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公开(公告)号：CN117062510A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310530454.9
申请日：2023-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种磁致电阻存储器件和包括该磁致电阻存储器件的半导体器件，该磁致电阻存储器件包括：下电极；在下电极上的下磁性材料层；在下磁性材料层上的隧道势垒层；在隧道势垒层上的上磁性材料层；盖结构，在上磁性材料层上，包括交替层叠的第一层和第二层；在盖结构上的盖导电层；以及在盖导电层上的上电极，其中第一层包括含非磁性材料的第一材料，第二层包括含磁性材料的第二材料。
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公开(公告)号：CN109713122A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811213731.9
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒结构；在隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在第二磁性层上形成第二电极。隧道势垒结构可以包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，第一隧道势垒层和第二隧道势垒层顺序地堆叠在第一磁性层上并且可以沿着可与基板的上表面平行的水平方向具有彼此不同的电阻率分布。
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公开(公告)号：CN109671645A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811188675.8
申请日：2018-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L21/67253
Abstract: 提供了工艺控制方法和工艺控制系统。所述方法包括：对由一组多个晶片限定的晶片组执行沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差来产生所述沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值提供关于后续晶片组的所述因素的输入值。提供所述因素的输入值的操作包括：获得先前产生的关于至少一个先前晶片组的所述因素的先前目标值，以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106654000B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610957717.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了形成层的方法、制造磁性存储器件的方法以及形成磁隧道结的方法，其中形成层的方法包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，分别从第一绝缘体和第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；以及使用第一离子源和第二离子源在下部结构上形成绝缘层。第一绝缘体和第二绝缘体与下部结构垂直间隔开，并且彼此横向地间隔开。第一绝缘体和第二绝缘体包括彼此相同的材料。
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公开(公告)号：CN107017337A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611122010.8
申请日：2016-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1657 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁存储器件以及一种制造该磁存储器件的方法。该方法包括在基板上形成第一磁性层、在第一磁性层上形成隧道势垒层以及在隧道势垒层上形成第二磁性层。形成隧道势垒层包括在第一磁性层上形成第一金属氧化物层、在第一金属氧化物层上形成第一金属层、在第一金属层上形成第二金属氧化物层以及进行第一热处理工艺以氧化第一金属层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN106803532A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201610915456.X
申请日：2016-10-20
Abstract: 本公开提供了具有垂直磁隧道结的磁存储器件。一种磁存储器件包括在基板上的第一磁结构、在基板和第一磁结构之间的第二磁结构、以及在第一磁结构和第二磁结构之间的隧道阻挡物。第一磁结构和第二磁结构中的至少一个包括垂直磁层以及插设在隧道阻挡物和垂直磁层之间的极化增强层。这里，极化增强层包含钴、铁和至少一种IV族元素，并且极化增强层具有垂直于或基本上垂直于基板的顶表面的磁化方向。
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公开(公告)号：CN106654000A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610957717.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/3464 , H01F41/307 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了形成层的方法、制造磁性存储器件的方法以及形成磁隧道结的方法，其中形成层的方法包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，分别从第一绝缘体和第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；以及使用第一离子源和第二离子源在下部结构上形成绝缘层。第一绝缘体和第二绝缘体与下部结构垂直间隔开，并且彼此横向地间隔开。第一绝缘体和第二绝缘体包括彼此相同的材料。
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公开(公告)号：CN105374933A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510500987.8
申请日：2015-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思提供磁存储器件及其形成方法。该方法包括：在基板上顺序地形成第一磁性导电层和盖层；图案化盖层和第一磁性导电层以形成第一磁性导电图案和盖图案；在基板上形成暴露盖图案的层间绝缘层；去除盖图案以暴露第一磁性导电图案；在第一磁性导电图案和层间绝缘层上形成隧穿势垒层和第二磁性导电层；以及图案化第二磁性导电层和隧穿势垒层以形成第二磁性导电图案和隧穿势垒图案。
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