公开(公告)号：CN1944070A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610163937.6

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 鲁硕原 ,  姜泰旻 ,  金镇洙 ,  郭鲁敏 ,  李在濠

IPC: B41M5/382 ,  H01L21/00 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56

CPC classification number: B41J2/325 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种激光诱发热成像设备及激光诱发热成像方法。激光诱发热成像设备具有处于附着框架和基底台内的电磁体，以便使供体膜紧紧附着于基底上。该激光诱发热成像设备包括处理腔室，该腔室包括供体膜和基底并用来实施将供体膜沉积到基底上的工序；具有第一电磁体的基底台，该基底台位于工序腔室内用来支撑基底；具有第二电磁体的附着框架，该附着框架位于基底台上方，供体膜和基底被设置于处理腔室内的基底台和附着框架之间；以及用于将激光输出提供给供体膜的激光振荡器。

公开(公告)号：CN101372736A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810214020.3

申请日：2008-08-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 鲁硕原 ,  姜泰旻 ,  成镇旭 ,  李相奉 ,  李承默 ,  朴镇佑 ,  金善浩 ,  郑明钟

IPC: C23C14/12 ,  C23C14/26 ,  F27B14/06 ,  F27B14/20

CPC classification number: C23C14/12 ,  C23C14/243

Abstract: 一种坩埚加热装置和一种包括该坩埚加热装置的淀积装置。该坩埚加热装置包括：坩埚，其包括用于容纳淀积材料的主体和设置在所述主体并具有喷嘴的盖；带，其通过接触部分与所述坩埚相连；热电偶，其与所述带相连；壳体，其用于容纳所述坩埚和所述带；和加热器，其设置在所述壳体内部，用于加热所述淀积材料。

公开(公告)号：CN101280411A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810089856.5

申请日：2008-04-03

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金善浩 ,  鲁硕原

IPC: C23C14/04

Abstract: 提供了一种用于平板显示器的薄膜沉积的掩模框架组件及使用该组件的沉积设备，包括设置有具有多个开口的图样部分的图样掩模；与图样掩模的下边缘部分连接以支撑图样掩模的第一框架；和沿水平或竖直方向与第一框架连接的第二框架。用于薄膜沉积的掩模框架组件安装到沉积设备，所述沉积设备用于沉积有机发光显示器的有机发射层，从而在基底上沉积薄膜的特定图样。此时，第二框架由质量小于形成第一框架的SUS或因瓦材料的质量的金属和合金之一形成，从而实现用于薄膜组件的轻质掩模框架组件。因此，可以易于搬运用于薄膜组件的轻质掩模框架组件，并减少设置在沉积设备中的运输设备的重量载荷，从而提高生产率。

公开(公告)号：CN101186160A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200610138193.2

申请日：2006-11-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 鲁硕原 ,  金茂显 ,  李相奉 ,  金善浩

IPC: B41M5/382 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  H01L21/00

CPC classification number: B41J2/447 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/56

Abstract: 一种激光诱导热成像装置和激光诱导热成像方法，其能够利用磁力将供体薄膜均匀地粘合到受体基板上，以实现有效的激光诱导热成像方法；以及一种利用该激光诱导热成像方法来制造有机发光二极管的方法。所述激光诱导热成像装置包括室，其中设置有具有磁性物质的接触框架，以朝向包含磁体的受体基板挤压，所述受体基板设置于基板台上，所述供体薄膜设置于所述受体基板和所述接触框架之间；以及通过所述接触框架中的开口照射所述供体薄膜的激光振荡器。由此，所述激光诱导热成像装置提高了所述受体薄膜与所述基板之间的粘合力，从而生产出具有改进的寿命、产量和可靠性的有机发光二极管。

公开(公告)号：CN1966279A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610146554.8

申请日：2006-11-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 鲁硕原 ,  金茂显 ,  成镇旭 ,  李相奉 ,  金善浩

IPC: B41M5/382 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)装置及使用该LITI装置制造电子器件的方法。LITI装置包括腔体、基底支撑件、晒版器件和激光源或振荡器。LITI装置将可转印层从膜供体器件转印到中间电子器件的表面上。LITI装置利用磁力来提供可转印层和中间器件表面之间的紧密接触。在LITI装置的彼此分隔地置于可转印层和中间器件表面之间的两个组件中形成的磁性材料产生磁力。磁体或磁性材料形成在下面的LITI装置的两个组件中：1)中间器件和膜供体器件；2)中间器件和晒版器件；3)基底支撑件和膜供体器件；4)基底支撑件和晒版器件。

公开(公告)号：CN1944069A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610140373.4

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 鲁硕原 ,  李城宅 ,  金茂显 ,  宋明原 ,  金善浩 ,  成镇旭

IPC: B41M5/382 ,  H01L21/00 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种激光诱导热成像设备以及使用该设备制造有机发光二极管的方法，其在真空中利用磁力层叠受主衬底和施主膜，且用于在该受主衬底上形成像素阵列。衬底台包括磁体或磁物质。该受主衬底具有用于形成第一、第二和第三子像素的像素区，该施主膜具有将被转移到该像素区的有机发光层。激光振荡器照射激光到该施主膜。接触框架适于设置在该衬底台与该激光振荡器之间，且用于与该衬底台形成磁力。该接触框架包括激光穿过的开口。接触框架供给机构在该衬底台的方向上移动该接触框架。