公开(公告)号：CN108242392B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201711435797.8

申请日：2017-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香川興司 ,  米泽周平 ,  土桥和也 ,  高岛敏英 ,  天井胜

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种能够将硼单膜从基板适当地去除的基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法。在实施方式所涉及的基板处理方法中，通过使将硝酸、比硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与在包含硅系膜的膜上形成有硼单膜的基板接触，来将硼单膜从基板去除。

公开(公告)号：CN108242392A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711435797.8

申请日：2017-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香川興司 ,  米泽周平 ,  土桥和也 ,  高岛敏英 ,  天井胜

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3085 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/6708

Abstract: 提供一种能够将硼单膜从基板适当地去除的基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法。在实施方式所涉及的基板处理方法中，通过使将硝酸、比硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与在包含硅系膜的膜上形成有硼单膜的基板接触，来将硼单膜从基板去除。

公开(公告)号：CN115132612A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210266357.9

申请日：2022-03-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大野宏树 ,  高岛敏英 ,  百武宏展 ,  木村裕二 ,  甲斐义广 ,  森永翔

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质，能够抑制用于清洗基板的清洗液的消耗量。基板处理装置具备：第一清洗部，其构成为利用清洗液对被处理液进行了处理的基板进行清洗；贮存部，其构成为贮存排出液，所述排出液是从第一清洗部排出的清洗液；第一电阻率计，其设置于贮存部，所述第一电阻率计构成为测量贮存部中贮存的排出液的电阻率值；第一供给部，其构成为将贮存部中贮存的排出液供给至第一清洗部；以及控制部。控制部构成为：在由第一电阻率计测量出的排出液的电阻率值为第一设定值以上的情况下，所述控制部控制第一供给部来执行将排出液从贮存部供给至第一清洗部的处理。