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公开(公告)号：CN103238217A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180057732.9
申请日：2011-12-01
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02614 , H01L21/02631 , H01L29/78693
Abstract: 本发明的配线结构在基板上至少具有栅极绝缘膜和氧化物半导体层，所述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层以及第2氧化物半导体层的层叠体，该第1氧化物半导体层包括选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(Z组元素)，该第2氧化物半导体层含有选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(X组元素)和选自Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、W和Ni中的至少一种元素(Y组元素)，并且所述第2氧化物半导体层形成在所述第1氧化物半导体层与所述栅极绝缘膜之间。根据本发明，得到了开关特性和耐应力性良好、尤其是施加应力前后的阈值电压变化量小、稳定性优异的配线结构。
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公开(公告)号：CN102859701A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180019734.9
申请日：2011-04-18
IPC: H01L29/786 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在ZnO浓度高的区域，另外在形成保护膜后和外加应力后，仍可以稳定得到良好的特性的薄膜晶体管半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其中，所述氧化物含有Zn和Sn，还含有从由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga和稀土类元素构成的X群中选择的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN102612859A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201080051843.4
申请日：2010-11-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01L51/5218 , C22C21/00 , C23C14/185 , C23C14/3414 , H01L51/5271 , H05B33/26 , H05B33/28
Abstract: 提供一种具有新的Al基合金反射膜的有机EL显示器用的反射阳极电极，即便使Al反射膜与ITO和IZO等的氧化物导电膜直接接触，也能够确保低接触抵抗和高反射率，而且，作为与氧化物导电膜的层叠结构时，上层氧化物导电膜表面的功函数高达通用的Ag基合金膜和氧化物导电膜的层叠结构的功函数的同程度。一种形成于基板上的有机EL显示器用的反射阳极电极，前述反射阳极电极包括含有Ag为0.1～6原子％的Al基合金膜，和在所述Al基合金膜之上直接接触的氧化物导电膜的层叠结构。
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公开(公告)号：CN102486695A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010625209.9
申请日：2010-12-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供一种尤其相对于横方向耐久性优异，难以引起断线及经时的电阻的增加，可靠性高的触摸面板传感器。本发明的触摸面板传感器，其具有透明导电膜及与所述透明导电膜连接的布线，布线自基板侧按顺序由高融点金属膜、Al合金膜、高融点金属膜构成，Al合金膜含有0.05～5原子％的稀土元素，且，杨氏模量为80～200GPa，晶粒的规定方向切线直径(Feret直径)的最大值为100～350nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100561319C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200510081886.8
申请日：2005-07-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/1368
Abstract: 显示器及其制备方法。该显示器包括基材、在所述基材上形成的薄膜晶体管和透明导电膜以及使所述薄膜晶体管和所述透明导电膜电连接的铝合金膜，以使在所述铝合金膜和所述透明导电膜之间界面处存在所述铝合金的氧化物膜，而所述氧化物膜具有1～10nm的厚度并含有不超过44原子%的氧。该显示器具有彼此直接接触的铝合金膜和透明导电膜，避免了在它们之间需要阻挡层金属。
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公开(公告)号：CN101187007A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710192798.4
申请日：2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F9/082 , B22F2998/10 , C22C21/00 , C23C4/08 , C23C4/123 , H01J37/3426 , H01J37/3429
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni和La的Al－Ni－La体系Al－基合金溅射靶，其中，当通过扫描电子显微镜在2000倍的放大倍数观察垂直于溅射靶平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al－Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；和(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al－La体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－La体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－La体系金属间化合物主要由Al和La组成。
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公开(公告)号：CN1847448A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610073570.9
申请日：2006-04-10
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 一种主要包含Al的Al基溅射靶的凹面缺陷总数为45000或更少/平方毫米单位表面积，所述的凹面缺陷的最大深度为0.2μm或更大和当量面积直径为0.2μm或更大，所述的单位表面积为相当于溅射面的所述溅射靶表面的单位表面积。另一种Al基溅射靶在该表面上的凹面缺陷总数为15000或更少/平方毫米单位表面积，所述的凹面缺陷的最大深度为0.1μm或更大和当量面积直径为0.5μm或更大。这些溅射靶减少了在它们使用时发生的溅射故障(飞溅和/或弓形)的周期和数量，特别是在它们使用的早期阶段发生的溅射故障(飞溅和/或弓形)的周期和数量。
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公开(公告)号：CN101528978B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200780022302.7
申请日：2007-06-14
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C23C16/505 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/505 , C23C16/40 , C23C16/54 , H01J37/32 , H01J37/32091 , H01J37/32568 , H01J37/32761
Abstract: 在接近大气压的压力气氛的条件下，使用等离子体在基板上形成薄膜时，即使将电极和基板之间的间隙设定得比以往宽，也可以抑制反应气体反应而产生的微粒，且稳定地形成均质的薄膜。通过向旋转中心轴相对于基板平行的圆筒状的旋转电极(12)供给电力，从而在所述旋转电极(12)和基板(S)之间的间隙中生成等离子体，使用生成的等离子体，使所供给的反应气体(G)活化而在基板(S)上形成薄膜时，使旋转电极(12)和基板(S)之间的间隙宽度为2mm～7mm，向旋转电极(12)供给频率为100kHz～1GHz的高频电力。
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公开(公告)号：CN101528978A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780022302.7
申请日：2007-06-14
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C23C16/505 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/505 , C23C16/40 , C23C16/54 , H01J37/32 , H01J37/32091 , H01J37/32568 , H01J37/32761
Abstract: 在接近大气压的压力气氛的条件下，使用等离子体在基板上形成薄膜时，即使将电极和基板之间的间隙设定得比以往宽，也可以抑制反应气体反应而产生的微粒，且稳定地形成均质的薄膜。通过向旋转中心轴相对于基板平行的圆筒状的旋转电极(12)供给电力，从而在所述旋转电极(12)和基板(S)之间的间隙中生成等离子体，使用生成的等离子体，使所供给的反应气体(G)活化而在基板(S)上形成薄膜时，使旋转电极(12)和基板(S)之间的间隙宽度为2mm～7mm，向旋转电极(12)供给频率为100kHz～1GHz的高频电力。
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