公开(公告)号：CN1830766A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610008640.2

申请日：2006-02-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩仁泽 ,  金夏辰

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  H01J29/02 ,  H01J31/12 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00

Abstract: 本发明提供CNT结构及其制造方法、以及利用该CNT结构的FED装置及其制造方法。该CNT结构包括基板、涂覆在基板上具有预定尺寸的多个缓冲颗粒、通过对在基板上沉积至预定厚度从而覆盖缓冲颗粒的催化剂材料进行退火而形成在缓冲颗粒的表面上的多个催化剂层、以及从催化剂层生长的多个CNT。

公开(公告)号：CN1821067A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610009255.X

申请日：2006-02-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴永俊 ,  金夏辰

IPC: C01B31/02 ,  G09G3/20 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0455

Abstract: 本发明提供形成CNT的方法和制造使用该CNT的FED装置的方法。形成CNT的方法包括：准备其上形成有硅层的基板；在该硅层上顺序形成缓冲层和催化剂金属层；通过退火该基板通过该硅层、该缓冲层、以及该催化剂金属层之间的扩散部分形成金属硅化物畴；以及在该催化剂金属层的表面上生长CNT。

公开(公告)号：CN1721323A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510082139.6

申请日：2005-07-04

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金夏辰 ,  韩仁泽

IPC: C01B31/02 ,  D01F9/127

CPC classification number: B01J37/086 ,  B01J21/185 ,  B01J23/12 ,  B01J23/22 ,  B01J23/28 ,  B01J23/70 ,  B82Y30/00 ,  D01F9/127

Abstract: 本发明提供一种形成基底催化剂的新方法，及利用该形成基底催化剂的方法合成碳纳米管的方法，该基底催化剂可以控制碳纳米管的生长密度并增加碳纳米管的均匀性。形成用于生长碳纳米管的基底催化剂的方法包括：将包含催化金属前体、固体和溶剂的前体糊涂布在基材上；及还原涂布在所述基材上的前体糊的催化金属前体，从而形成催化金属颗粒。

公开(公告)号：CN101101903A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710007707.5

申请日：2007-01-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩仁泽 ,  金夏辰

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76885 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的利用碳纳米管的层间布线结构以及制造该层间布线结构的方法。该层间布线结构包括从催化剂层表面生长的多个碳纳米管和碳纳米管束，其中由于上部中碳纳米管的聚集，该碳纳米管束的上部比该碳纳米管束的下部具有更高的碳纳米管密度。该方法包括形成电连接到下电极的催化剂层；从该催化剂层的表面生长多个碳纳米管；通过聚集上部中的所述碳纳米管形成上部比下部具有更高碳纳米管密度的碳纳米管束；形成层间电介质，其覆盖该下电极，围绕该碳纳米管束，且暴露该碳纳米管束的仅上表面；以及形成上电极，其接触该碳纳米管束的所述上表面。

公开(公告)号：CN1822281A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200510137515.7

申请日：2005-12-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩仁泽 ,  朴相铉 ,  金夏辰

IPC: H01J9/02 ,  H01J9/00 ,  G03F7/00 ,  B05D1/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B01J21/185 ,  B01J23/74 ,  B01J23/745 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/0219 ,  B01J37/0228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明公开了一种构图用于合成碳纳米管(CNT)的催化剂层的方法和使用该方法制造场发射器件(FED)的方法。所述构图催化剂层的方法包括：在基板上形成催化剂层，所述催化剂层由具有弱酸负离子团的金属盐形成；在所述催化剂层上形成光致抗蚀剂；使用光掩模将所述光致抗蚀剂曝光为预定的图案；使用强碱显影溶液来去除所述光致抗蚀剂和催化剂层的预定区；和去除所述光致抗蚀剂。

公开(公告)号：CN1797660A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510131015.2

申请日：2005-12-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金夏辰 ,  陈勇完 ,  韩仁泽 ,  李亢雨

IPC: H01J9/02 ,  C25D13/00

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/168 ,  C01B32/172 ,  C01B2202/08 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种垂直排列碳纳米管的方法。该方法包括：在形成有催化剂金属层的基板上生长碳纳米管；以束的形式从该基板分离生长的碳纳米管；在放入有充电物的电解液内放入分离的碳纳米管束，将碳纳米管与充电物混合，并且使碳纳米管束带电；以及将带电的碳纳米管束利用电泳垂直附着到电极的表面上。

公开(公告)号：CN1767122A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510113205.1

申请日：2005-10-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李亢雨 ,  陈勇完 ,  韩仁泽 ,  金夏辰 ,  裵民钟

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  C01B31/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J29/481 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01J1/304 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/89

Abstract: 本发明提供碳纳米管发射器及其制造方法、使用该碳纳米管发射器的场发射器件及其制造方法。碳纳米管发射器包括多个固定在基板上与基板平行的第一碳纳米管，以及多个形成在所述第一碳纳米管的表面上的第二碳纳米管。