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公开(公告)号：CN105097635A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510626723.7
申请日：2015-09-28
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种静电吸盘、对晶圆进行吸附的方法，本发明在静电吸盘顶部的绝缘层中设置了多对正电极和负电极，通过设置探测部件来探测晶圆的弯曲位置和弯曲程度，并将探测结果发送给控制部件，控制部件根据该探测结果来控制每一对正电极和负电极之间的电压分布，从而使得静电吸盘产生与晶圆的弯曲位置和弯曲程度相匹配的静电吸力分布，使得整个晶圆与绝缘材料接触均匀，减小晶圆背面和静电吸盘表面材料摩擦，避免晶圆发生跳片问题，提高晶圆产品质量和静电吸盘的寿命。
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公开(公告)号：CN103602952A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310565737.3
申请日：2013-11-13
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种真空溅射设备，通过在所述背板边缘设置硬度比所述陶瓷环低的缓冲件，所述缓冲件的下端固定设置在所述溅射腔安装板上，上端设置在所述陶瓷环上表面和背板下表面之间，使得背板下表面在磨损陶瓷环上表面之前先接触缓冲件顶面，从而保护了陶瓷环，保证了设备密封型，同时节省了现有技术中特氟龙螺钉设置在背板上时对每一块靶材进行额外加工的成本，又避免了现有技术中在背板和陶瓷环之间放置特氟龙垫圈时对垫圈加工精度的要求。
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公开(公告)号：CN102912311A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210375755.0
申请日：2012-10-08
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备金属掩模版氮化钛的磁控溅射腔体的真空系统。本发明提出一种制备金属掩模版氮化钛的磁控溅射腔体的真空系统，通过在现有技术中反应腔室外接的低温泵上并联一个分子泵，以满足进行溅射工艺时，预抽真空阶段和工艺阶段时对反应腔室内的压力及气体流量的不同要求，同时又使得低温泵和真空泵均工作在其额定的范围内，以便应用于量产。
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公开(公告)号：CN102709180A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210158827.6
申请日：2012-05-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/3205
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路的制造领域，尤其涉及一种铝薄膜的制备工艺。本发明提出一种铝薄膜的制备工艺，通过优化铝薄膜的沉积条件，改善了铝颗粒的成长过程，从而有效的减少晶须缺陷的产生，进而提高产品的良率。
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公开(公告)号：CN102446841A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110347738.1
申请日：2011-11-07
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种低应力金属硬掩膜层的制备方法。本发明一种低应力金属硬掩膜层的制备方法，通过增加反应腔体内通入的氮气和氩气气流量，增大反应腔体内的压力，和在氮化钛金属硬掩膜层生长过程中进行加热，相当于采用退火工艺，从而于整体上有效的降低了氮化钛金属硬掩膜层的应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102435155A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110379525.7
申请日：2011-11-24
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G01B15/02
Abstract: 本发明提出一种薄膜厚度量测方法，应用于半导体制造领域，包括下列步骤：提供设定波长的X射线；将所述X射线以设定角度入射所述薄膜；对所述薄膜进行连续角度扫描，产生衍射峰，并得到薄膜衍射图谱；根据布拉格衍射公式计算所述薄膜厚度。本发明提出的薄膜厚度的量测方法，采用小角度X射线衍射，能够通过简单的计算公式得出薄膜厚度。
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公开(公告)号：CN116904945A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311100788.9
申请日：2023-08-29
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法及传送装置、存储介质，晶圆传送方法应用于晶圆传送装置，晶圆传送装置包括机械手，机械手具有中心线；晶圆传送方法包括：控制机械手夹持第一晶圆和第二晶圆，并使第一晶圆和第二晶圆各自到机械手的中心线的距离相同，且第一晶圆和第二晶圆在平行中心线的方向上的位置不同；控制机械手驱使第一晶圆和第二晶圆均围绕中心线转动，并使第一晶圆和第二晶圆在平行中心线的方向上无交叠。本发明通过控制使机械手夹持的两片晶圆在平行机械手中心线的方向上无交叠，来避免其中一片晶圆的夹持结构掉落颗粒物到另一片晶圆的表面，以保证晶圆的洁净度。
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公开(公告)号：CN102446841B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110347738.1
申请日：2011-11-07
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种低应力金属硬掩膜层的制备方法。本发明一种低应力金属硬掩膜层的制备方法，通过增加反应腔体内通入的氮气和氩气气流量，增大反应腔体内的压力，和在氮化钛金属硬掩膜层生长过程中进行加热，相当于采用退火工艺，从而于整体上有效的降低了氮化钛金属硬掩膜层的应力。
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公开(公告)号：CN105097634A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510459282.6
申请日：2015-07-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/6833
Abstract: 本发明公开了一种静电吸盘吸力分布的调控装置及方法，包括晶圆弯曲度预测模块、静电吸力分布模块以及静电吸盘作业模块；其中，晶圆弯曲度预测模块用于测定晶圆的弯曲度,并将测定的弯曲度值反馈至静电吸力分布模块；静电吸力分布模块用于对晶圆的弯曲度值进行分析，并向静电吸盘作业模块发送吸力分布信息指令；静电吸盘作业模块用于调节静电吸盘对晶圆的吸力分布。本发明解决了现有工艺过程中由于静电吸盘静电吸力不均匀导致晶圆产生形变的问题，可以合理控制在工艺过程中静电吸盘的静电吸力，保证在工艺过程中可以保持晶圆刚好被静电吸盘所吸附同时不产生形变，提高了晶圆产品质量，延长了静电吸盘寿命。
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公开(公告)号：CN103602952B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310565737.3
申请日：2013-11-13
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种真空溅射设备，通过在所述背板边缘设置硬度比所述陶瓷环低的缓冲件，所述缓冲件的下端固定设置在所述溅射腔安装板上，上端设置在所述陶瓷环上表面和背板下表面之间，使得背板下表面在磨损陶瓷环上表面之前先接触缓冲件顶面，从而保护了陶瓷环，保证了设备密封型，同时节省了现有技术中特氟龙螺钉设置在背板上时对每一块靶材进行额外加工的成本，又避免了现有技术中在背板和陶瓷环之间放置特氟龙垫圈时对垫圈加工精度的要求。
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