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公开(公告)号：CN105263856A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201380060125.7
申请日：2013-09-17
Applicant: 纳米资源有限公司
Inventor： 罗伯特·戴维森·宾斯 , 克里斯托弗·罗宾·宾斯
CPC classification number: H01F1/0551 , B82Y25/00 , C23C14/223 , H01F1/0054 , H01F10/007 , H01F41/301
Abstract: 本发明涉及一种用于在基板(44)上形成磁性结构的方法和装置，还涉及一种通过这样的方法和装置形成的磁性结构。磁性结构包括嵌入有磁性粒子的基体。用于在基板(44)上形成磁性结构的装置(30)包括基体材料源(32)，基体材料源(32)用于将基体材料沉积到基板上以借此形成基体。用于形成磁性结构的装置(30)进一步包括磁性粒子源(34)，磁性粒子源(34)用于在基体形成期间将磁性粒子沉积到基体上以借此将磁性粒子嵌入到基体中。每个磁性粒子包括至少部分覆盖有金属层的核心，基体材料和核心中的至少一个为铁磁性材料，并且核心和金属层为不同材料。
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公开(公告)号：CN1287397C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN02102814.1
申请日：2002-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/185 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/86 , C01P2006/33 , C01P2006/42 , C09C3/12 , G11B5/712 , G11B5/74 , G11B5/746 , G11B5/82 , G11B5/84 , G11B2005/0002 , G11C11/14 , G11C11/16 , G11C11/5671 , G11C2216/08 , H01F1/0306 , H01F1/047 , H01F10/007 , H01F10/123 , H01F41/305 , H01L29/42324 , Y10T428/1114 , Y10T428/1193 , Y10T428/24388 , Y10T428/24893 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995 , Y10T428/2998 , Y10T428/31667
Abstract: 作为把微粒(30)固定到衬底(32)上边的排列体，在上述微粒(30)的表面上，形成与上述微粒的表面进行键合的有机涂敷膜(31)，在上述衬底(32)表面上形成与上述衬底表面进行键合的有机涂敷膜(33)，在上述微粒表面的有机涂敷膜(31)与上述衬底表面的有机涂敷膜(33)之间形成键(34)，使上述微粒固定排列在上述衬底上。由此，可以把纳米规模的微粒(30)排列到规定的位置上。此外，在应用于磁性粒子的情况下，可以得到使高记录密度成为可能的磁记录媒体，可以实现高密度磁记录再生装置。
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公开(公告)号：CN1849676A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200480026004.1
申请日：2004-09-10
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/007 , H01F10/132 , H01F10/265 , H01F41/301 , Y10T428/115 , Y10T428/32
Abstract: 通过采用由非晶状态的强磁性金属和与该强磁性金属不同的非晶金属形成的DM(不连续多层)结构，实现了在GHz频带的高频区具有高的磁导率且具有高的饱和磁化的高频用磁性薄膜。此时，优选：(i)强磁性金属是以Fe或FeCo为主成分、并含有选自C、B和N的1种或2种以上的元素的金属，非晶金属是Co系非晶合金；(ii)非晶金属是CoZrNb。
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公开(公告)号：CN1279514C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN02829153.0
申请日：2002-10-10
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 向井良一
CPC classification number: G11B5/66 , B82Y25/00 , G11B5/7325 , G11B5/84 , H01F10/007 , H01F10/123 , H01F10/147 , Y10T428/25 , Y10T428/2991
Abstract: 磁性晶粒(32)位于晶体层(35、41)的表面上间隔开的位置。用第一隔离层(33)覆盖磁性晶粒(32)。晶体层(35、41)用来沿预定方向取向磁性晶粒(36、38)。在晶体层(35)与磁性晶粒(32)以及在晶体层(41)与磁性晶粒(36)之间分别插入非晶材料层(34、39)。非晶材料层(34、39)用来充分抑制磁性晶粒(32、36)与晶体层(35、41)之间的相互作用。磁性晶粒(32、36)的取向可靠地保持在预定的方向。
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公开(公告)号：CN1762000A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007446.1
申请日：2004-03-11
Applicant: 纳磁股份有限公司
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/712 , G11B5/842 , H01F1/009 , H01F10/005 , H01F10/007 , H01F41/16
Abstract: 一种形成具有磁性纳米粒子膜的磁记录装置的方法，其包括制备磁性纳米粒子在载液中的悬浮液，并将所述流体悬浮液以体积小于约1nL的小滴形式沉积到基质表面，作为沉积流体悬浮液的干残渣形成可磁化纳米粒子的所述膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1628342A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN02829153.0
申请日：2002-10-10
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 向井良一
CPC classification number: G11B5/66 , B82Y25/00 , G11B5/7325 , G11B5/84 , H01F10/007 , H01F10/123 , H01F10/147 , Y10T428/25 , Y10T428/2991
Abstract: 磁性晶粒(32)位于晶体层(35、41)的表面上间隔开的位置。用第一隔离层(33)覆盖磁性晶粒(32)。晶体层(35、41)用来沿预定方向取向磁性晶粒(36、38)。在晶体层(35)与磁性晶粒(32)以及在晶体层(41)与磁性晶粒(36)之间分别插入非晶材料层(34、39)。非晶材料层(34、39)用来充分抑制磁性晶粒(32、36)与晶体层(35、41)之间的相互作用。磁性晶粒(32、36)的取向可靠地保持在预定的方向。
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公开(公告)号：CN1388838A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN01802601.X
申请日：2001-08-17
Applicant: 科学技术振兴事业团
CPC classification number: H01F41/205 , B01J23/002 , B01J23/75 , B01J35/002 , B01J35/004 , B01J2523/00 , B82Y25/00 , C23C14/08 , C23C14/28 , C30B23/02 , C30B29/22 , G11B5/656 , G11B5/85 , H01F10/007 , H01F10/193 , H01F10/28 , Y10T428/12806 , Y10T428/12986 , B01J2523/47 , B01J2523/845
Abstract: 提供作为催化剂能力高的光催化剂、同时具有电·光·磁功能的半导体材料及透明磁铁有用的二氧化钛·钴磁性膜,该膜以化学式:Ti1－xCoxO2表示,式中0
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公开(公告)号：CN106867040A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710113825.8
申请日：2017-02-28
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C08K7/00 , C08K3/34 , C08K2201/011 , H01F1/40 , H01F10/007 , H01F10/193 , H01F41/301 , C08L5/08
Abstract: 本发明涉及一种β‑FeSi2纳米六面体颗粒壳聚糖复合材料制备方法，将无水氯化亚铁和硅片在800±10℃条件下反应，合成β‑FeSi2纳米六面体颗粒；配置质量比0.2±0.03％的羧化壳聚糖水溶液；用移液枪吸取羧化壳聚糖水溶液滴涂在立方体颗粒薄膜表面；将滴涂后的薄膜放置在真空干燥箱中，室温下干燥20min，形成结合紧密的复合薄膜，即β‑FeSi2纳米六面体颗粒壳聚糖复合材料。复合材料具有增强的室温铁磁性，在磁性传感、半导体自旋电子学、生物医疗等应用方面都极具潜力。
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公开(公告)号：CN103930584B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280055244.9
申请日：2012-11-06
Applicant: 杰富意钢铁株式会社
CPC classification number: H01F10/007 , C21D1/74 , C21D1/76 , C21D6/008 , C21D8/0263 , C21D8/1222 , C21D8/1233 , C21D8/1255 , C21D8/1261 , C21D8/1266 , C21D9/46 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/004 , C22C38/008 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/12 , C22C38/60 , C23C10/08 , H01F1/16 , Y10T428/12431
Abstract: 通过使组成为以质量％计含有C：0.007％以下、Si：4％～10％和Mn：0.005％～1.0％且余量为Fe和不可避免的杂质，并且使板厚为0.01mm以上且0.10mm以下，而且使截面粗糙度Pa为1.0μm以下，由此，即使在对板厚为0.10mm以下的电磁钢板实施渗硅处理以增加钢中Si量的情况下，也得到磁特性不劣化、并且还避免了占空系数的劣化的铁损特性。
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公开(公告)号：CN103930584A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201280055244.9
申请日：2012-11-06
Applicant: 杰富意钢铁株式会社
CPC classification number: H01F10/007 , C21D1/74 , C21D1/76 , C21D6/008 , C21D8/0263 , C21D8/1222 , C21D8/1233 , C21D8/1255 , C21D8/1261 , C21D8/1266 , C21D9/46 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/004 , C22C38/008 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/12 , C22C38/60 , C23C10/08 , H01F1/16 , Y10T428/12431
Abstract: 通过使组成为以质量％计含有C：0.007％以下、Si：4％～10％和Mn：0.005％～1.0％且余量为Fe和不可避免的杂质，并且使板厚为0.01mm以上且0.10mm以下，而且使截面粗糙度Pa为1.0μm以下，由此，即使在对板厚为0.10mm以下的电磁钢板实施渗硅处理以增加钢中Si量的情况下，也得到磁特性不劣化、并且还避免了占空系数的劣化的铁损特性。
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