-
公开(公告)号：CN114284269A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111134033.1
申请日：2021-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种半导体存储器件，包括：在第一方向上延伸的位线；在位线上的沟道图案，该沟道图案包括彼此面对的第一垂直部分和第二垂直部分以及连接第一垂直部分和第二垂直部分的水平部分；第一字线和第二字线，提供在水平部分上并且在第一垂直部分和第二垂直部分之间，并且在与位线交叉的第二方向上延伸；以及栅极绝缘图案，提供在第一字线和沟道图案之间以及在第二字线和沟道图案之间。
-
公开(公告)号：CN114068548A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110495619.4
申请日：2021-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/06
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：字线，在基底上沿竖直方向延伸；沟道层，围绕字线以构造单元晶体管，并且呈具有预定水平宽度的水平环形形状；位线，沿第一水平方向设置在沟道层的一端处，并且沿垂直于第一水平方向的第二水平方向延伸；以及单元电容器，沿第一水平方向设置在沟道层的另一端处，单元电容器包括沿竖直方向延伸的上电极层、围绕上电极层的下电极层以及设置在上电极层与下电极层之间的电容器介电层。
-
公开(公告)号：CN113224063A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110074133.3
申请日：2021-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11526 , H01L27/11551
Abstract: 半导体存储器装置可以包括在第一方向上彼此间隔开的第一电极和第二电极以及与第一电极和第二电极两者接触的第一半导体图案。第一半导体图案可以包括在第一方向上顺序地设置的第一子半导体图案至第四子半导体图案。第一子半导体图案和第四子半导体图案可以分别与第一电极和第二电极接触。第一子半导体图案和第三子半导体图案可以具有第一导电类型，第二子半导体图案和第四子半导体图案可以具有与第一导电类型不同的第二导电类型。第一子半导体图案至第四子半导体图案中的每一个可以包括过渡金属和硫族元素。
-
公开(公告)号：CN112018120A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010465503.1
申请日：2020-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 提供了三维半导体存储器件。一种三维半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括在衬底上的栅电极。该三维半导体存储器件包括穿透堆叠结构并沿第一方向以Z字形形状顺序布置的第一垂直结构、第二垂直结构、第三垂直结构和第四垂直结构。此外，该三维半导体存储器件包括在第一方向上延伸的第一位线。第一位线垂直地重叠第二垂直结构和第四垂直结构。第二垂直结构的中心和第四垂直结构的中心以相同的距离与第一位线间隔开。第一垂直结构以第一距离与第一位线间隔开。第三垂直结构以第二距离与第一位线间隔开。
-
公开(公告)号：CN111863829A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201911410986.9
申请日：2019-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本发明构思涉及一种包括可变电阻层的半导体存储器件。该半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括交替且重复堆叠的多个绝缘层和多个互连层。柱结构设置在堆叠结构的侧表面上。柱结构包括绝缘柱和可变电阻层，可变电阻层设置在绝缘柱上并位于绝缘柱和堆叠结构之间。沟道层设置在可变电阻层上并位于可变电阻层和堆叠结构之间。栅电介质层设置在沟道层上并位于所述多个互连层和沟道层之间。沟道层设置在可变电阻层和栅电介质层之间。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN111312720A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911198874.1
申请日：2019-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本公开提供了垂直半导体器件。一种垂直半导体器件包括：导电图案结构，在第一方向上延伸；沟槽，在交叉第一方向的第二方向上的两个相邻的导电图案结构之间；存储层，设置在沟槽的侧壁上；第一绝缘层，设置在沟槽中并在第一方向上彼此间隔开；沟道图案，设置在存储层上且在沟槽中，并在第一方向上彼此间隔开；以及蚀刻停止层图案，设置在沟槽中。每个导电图案结构包括交替堆叠在基板的上表面上的导电图案和绝缘层。每个蚀刻停止层图案设置在对应的第一绝缘层和存储层中的阻挡电介质层之间。蚀刻停止层图案在第一方向上彼此间隔开。
-
公开(公告)号：CN108630275A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201711419411.4
申请日：2017-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器装置及其编程方法。提供一种执行多个编程循环的非易失性存储器装置的编程方法。所述多个编程循环中的至少一个编程循环包括：在第一间隔和第二间隔期间将选择的单元串的通道划分为第一侧通道和第二侧通道；在第一间隔期间，通过施加第一电平的串选择线电压来使选择的单元串的串选择晶体管截止，并升高第一侧通道的第一电压和第二侧通道的第二电压；在第二间隔期间，通过施加与第一电平不同的第二电平的串选择线电压来使串选择晶体管导通，并对与第一侧通道或第二侧通道对应的选择的存储器单元执行热载流子注入(HCI)编程操作。
-
公开(公告)号：CN102710739B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210065491.9
申请日：2012-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0481 , G06F3/0484 , G06F3/0488
CPC classification number: G06F3/0488 , G06F3/0481 , G06F3/04817 , G06F3/04845 , G06F3/04886
Abstract: 提供一种移动终端及用于该移动终端的对象改变支持方法。所述移动终端包括：显示单元，用于输出至少一个对象；控制单元，控制以下操作中的至少一个：响应于将输出的对象改变为在功能上与输出的对象相似但在类型上与输出的对象不同的第二对象的信号，直接将第二对象显示在显示单元上，而不使用屏幕转换；以及响应于将输出的对象改变为在功能上与输出的对象相似但在类型上与输出的对象不同的第二对象的信号，将引导帧输出到显示单元上，以便于改变输出的对象，而不使用屏幕转换。
-
公开(公告)号：CN1971917A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610146422.5
申请日：2006-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/423 , H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7881 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/42324
Abstract: 一种非易失性存储器件可以包括：衬底，具有单元区；以及单元器件隔离层，位于该衬底的单元区上，以限定单元有源区。浮置栅极可以包括顺序层叠在单元有源区上的下部浮置栅极和上部浮置栅极，而隧道绝缘图形可以位于浮置栅极与单元有源区之间。控制栅电极可以位于该浮置栅极上，而且阻挡绝缘图形可以位于该控制栅电极与浮置栅极之间。更具体地说，上部浮置栅极可以包括位于该下部浮置栅极上的扁平部分和一对从与该单元器件隔离层相邻的扁平部分两边向上延伸的壁部分。此外，由该扁平部分和这对壁部分包围的空间上部的宽度可以大于该空间下部的宽度。还讨论了相关方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
112
records
(took 0.035 seconds)
