公开(公告)号：CN108026664B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201680056320.6

申请日：2016-10-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 梶直树 ,  上田俊策 ,  堀勉 ,  原田真

IPC: C30B29/36

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基板，其多数载流子密度为1×1017cm‑3以上，使得在除了自主表面的外周起算的距离为5mm以内的区域之外的区域中，通过μ‑PCD分析得到的少数载流子寿命的标准偏差为0.7ns以下。

公开(公告)号：CN108026662A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680053607.3

申请日：2016-07-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上田俊策 ,  冲田恭子 ,  原田真

IPC: C30B29/36

Abstract: 碳化硅基板包含碳面侧主面和硅面侧主面。所述碳化硅基板的直径为100mm以上并且厚度为300μm以上。所述碳面侧主面和所述硅面侧主面相对于{0001}面的偏角为4°以下。所述碳面侧主面中的氮浓度高于所述硅面侧主面中的氮浓度，并且所述碳面侧主面与所述硅面侧主面之间的拉曼峰位移之差为0.2cm‑1以下。

公开(公告)号：CN103946431B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201280053966.0

申请日：2012-10-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  原田真

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L22/10 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/049 ,  H01L22/12 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 一种制造碳化硅半导体器件(100)的方法，包括以下步骤。制备具有第一主表面(1)以及第二主表面(2)的碳化硅衬底(80)。在第一主表面(1)上形成电极(112)。碳化硅衬底(80)具有六方晶体结构。第一主表面(1)相对于{0001}面具有±8°或更小的偏离角(OA)。第一主表面(1)具有这种性质：当用具有等于或大于碳化硅的带隙的能量的激发光(LE)照射时，以1×104cm‑2或更小的密度在第一主表面(1)中产生在750nm或更大的波长范围内的发光区(3)。由此可以提升碳化硅半导体器件(100)的良率。

公开(公告)号：CN102224594B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN200980146557.3

申请日：2009-02-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  增田健良 ,  和田圭司 ,  津守将斗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/324 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明提供了一种具有诸如沟道迁移率的优良电特性的碳化硅半导体器件及其制造方法。一种半导体器件(1)包括：衬底(2)，衬底(2)由碳化硅制成并且其相对于{0001}的表面取向的偏离角大于或等50°且小于或等于65°；p型层(4)，所述p型层(4)用作半导体层；和氧化物膜(8)，所述氧化物膜(8)用作绝缘膜。p型层(4)形成在衬底(2)上并且由碳化硅制成。氧化物膜(8)被形成为接触p型层(4)的表面。在所述半导体层和所述绝缘膜之间的界面(沟道区和氧化物膜(8)之间的界面)的10nm内的区域中的氮原子浓度的最大值大于或等于1×1021cm-3。

公开(公告)号：CN102668030A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201180004269.1

申请日：2011-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  原田真 ,  井上博挥 ,  佐佐木信 ,  伊藤里美 ,  并川靖生

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 第一单晶碳化硅衬底(11)的第一顶点(P1)和第二单晶碳化硅衬底(12)的第二顶点(P2)彼此邻接，使得第一单晶碳化硅衬底(11)的第一边(S 1)和第二单晶碳化硅衬底(12)的第二边(S2)对准。另外，第一边(S 1)的至少一部分和第二边(S2)的至少一部分与第三单晶碳化硅衬底(13)的第三边(S3)邻接。因此，在制造包括复合衬底的半导体器件中，能够抑制由单晶碳化硅衬底之间的空隙而引起的工艺波动。

公开(公告)号：CN102652362A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201180004823.6

申请日：2011-07-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  原田真 ,  穗永美纱子 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/868

Abstract: 提供了一种能够稳定地展示其性质并且具有高质量半导体器件以及用于生产该半导体器件的工艺。半导体器件包括具有主表面的衬底（1）以及形成在衬底（1）的主表面上并且每一个均具有相对于主表面倾斜的侧表面的碳化硅层（2-5）。侧表面基本上包含面[03-3-8]。该侧表面包含沟槽区域。

公开(公告)号：CN102652361A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201080055687.9

申请日：2010-01-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 穗永美纱子 ,  原田真

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种碳化硅半导体器件（1,100），其包括：半导体层（12），该半导体层由碳化硅制成，并且具有相对于{0001}面以不小于50°且不大于65°的范围内的角倾斜的表面（12a）；和绝缘膜（13），形成为与半导体层（12）的表面（12a）相接触。在距半导体层（12）和绝缘膜（13）之间的界面10nm内的区域中的氮浓度的最大值不小于1×1021cm-3，并且半导体器件具有在相对于与半导体层（12）的表面（12a）中的 方向正交的方向±10°的范围内的沟道方向。还提供了制造这种碳化硅半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN102597338A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201180004372.6

申请日：2011-05-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  伊藤里美 ,  原田真 ,  佐佐木信

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/187 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅衬底，其能够减少使用该碳化硅衬底的半导体器件的制造成本，以及该碳化硅衬底的制造方法。具体地，一种碳化硅衬底的制造方法，包括：制备(S10)每个均由碳化硅(SiC)构成的多个单晶体(1)的步骤；形成(S20)集合体的步骤；将单晶体彼此连接(S30)的步骤；以及对集合体进行切片(S60)的步骤。在步骤(S20)中，通过布置多个SiC单晶锭并且其间插入有包含Si的硅(Si)层，以形成单晶体的集合体。在步骤(S30)中，通过加热集合体将所述至少一部分形成为碳化硅，并且经由Si层中被形成为碳化硅的该部分将相邻的SiC单晶锭彼此连接。在步骤(S60)中，对其中SiC单晶锭彼此连接的集合体进行切片。

公开(公告)号：CN102549715A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080042620.1

申请日：2010-09-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  井上博挥 ,  并川靖生 ,  藤原伸介

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  H01L21/02002 ,  Y10T428/192

Abstract: 一种SiC晶锭(10a)，其设置有：底面(12a)，其具有四个边；四个侧面(12b，12c，12d，12e)，该四个侧面在与所述底面(12a)的方向相交的方向上从所述底面(12a)延伸；以及生长面(12f)，其与所述侧面(12b，12c，12d，12e)连接，并位于相对于所述底面(12a)的相反侧上。所述底面(12a)、所述侧面(12b，12c，12d，12e)以及所述生长面(12f)中的至少一个是{0001}面、{1-100}面、{11-20}面或相对于这些面具有10°以内的倾斜的面。

公开(公告)号：CN102511074A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201180003852.0

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  增田健良 ,  和田圭司 ,  井上博挥 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  并川靖生 ,  堀井拓

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明公开了一种能够降低制造成本的用于制造碳化硅衬底的方法，该方法包括下列步骤：准备基底衬底(10)和SiC衬底(20)；通过在彼此的顶部上放置基底衬底(10)和SiC衬底(20)来制造层叠衬底；通过加热接合衬底来制作接合衬底(3)；通过加热接合衬底(3)使基底衬底(10)的温度高于SiC衬底(20)的温度而使在接合界面(15)处形成的空洞(30)在接合衬底(3)的厚度方向上移动；以及通过去除在与SiC衬底(20)相反侧上包括主要衬底(10B)的基底衬底(10)的区域来去除空洞(30)。