作期间可以在多晶硅表面上累积。碳阻挡材料膜(510,520)可以在MEMS器件中的一个或多个多晶硅层(210,230)和基于TEOS的氧化硅层(220)之间沉积。所述阻挡材料防止碳扩散到所述多晶硅，从而减少在多晶硅表面上碳的累积。通过减少碳的累积，由于碳的存在造成的静摩擦机率同样被减小。
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公开(公告)号：CN1446379A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN01813971.X
申请日：2001-06-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/84 , G01P15/125
CPC classification number: B81C1/00666 , B81B2201/0235 , B81C2201/0164 , B81C2201/0169 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01G4/33 , H01G5/16
Abstract: 本发明的目的在提供一种薄膜结构体及其制造方法，是关于使用半导体加工技术而形成的薄膜结构体及其制造方法，特别是构成半导体加速传感器的薄膜结构体及其制造方法，不仅可简便地进行薄膜体的应力控制，同时可很容易将薄膜体的膜厚予以加厚。为了达成上述目的，半导体加速传感器的质量体(3)、梁(7)及构成固定电极(5)的薄膜体(8)，是由多个的经掺杂的多晶硅薄膜(33，35)所构成，而该经掺杂的多晶硅薄膜(33，35)，则是薄由进行多次一边掺杂做为杂质的磷一边使多晶硅成膜的程序而层叠而成。
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