公开(公告)号：CN103050546B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210383444.9

申请日：2012-10-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 加地考男 ,  吉浦康博 ,  增冈史仁

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明的课题在于得到一种半导体装置，其能够在降低反向恢复功耗的同时提高耐压并抑制浪涌电压。在N－型漂移层（1）的上侧设置有P型阳极层（2）。在N－型漂移层（1）的下侧设置有N+型阴极层（3）。在N－型漂移层（1）与P型阳极层（2）之间设置有第1短寿命层（4）。在N－型漂移层（1）与N+型阴极层（3）之间设置有第2短寿命层（5）。载流子在第1短寿命层（4）及第2短寿命层（5）中的寿命τ2短于在N－型漂移层（1）中的寿命τ1(τ2＜τ1)。在N+型阴极层（3）中的寿命τ3长于在N－型漂移层（1）中的寿命τ1(τ1＜τ3)。

公开(公告)号：CN109817697B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201811367746.0

申请日：2018-11-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 本田成人 ,  增冈史仁 ,  原口友树

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41

Abstract: 本发明的目的在于提供能够兼顾恢复损耗(EREC)及反向恢复电流(Irr)的降低和在导线键合时产生的裂纹的影响的抑制的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：n型半导体衬底(1)；p型阳极层，其设置于n型半导体衬底(1)的表面；阳极电极(4)，其设置于p型阳极层之上；以及导线(8)，其与阳极电极(4)连接，p型阳极层包含p+型阳极层(3)和p－型阳极层(2)，该p+型阳极层(3)包含导线(8)的连接位置正下方，该p－型阳极层(2)不包含连接位置正下方，p+型阳极层(3)的杂质浓度与p－型阳极层(2)的杂质浓度相比为高浓度。

公开(公告)号：CN114388611A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111203053.X

申请日：2021-10-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原口友树 ,  增冈史仁 ,  陈则

IPC: H01L29/06

Abstract: 本发明的技术的目的在于抑制电力用半导体装置的耐压下降。半导体基体(11)具有：n‑型的半导体基板(3)；以及至少1个p型扩散层(4)，其在终端区域(2)处的半导体基板(3)的第1主面(S1)侧的表层彼此分离地形成。电力用半导体装置(101)具有在绝缘膜(5、15)之间的半导体基体(11)的第1主面(S1)之上形成的至少1个绝缘膜(25)。半绝缘膜(8)在绝缘膜(25)之上与绝缘膜(25)接触，在绝缘膜(5、15)之间的未形成绝缘膜(25)的至少大于或等于2个区域与第1主面(S1)接触。

公开(公告)号：CN108701722B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201680082481.2

申请日：2016-02-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 增冈史仁

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 在漂移层(1)之上彼此并排地形成有第一p型阳极层(2)以及第二p型阳极层(3)。在漂移层(1)之下彼此并排地形成有n型阴极层(5)以及p型阴极层(6)。在漂移层(1)与n型阴极层(5)、p型阴极层(6)之间形成有n型缓冲层(7)。第一p型阳极层(2)的扩散深度比第二p型阳极层(3)的扩散深度深。第一p型阳极层(2)的杂质浓度比第二p型阳极层(3)的杂质浓度大。n型阴极层(5)的扩散深度比p型阴极层(6)的扩散深度深。n型阴极层(5)的杂质浓度比p型阴极层(6)的杂质浓度大。

公开(公告)号：CN107251234B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201580075783.2

申请日：2015-02-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 增冈史仁 ,  藤井秀纪

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

Abstract: p型阳极层(2)在有源区域形成于n‑型漂移层(1)的表面。n型缓冲层(7)形成于n‑型漂移层(1)的背面。n型阴极层(8)及p型阴极层(9)相互横向并排地形成于n型缓冲层(7)的背面。n型层(10)在有源区域与终端区域的边界区域，与n型阴极层(8)及p型阴极层(9)横向并排地形成于n型缓冲层(7)的背面。将有源区域的端部作为起点，n型层(10)向有源区域侧伸出的距离是WGR1，满足10μm≤WGR1≤500μm。

公开(公告)号：CN104838504A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201280077547.0

申请日：2012-12-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 增冈史仁 ,  中村胜光 ,  加地考男

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/861

Abstract: 在具有激活区域和终端区域的半导体衬底(1)的主面上形成绝缘膜(2)。对激活区域上的绝缘膜(2)进行蚀刻而形成开口(3)。使用绝缘膜(2)作为掩模，一边使半导体衬底(1)旋转，一边从相对于半导体衬底(1)的主面的法线方向倾斜大于或等于20°的方向向半导体衬底(1)注入杂质，在激活区域形成扩散层(7)。扩散层(7)与开口(3)相比延伸至终端区域侧的绝缘膜(2)的下方。

公开(公告)号：CN118553773A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410183457.4

申请日：2024-02-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中谷贵洋 ,  西康一 ,  增冈史仁 ,  附田正则

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/29 ,  H01L21/331

Abstract: 半导体装置具备半导体基板、TEOS膜以及电极。半导体基板具有第1主面和作为第1主面的相反面的第2主面。半导体基板在沿着第2主面的法线方向观察第2主面时具有活性区域和包围活性区域的终端区域。TEOS膜配置于第2主面的处于活性区域的部分之上。

公开(公告)号：CN112038392A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010475223.9

申请日：2020-05-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 陈则 ,  增冈史仁 ,  原口友树

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 目的在于提供能够降低半导体装置的泄漏电流的技术。半导体装置具有：第4杂质层，其在末端部中的最外周的第2杂质层与第1杂质层之间，以与最外周的第2杂质层连接，但与第1杂质层分离的状态配置，第4杂质层具有第2导电型，杂质浓度比第2杂质层低；绝缘膜，其配置于末端部的至少一部分之上，在第1杂质层之上具有第1开口部；以及电极，其配置于绝缘膜之上，经由第1开口部而与第1杂质层连接。

公开(公告)号：CN107768427A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710840090.9

申请日：2013-06-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 增冈史仁 ,  中村胜光 ,  西井昭人

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。在n－型漂移层(1)的顶面设置有p型正极层(2)。在n－型漂移层(1)的底面设置有n型负极层(3)。在n－型漂移层(1)与n型负极层(3)之间设置有n型缓冲层(4)。n型缓冲层(4)的峰值浓度高于n－型漂移层(1)，低于n型负极层(3)。n－型漂移层(1)与n型缓冲层(4)的连接部分处的载流子浓度的梯度为20～2000cm-4。

公开(公告)号：CN105283962B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201380077391.0

申请日：2013-06-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 增冈史仁 ,  中村胜光 ,  西井昭人

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

Abstract: 在n－型漂移层(1)的顶面设置有p型正极层(2)。在n－型漂移层(1)的底面设置有n型负极层(3)。在n－型漂移层(1)与n型负极层(3)之间设置有n型缓冲层(4)。n型缓冲层(4)的峰值浓度高于n－型漂移层(1)，低于n型负极层(3)。n－型漂移层(1)与n型缓冲层(4)的连接部分处的载流子浓度的梯度为20～2000cm‑4。