过滤式成形模以及使用该成形模的陶瓷烧结体制造方法

    公开(公告)号:CN1121358C

    公开(公告)日:2003-09-17

    申请号:CN99100765.4

    申请日:1999-02-04

    Abstract: 本发明提供过滤式成形模和使用该成形模的陶瓷烧结体制造方法。本发明的过滤式成形模是用于从陶瓷原料泥浆中减压排出水分、得到陶瓷成形体的、由非水溶性材料构成的过滤式成形模,其特征是,该成形模由下列部分构成:具有1个以上排水孔的成形用下模、在该成形用下模上载置的具有透水生的过滤器、以及通过用于密封该过滤器的密封材料从上面一侧夹持的成形用型框,所述的成形用下模、成形用型框、密封材料和过滤器可以拆卸地组装在一起,只从该过滤器一侧减压排出泥浆中的水分。

    溅镀靶及其制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1407128A

    公开(公告)日:2003-04-02

    申请号:CN02130361.4

    申请日:2002-08-16

    Abstract: 本发明提供一种溅镀靶的制造方法,通过由宽度为100μs以下的脉冲输出的激光进行表面处理,经升华等除去在研削加工时生成的毛刺和研削粉末、特别是粉尘和尘埃等,因此可以使靶子开始使用时所产生的初期电弧显著降低,并能够提高初期稳定性,以低成本进行溅镀靶的制造。

    捆包高纯度对阴极
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1300873A

    公开(公告)日:2001-06-27

    申请号:CN00132350.4

    申请日:2000-11-03

    Abstract: 使用至少在薄膜的一个单面上具有不存在有直径2.0μm以上的脱离性粒子表面的薄膜,或者使用至少在薄膜的一个单面上,表面不存在有直径2.0μm以上的脱离性粒子并且该表面所存在的直径0.2μm以上的脱离性粒子个数在薄膜表面1cm2范围为1000个以下的的薄膜,用该表面对高纯度对阴极进行捆包的捆包高纯度对阴极。该高纯度对阴极包括有,高纯度ITO对阴极,高纯度陶瓷系列对阴极,高纯度金属系列对阴极等。

    溅射靶的制造方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100513354C

    公开(公告)日:2009-07-15

    申请号:CN200610100094.5

    申请日:2006-06-29

    Abstract: 本发明提供可提高靶寿命并可得到高密度的溅射靶的溅射靶的制造方法。在烧成由含有氧化铟粉末及氧化锡粉末的混合粉末构成的原料粉末制造溅射靶时,至少在1100℃~1300℃预烧氧化铟粉末而作成原料的混合粉末,把该混合粉末以比所述预烧温度高150℃以上的温度进行烧结。

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