-
-
-
公开(公告)号：CN1891663B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610100096.4
申请日：2006-06-29
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供能够延长靶的寿命、可以得到高密度的溅射靶的氧化铟-氧化锡粉末和使用该粉末的溅射靶及氧化铟-氧化锡粉末的制造方法。在氧化铟-氧化锡粉末中以In-Sn氧化物为主要成分，碳含量在50ppm以下。
-
公开(公告)号：CN1788915A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510123330.0
申请日：2002-08-16
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: B23K26/36
Abstract: 本发明提供一种溅镀靶的制造方法，通过由宽度为100μs以下的脉冲输出的激光进行表面处理，经升华等除去在研削加工时生成的毛刺和研削粉末、特别是粉尘和尘埃等，因此可以使靶子开始使用时所产生的初期电弧显著降低，并能够提高初期稳定性，以低成本进行溅镀靶的制造。
-
公开(公告)号：CN1222635C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN00132350.4
申请日：2000-11-03
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 使用至少在薄膜的一个单面上具有不存在有直径2.0μm以上的脱离性粒子表面的薄膜，或者使用至少在薄膜的一个单面上，表面不存在有直径2.0μm以上的脱离性粒子并且该表面所存在的直径0.2μm以上的脱离性粒子个数在薄膜表面1cm2范围为1000个以下的的薄膜，用该表面对高纯度对阴极进行捆包的捆包高纯度对阴极。该高纯度对阴极包括有，高纯度ITO对阴极，高纯度陶瓷系列对阴极，高纯度金属系列对阴极等。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1275880A
公开(公告)日：2000-12-06
申请号：CN00118487.3
申请日：2000-05-25
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H05K3/388 , C23C14/16 , Y10T428/12438 , Y10T428/12847 , Y10T428/12903 , Y10T428/265
Abstract: 公开了一种用于制造印刷线路板的铜箔和包括该铜箔的铜覆叠层件,该铜箔的特征在于通过汽相淀积在该铜箔至少的一面上形成金属铬涂层,或其特征在于该铜箔的一面是通过防粘涂层由载体支承,并且通过汽相淀积在该箔的另一面上形成金属铬涂层。该铜箔与基底的粘结性(或者在基底和铜箔之间的剥落强度)、抗湿性、耐化学性和耐热性方面是极好的,因此该铜箔适用于制造印刷线路板。
-
公开(公告)号：CN102089454A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980126522.3
申请日：2009-06-26
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H05K3/382 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/06 , B32B2255/06 , B32B2255/20 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/206 , B32B2307/50 , B32B2307/538 , B32B2307/714 , B32B2307/732 , B32B2307/75 , C23C14/024 , C23C14/14 , H05K3/388 , H05K2201/0179 , H05K2201/0317 , H05K2201/0323 , Y10T428/12028 , Y10T428/12438 , Y10T428/12625 , Y10T428/12681 , Y10T428/12806 , Y10T428/12903 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种表面处理铜箔，其在表面处理层中不含有铬，且在加工成印刷线路板后的电路的剥离强度、该剥离强度的耐药品性劣化率等方面表现优良。为了达到该目的，采用了一种表面处理铜箔，其在与绝缘树脂基材相贴合而制造覆铜层压板时所使用的铜箔的贴合面上，设置有表面处理层，其特征在于，所述表面处理层，是采用干式成膜法，在实施了净化处理的前述铜箔的贴合面上，附着熔点为1400℃以上的高熔点金属成分，进而附着碳成分而形成。
-
公开(公告)号：CN1906130A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200480041061.7
申请日：2004-12-24
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C01G19/00 , C01G15/00 , C04B35/453 , C23C14/34
CPC classification number: C01G19/00 , C01P2002/72 , C01P2004/82 , C01P2006/12 , C04B35/457 , C04B35/62665 , C04B2235/3286 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供了能够以低成本生产的氧化铟－氧化锡粉体，且该粉体能够提供具有延长靶寿命的高密度溅射靶，并且提供了利用该粉体的溅射靶。包含In－Sn氧化物作为主要成分的氧化铟－氧化锡粉体，其特征在于该氧化物粉体不包含可通过X射线衍射检测出的复合氧化物(In4Sn3O12)，并且在In2O3中具有2.3质量％或更大的SnO2固溶量，该SnO2固溶量是根据In2O3(222)的积分衍射强度与SnO2(110)的积分衍射强度的比值得到的析出SnO2含量(质量％)计算得到。
-
公开(公告)号：CN1906125A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200480041059.X
申请日：2004-12-24
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C01B13/322 , B01J8/0055 , B01J19/088 , B01J2219/00108 , B01J2219/00112 , B01J2219/00114 , B01J2219/00123 , B01J2219/00159 , B01J2219/0877 , B01J2219/0879 , B01J2219/0894 , B22F9/026 , B22F9/082 , B22F2998/00 , C01B13/326 , C01B13/34 , C01B21/06 , C01B21/0821 , C01G1/02 , C01G19/00 , C01P2002/72 , B22F2202/13
Abstract: 本发明提供了微粒的制造方法和制造设备，该方法能够通过简单的设备以低成本生产微粒，例如氧化物微粒，并且该方法适合于生产ITO粉体。在生产微粒的方法中，将液流、液滴或粉体形式的原料供入热源，通过雾状液体流体以微粒形式捕集产物，并通过气－液分离以浆料形式收集微粒。
-
公开(公告)号：CN1891662A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610100094.5
申请日：2006-06-29
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/64 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供可提高靶寿命并可得到高密度的溅射靶的溅射靶的制造方法。在烧成由含有氧化铟粉末及氧化锡粉末的混合粉末构成的原料粉末制造溅射靶时，至少在1100℃～1300℃预烧氧化铟粉末而作成原料的混合粉末，把该混合粉末以比所述预烧温度高150℃以上的温度进行烧结。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.028 seconds)
