公开(公告)号：CN104072134B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201410055715.7

申请日：2014-02-19

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01B3/448 ,  C04B35/491 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6585 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01L37/025 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318 ,  Y10T428/31938

Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜形成用组合物及其制造方法以及PZT系铁电薄膜的形成方法。该PZT系铁电薄膜形成用组合物的特征在于，组合物100质量%中的PZT前驱体的比例以氧化物换算计为17～35质量%，组合物100质量%中的二醇的比例为16～56质量%，聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体以单体换算计为0.01～0.25摩尔，水的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.5～3摩尔，其中，排除在上述组合物100质量%中以0.6～10质量%的比例进一步包含碳链为6以上12以下的直链一元醇的组合物。

公开(公告)号：CN103130502B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201110375437.X

申请日：2011-11-23

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 野口毅 ,  樱井英章 ,  藤井顺 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种能够提高寿命可靠性的铁电薄膜及使用该铁电薄膜的薄膜电容器。本发明的铁电薄膜采取如下形态，即由选自包括Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及Cs的组中的1种或2种以上元素构成的金属氧化物以某种恒定比例混合在由(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中，0.9＜x＜1.3，0≤y＜0.1，0≤z＜0.9)所示的复合金属氧化物中的混合复合金属氧化物的形态，其中，层叠2～23层的烧成层而构成，烧成层的厚度t为45～500nm，烧成层中存在的晶粒的定方向最大径的平均X为200～5000nm，烧成层均满足1.5t＜X＜23t的关系。

公开(公告)号：CN105393338A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201480041141.6

申请日：2014-08-27

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: H01L21/316 ,  C01G33/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/318

CPC classification number: H01L41/1876 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/56 ,  H01L28/75 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明提供一种膜中的各组成大致均匀，且压电特性及介电特性较高的PNbZT薄膜的制造方法。本发明的PNbZT薄膜的制造方法，其包含如下工序：准备满足组成式PbzNbxZryTi1-yO3且锆及钛的浓度比Zr/Ti不同的多种溶胶-凝胶液，其中，0＜x≤0.05、0.40≤y≤0.60及1.05≤z≤1.25；以浓度比Zr/Ti阶段性变小的方式从多种溶胶-凝胶液中选择规定的溶胶-凝胶液，在基板上将溶胶-凝胶液的涂布及临时烧结重复进行两次以上，由此在基板(12)上层叠浓度比Zr/Ti阶段性变小的两层以上的临时烧结膜(11a～11c)；及将多个临时烧结膜(11a～11c)一并烧成，由此得到单一的PNbZT薄膜(11)的工序。

公开(公告)号：CN104072135A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410057519.3

申请日：2014-02-19

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/493 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33 ,  C30B29/32

CPC classification number: B05D3/0254 ,  B05D1/38 ,  C23C14/088 ,  C23C14/5806 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L28/56 ,  Y10T428/26

Abstract: 本发明提供一种PNbZT铁电薄膜的制造方法和复合电子部件。该方法中，将用于形成不含Nb的PZT铁电薄膜的组合物涂布在形成于基板（10）的下部电极（11）上，预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而形成厚度45～90nm的结晶化促进层（12），在上述形成的结晶化促进层（12）上涂布用于形成PNbZT铁电薄膜的组合物来形成PNbZT的涂膜（13a），对该涂膜（13a）进行预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而在上述下部电极（11）上形成PNbZT铁电薄膜，其中，在所述PNbZT铁电薄膜中，与组合物中所含的钙钛矿B位原子即Zr及Ti的总计100原子%中含有4～10原子%的Nb。

公开(公告)号：CN103360065A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310098827.6

申请日：2013-03-26

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 野口毅 ,  土井利浩 ,  樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01L41/1876 ,  H01G4/018 ,  H01G4/1245 ,  H01L28/56 ,  H01L29/78391 ,  H01L37/025 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319 ,  H03H9/02031 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其制造方法，该PZT系铁电薄膜具备与以往的铁电薄膜同等的介电特性的同时具备更高寿命可靠性。本发明的PZT系铁电薄膜，其形成于具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上，其中，铁电薄膜具备：取向控制层，形成于下部电极上且择优晶体取向被控制在（111）面，层厚在45nm～270nm的范围内；及膜厚调整层，形成于取向控制层上且具有与取向控制层的晶体取向相同的晶体取向；在取向控制层与膜厚调整层之间形成界面。

公开(公告)号：CN103360043A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310088038.4

申请日：2013-03-19

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  中村贤藏 ,  五十岚和则 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01F41/22 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/1283 ,  H01F10/20 ,  H01F41/24

Abstract: 本发明提供一种能够使用溶胶-凝胶法不会产生龟裂地制作膜厚为1μm以上的厚膜的铁氧体薄膜的形成方法。本发明通过如下形成铁氧体薄膜的方法，即进行一次或多次将铁氧体薄膜形成用组合物涂布于耐热性基板上来形成涂布膜的工序及临时烧结上述涂布膜的工序，以使临时烧结后的上述基板上的膜厚成为所希望的厚度，并对形成于上述基板上的临时烧结膜进行烧成，所述形成方法的特征在于，对形成于上述基板上的临时烧结膜进行烧成的条件如下，即在大气、氧气或惰性气体气氛下，升温速度为1～50℃/分钟，保持温度为500～800℃，保持时间为30～120分钟。

公开(公告)号：CN103359786A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310085420.X

申请日：2013-03-18

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 野口毅 ,  土井利浩 ,  樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC: C01G25/00 ,  C04B35/622 ,  C04B35/491

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/306 ,  H01G4/33 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/29 ,  H01L41/318 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其制造方法，该PZT系铁电薄膜具备与以往的铁电薄膜同等的介电特性的同时具备更高的寿命可靠性。本发明的PZT系铁电薄膜，其形成于具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上，其中，PZT铁电薄膜具备：取向控制层，形成于下部电极上且择优晶体取向被控制在（100）面，层厚在45nm～150nm的范围内；及膜厚调整层，形成于取向控制层上且具有与取向控制层的晶体取向相同的晶体取向；在取向控制层与膜厚调整层之间形成界面。

公开(公告)号：CN103198923A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210001807.8

申请日：2012-01-05

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明的薄膜电容器的制造方法，抑制薄膜电容器中成为各种特性下降的原因的小丘，并制造泄漏电流特性及绝缘耐压特性优异的薄膜电容器。本发明的薄膜电容器的制造方法中，形成下部电极之后，不进行高于300℃的温度的退火处理而将薄膜形成前躯体溶液涂布于下部电极上，以室温～450℃范围内的预定温度进行干燥，以高于干燥温度的450～800℃范围内的预定温度进行烧成，从涂布至烧成的工序中，进行1次或2次以上从涂布至烧成的工序，或者进行2次以上从涂布至干燥的工序之后，进行1次烧成，初次烧成后形成的介电薄膜的厚度设为20～600nm。优选下部电极的厚度与初次烧成后形成的介电薄膜的厚度之比(下部电极的厚度/介电薄膜的厚度)设为0.10～15.0的范围。

公开(公告)号：CN103177797A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210552098.2

申请日：2012-12-18

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  意法半导体公司

Inventor： 渡边敏昭 ,  樱井英章 ,  曽山信幸 ,  纪尧姆·盖冈

IPC: H01B3/02 ,  H01B19/00

CPC classification number: C09D5/00 ,  H01B3/10 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供了一种混合的复合金属氧化物形式的用于形成薄膜的液体组合物，其中，所述复合金属氧化物由包含铜(Cu)的复合氧化物B和包含锰(Mn)的复合氧化物C混合到由通式Ba1-xSrxTiyO3表示的复合金属氧化物A中而形成，其中，复合氧化物B与复合金属氧化物A的摩尔比B/A在0.002＜B/A＜0.05的范围内，且复合氧化物C与复合金属氧化物A的摩尔比C/A在0.002＜C/A＜0.03的范围内。

公开(公告)号：CN106007710B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201610173372.3

申请日：2016-03-24

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 樱井英章 ,  藤井顺 ,  曽山信幸

IPC: H01L41/43 ,  C04B35/491

Abstract: 本发明提供一种寿命可靠性优异的铁电膜及其制造方法。本发明的铁电膜由多个烧成膜构成，所述铁电膜由含有Pb、Zr及Ti的钙钛矿结构的金属氧化物构成，Li、Na及K的总含量为3质量ppm以下，构成所述多个烧成膜的各烧成膜的一面中的Li、Na及K的总含量为另一面中的Li、Na及K的总含量的5倍以上。