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公开(公告)号：CN118116837A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311570361.5
申请日：2023-11-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供能够抑制颗粒向基片的附着的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括承载器载置台、基片载置台、单片处理部、第一输送部、基片组载置台、第二输送部、批量处理部和控制部。承载器载置台载置收纳有多个基片的承载器。基片载置台能够载置多个基片。单片处理部逐一地清洗基片。第一输送部在基片载置台与单片处理部之间逐一地输送基片。基片组载置台能够载置包含多个基片的基片组。第二输送部在承载器、基片载置台和基片组载置台之间输送多个基片。批量处理部对基片组一并进行处理。控制部在利用批量处理部处理基片组之前，利用单片处理部清洗基片，使第一输送部和第二输送部从单片处理部经由基片载置台向基片组载置台输送基片。
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公开(公告)号：CN115461844A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180026454.4
申请日：2021-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明的基片处理装置(1、1A～1C)包括处理槽(11)、第一喷嘴(30)、第二喷嘴(40、40B)和流量控制部(5)。处理槽(11)使多个基片(W)浸渍在处理液中而对其进行处理。第一喷嘴(30)在处理槽(11)的内部配置于比多个基片(W)靠下方的位置，将进行了温度调节的处理液供给到处理槽(11)。第二喷嘴(40、40B)在处理槽(11)的内部配置于比第一喷嘴(30)靠上方的位置，将进行了温度调节的处理液供给到处理槽(11)。流量控制部(5)在第一位置处的处理液的温度与第二位置处的处理液的温度之差超过了阈值的情况下，使从第二喷嘴(40、40B)供给的进行了温度调节的处理液的流量增加，其中，第一位置比多个基片(W)靠下方，第二位置比将多个基片(W)上下分割的假想的中心线靠上方。
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公开(公告)号：CN111524808B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010079765.4
申请日：2020-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种即使为高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够得到氧化硅膜的良好的图案形状的基板处理方法和基板处理装置，本公开的一个方式的基板处理方法包括第一蚀刻工序、加工工序以及第二蚀刻工序。第一蚀刻工序通过蚀刻液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻。加工工序在第一蚀刻工序之后通过图案形状加工液对在基板中由氧化硅膜形成的图案进行加工。第二蚀刻工序在加工工序之后通过蚀刻液对基板进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN111415883B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201911375970.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 百武宏展
Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置包括：处理部，其用于利用循环的处理液对基片实施处理，处理液的流路中包含含金属材料；处理控制部，其控制处理部以将基片送入处理用的区域而使其暴露于处理液；和吸附控制部，其控制处理部以将吸附处理液中的金属成分的吸附部件送入处理用的区域而使其暴露于处理液。本发明对抑制从含金属材料析出的金属成分附着到基片的附着量是有效的。
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公开(公告)号：CN110010520B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201811464878.5
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/30
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。抑制基板从支承槽脱落。实施方式的基板处理装置具备基板保持部和处理槽。基板保持部保持多个基板。处理槽积存处理液。另外，基板保持部具备支承体、升降机构以及限制部。支承体具有多个支承槽，从下方将立起状态的多个基板分别支承于多个支承槽中。升降机构使支承体在处理槽的上方的待机位置与处理槽的内部的处理位置之间升降。限制部与支承体一起利用升降机构升降，限制基板相对于支承体向上方移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115132612A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210266357.9
申请日：2022-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质，能够抑制用于清洗基板的清洗液的消耗量。基板处理装置具备：第一清洗部，其构成为利用清洗液对被处理液进行了处理的基板进行清洗；贮存部，其构成为贮存排出液，所述排出液是从第一清洗部排出的清洗液；第一电阻率计，其设置于贮存部，所述第一电阻率计构成为测量贮存部中贮存的排出液的电阻率值；第一供给部，其构成为将贮存部中贮存的排出液供给至第一清洗部；以及控制部。控制部构成为：在由第一电阻率计测量出的排出液的电阻率值为第一设定值以上的情况下，所述控制部控制第一供给部来执行将排出液从贮存部供给至第一清洗部的处理。
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公开(公告)号：CN111524808A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010079765.4
申请日：2020-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种即使为高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够得到氧化硅膜的良好的图案形状的基板处理方法和基板处理装置，本公开的一个方式的基板处理方法包括第一蚀刻工序、加工工序以及第二蚀刻工序。第一蚀刻工序通过蚀刻液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻。加工工序在第一蚀刻工序之后通过图案形状加工液对在基板中由氧化硅膜形成的图案进行加工。第二蚀刻工序在加工工序之后通过蚀刻液对基板进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN110556294B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910470720.7
申请日：2019-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质，在浸渍蚀刻工艺中在适当的定时变更处理参数。基板液处理方法包括以下工序：通过使基板(8)浸在处理液中来对基板(8)进行处理；探测使对基板(8)进行处理的工序的处理条件变更的变换点；以及在探测到变换点的情况下，变更处理条件。
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公开(公告)号：CN115440581A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210545568.6
申请日：2022-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 百武宏展
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够容易地维持处理液中包含的蒸发成分的浓度的基片处理方法和基片处理装置。本发明的基片处理方法是通过使基片浸渍在含有蒸发成分的处理液中而对上述基片进行处理的基片处理方法，包括定期补充步骤、测量步骤和反馈补充步骤。定期补充步骤以第一补充量和第一时间间隔补充蒸发成分，以使得处理液中的蒸发成分的浓度处于容许范围内。测量步骤测量浓度。反馈补充步骤以第二时间间隔执行由测量步骤测量出的浓度是否低于阈值的判断，在判断为浓度低于阈值的情况下，以第二补充量补充蒸发成分。此外，本发明的基片处理方法并行地执行定期补充步骤和反馈补充步骤。
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公开(公告)号：CN111180330A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911089883.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种即使是高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够高精度地蚀刻氮化硅膜的基板处理方法、基板处理装置以及存储介质。本公开的一个方式的基板处理方法包括通过磷酸处理液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻的蚀刻工序。在蚀刻工序中，在从开始时间点起到经过第一时间间隔为止的期间，使磷酸处理液中的硅浓度为蚀刻氧化硅膜的第一硅浓度。
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