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公开(公告)号：CN109686681B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201811222568.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备处理部和控制部。处理部使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的处理液中来进行蚀刻处理。控制部以如下方式控制处理液，该方式是：在蚀刻处理的第一处理时间，利用第一磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理，在第一处理时间之后的第二处理时间，利用比第一磷酸浓度低的第二规定磷酸浓度及比第一硅浓度低的第二规定硅浓度的处理液或者第二规定磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理。
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公开(公告)号：CN109698143A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811219721.6
申请日：2018-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽和控制部。基片处理槽通过将基片浸渍在磷酸处理液中，来进行蚀刻处理。控制部随着蚀刻处理的进展，控制用于对磷酸处理液进行温度调节的温度调节部，来降低磷酸处理液的温度。本发明能够抑制硅氧化物析出。
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公开(公告)号：CN109585337B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201811139670.6
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备SiO2析出防止剂供给部和控制部。SiO2析出防止剂供给部供给要混合到在基板处理槽中进行蚀刻处理的磷酸处理液中的SiO2析出防止剂。控制部基于磷酸处理液的温度来设定磷酸处理液中含有的SiO2析出防止剂的浓度，并且控制SiO2析出防止剂的供给量，使得成为所设定的SiO2析出防止剂的浓度。
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公开(公告)号：CN109585334B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201811136956.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，该基板处理装置和基板处理方法提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO2析出防止剂供给部以及混合部。磷酸处理液供给部供给在基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液。循环路径用于使被供给到基板处理槽中的磷酸处理液循环。SiO2析出防止剂供给部向循环路径供给SiO2析出防止剂。混合部将含硅化合物混合到供给至循环路径之前的磷酸处理液中。
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公开(公告)号：CN109585334A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811136956.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，该基板处理装置和基板处理方法提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO2析出防止剂供给部以及混合部。磷酸处理液供给部供给在基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液。循环路径用于使被供给到基板处理槽中的磷酸处理液循环。SiO2析出防止剂供给部向循环路径供给SiO2析出防止剂。混合部将含硅化合物混合到供给至循环路径之前的磷酸处理液中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115132612A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210266357.9
申请日：2022-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质，能够抑制用于清洗基板的清洗液的消耗量。基板处理装置具备：第一清洗部，其构成为利用清洗液对被处理液进行了处理的基板进行清洗；贮存部，其构成为贮存排出液，所述排出液是从第一清洗部排出的清洗液；第一电阻率计，其设置于贮存部，所述第一电阻率计构成为测量贮存部中贮存的排出液的电阻率值；第一供给部，其构成为将贮存部中贮存的排出液供给至第一清洗部；以及控制部。控制部构成为：在由第一电阻率计测量出的排出液的电阻率值为第一设定值以上的情况下，所述控制部控制第一供给部来执行将排出液从贮存部供给至第一清洗部的处理。
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公开(公告)号：CN109698143B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201811219721.6
申请日：2018-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽和控制部。基片处理槽通过将基片浸渍在磷酸处理液中，来进行蚀刻处理。控制部随着蚀刻处理的进展，控制用于对磷酸处理液进行温度调节的温度调节部，来降低磷酸处理液的温度。本发明能够抑制硅氧化物析出。
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公开(公告)号：CN109686681A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811222568.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备处理部和控制部。处理部使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的处理液中来进行蚀刻处理。控制部以如下方式控制处理液，该方式是：在蚀刻处理的第一处理时间，利用第一磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理，在第一处理时间之后的第二处理时间，利用比第一磷酸浓度低的第二规定磷酸浓度及比第一硅浓度低的第二规定硅浓度的处理液或者第二规定磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理。
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公开(公告)号：CN109585337A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811139670.6
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备SiO2析出防止剂供给部和控制部。SiO2析出防止剂供给部供给要混合到在基板处理槽中进行蚀刻处理的磷酸处理液中的SiO2析出防止剂。控制部基于磷酸处理液的温度来设定磷酸处理液中含有的SiO2析出防止剂的浓度，并且控制SiO2析出防止剂的供给量，使得成为所设定的SiO2析出防止剂的浓度。
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公开(公告)号：CN208938930U
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201821587754.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型提供一种基板处理装置，该基板处理装置提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO2析出防止剂供给部以及混合部。磷酸处理液供给部供给在基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液。循环路径用于使被供给到基板处理槽中的磷酸处理液循环。SiO2析出防止剂供给部向循环路径供给SiO2析出防止剂。混合部将含硅化合物混合到供给至循环路径之前的磷酸处理液中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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