公开(公告)号：CN1164158C

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN99119169.2

申请日：1999-09-17

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社 ,  株式会社渊上微

Inventor： 平沢宏希 ,  小野辉生

IPC: H05K3/46 ,  H01L21/48

CPC classification number: H05K3/4629 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/056 ,  H05K3/423 ,  H05K3/44 ,  H05K3/4617 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/09554 ,  H05K2201/09563 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种用于半导体芯片组件的多层电路板，其包括衬底板、绝缘层、固定-电位引线层、通孔和金属层。该衬底板有主表面。绝缘层堆叠在衬底板的主表面上并有引线层形成。固定-电位引线层构成引线层部分。金属层填充在通孔中。与主表面接触的一绝缘层形成在该衬底板上，同时金属层下端与该衬底板的主表面接触。堆叠形成在绝缘层上与衬底板的主表面接触的其它绝缘层，同时金属层下端与一个绝缘层的固定-电位引线层的上表面接触。所述填充在所述通孔中的金属层是由铜制成。金被施加在填充通孔的所述铜金属层的底端。