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公开(公告)号：CN119493327A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411118546.7
申请日：2024-08-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 能够由能够通过使用含有氧(O)的气体的干法蚀刻图案化的吸收膜通过反射型掩模坯料形成细微且良好的吸收膜的图案，该反射型掩模坯料包括基板、在基板的一个主表面上形成的反射曝光光的多层反射膜、在多层反射膜上形成的吸收曝光光的吸收膜、和在吸收膜上的含有铌(Nb)的蚀刻掩模膜。
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公开(公告)号：CN118778342A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410393516.0
申请日：2024-04-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/24
Abstract: 在包括基板、多层反射膜、保护膜、吸收体膜和硬掩模膜的反射掩模坯中，保护膜由含有钌(Ru)的材料组成，吸收体膜由第一层和第二层或第一层、第二层和第三层组成，第一层具有含有钽(Ta)且不含氮(N)的组成，第二层具有含有钽(Ta)和氮(N)的组成，第三层具有含有钽(Ta)、氮(N)和氧(O)的组成，和硬掩模膜由含有铬(Cr)的材料组成。
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公开(公告)号：CN118226700A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311758324.7
申请日：2023-12-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/24
Abstract: 一种反射掩模坯料，其包含基板、形成在所述基板的一个主表面上并且反射曝光用光的多层反射膜、以及形成在所述多层反射膜上且包含钌(Ru)和铌(Nb)的保护膜，所述保护膜包括在厚度方向上与靠近所述多层反射膜的一侧和最远离所述多层反射膜的一侧两者的钌(Ru)含量相比钌(Ru)含量低的部分。
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公开(公告)号：CN108572509B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201810188726.0
申请日：2018-03-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料，该光掩模坯料具有在透明衬底上的任选第一膜、第二膜、第三膜和第四膜。第一膜和第三膜由含硅材料形成，该含硅材料耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去。第二膜和第四膜由含铬材料形成，该含铬材料耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去。在氯基干法刻蚀时，第四膜的刻蚀完成时间比第二膜的刻蚀完成时间长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108572510B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201810188719.0
申请日：2018-03-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及半色调相移光掩模坯料，该半色调相移光掩模坯料具有在透明衬底上的用作半色调相移膜的第一膜、用作遮光膜的第二膜、用作硬掩模膜的第三膜、和第四膜。第一膜和第三膜由含硅材料形成，该含硅材料耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去。第二膜和第四膜由无硅的含铬材料形成，该含铬材料耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去。
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公开(公告)号：CN106997145B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201710052066.9
申请日：2017-01-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及半色调相移光掩模坯和制造方法。使用硅靶、惰性气体和含氮反应性气体通过反应性溅射在透明基板上形成半色调相移膜。通过扫描该反应性气体的流量并且相对于该反应性气体的流量绘制该扫描过程中的溅射电压或电流，从而绘出滞后曲线。在与大于显示该滞后的反应性气体流量的下限到小于上限的范围对应的区域中溅射的过渡模式溅射步骤中，使施加于靶的电力、惰性气体流量和/或反应性气体流量连续地或阶段地增大或减小。
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公开(公告)号：CN113568269A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110458020.3
申请日：2021-04-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明涉及用于反射型掩模坯料的带膜的基板和反射型掩模坯料。提供一种用于反射型掩模坯料的带膜的基板和反射型掩模坯料，该用于反射型掩模坯料的带膜的基板包括：基板、Mo层和Si层的多层反射膜、以及Ru保护膜。基板和坯料包括在Mo层和Si层之间存在的含有Mo和Si的混合层，和在最上层Si层和Ru保护膜之间生成的含有Ru和Si的另一混合层；该膜和层具有满足限定的表达式的厚度。
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公开(公告)号：CN107868935B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201710898801.8
申请日：2017-09-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/34 , G03F1/32 , H01L21/027
Abstract: 在使用含硅靶、惰性气体和含氮反应性气体的反应性溅射期间，通过如下绘制迟滞曲线：扫描反应性气体的流量，并且将扫描期间的溅射电压或电流相对于反应性气体的流量作图。在对应于大于提供迟滞的反应性气体流量的下限～小于上限的范围的区域中溅射的步骤中，靶功率、惰性气体流量和/反应性气体流量连续或逐步地增加或降低。包括含过渡金属、硅和氮的层的半色调相移膜在光学性质的面内一致性上得以改善。
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公开(公告)号：CN106019808B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201610195474.5
申请日：2016-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 在包括透明基板和其上沉积并且相对于亚200nm光具有150‑200°的相移的相移膜的相移掩模坯中，该相移膜由硅、氮和任选的氧构成的硅基材料组成，具有至多70nm的厚度，并且在该基板上沉积该相移膜的前后在该基板的表面的中央区域中提供至多0.2μm的翘曲变化。
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