基板待机部、基板处理系统以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN120015651A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202411556934.3

    申请日:2024-11-04

    Abstract: 本公开提供一种基板待机部、基板处理系统以及基板处理方法,能够提高生产能力。基板待机部使在上表面和下表面附着有第一液膜的基板等待,所述基板待机部具备:处理液供给部,其对所述基板的上表面供给处理液;质量测定部,其测定所述基板的质量;第一摄像部,其获取所述基板的上表面的图像即上表面图像;以及控制部,其中,所述控制部进行以下控制:使所述处理液供给部对所述基板的所述上表面供给第一量的所述处理液来形成第二液膜;基于由所述质量测定部测定的所述基板的质量来计算所述第二液膜的质量;使所述第一摄像部获取所述上表面图像;以及在所述第二液膜的质量为第一阈值以上的情况下,基于所述上表面图像来判定所述第二液膜的状态。

    基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质

    公开(公告)号:CN115132612A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210266357.9

    申请日:2022-03-17

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质,能够抑制用于清洗基板的清洗液的消耗量。基板处理装置具备:第一清洗部,其构成为利用清洗液对被处理液进行了处理的基板进行清洗;贮存部,其构成为贮存排出液,所述排出液是从第一清洗部排出的清洗液;第一电阻率计,其设置于贮存部,所述第一电阻率计构成为测量贮存部中贮存的排出液的电阻率值;第一供给部,其构成为将贮存部中贮存的排出液供给至第一清洗部;以及控制部。控制部构成为:在由第一电阻率计测量出的排出液的电阻率值为第一设定值以上的情况下,所述控制部控制第一供给部来执行将排出液从贮存部供给至第一清洗部的处理。

    基板处理装置
    3.
    发明公开
    基板处理装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN111430270A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN202010036337.3

    申请日:2020-01-10

    Abstract: 本发明提供一种能够在处理槽内形成适当的液流的基板处理装置。本公开的基板处理装置包括处理槽和流体供给部。处理槽通过使排列的多个基板浸渍于处理液而对该多个基板进行处理。流体供给部在处理槽的内部配置于比多个基板靠下方的位置,通过喷出流体从而在处理槽的内部产生处理液的液流。另外,流体供给部具有向在多个基板的排列方向上的不同的区域喷出流体的多个喷出路径。

    基片处理装置
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216597515U

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202122711450.X

    申请日:2021-11-08

    Abstract: 本实用新型提供一种基片处理装置,使在基片形成的孔的在深度方向上的蚀刻量的均匀性提高。本实用新型的一个方式的基片处理装置包括处理槽、外槽、第一气体供给部和第二气体供给部。处理槽将基片浸渍于处理液中。外槽包围处理槽的周围,接受从处理槽溢出的处理液。第一气体供给部对储存在处理槽内的处理液供给不活泼性气体。第二气体供给部从配置于外槽的内侧的开口部向外槽内供给不活泼性气体。

    基板处理装置
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN211404461U

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202020051084.2

    申请日:2020-01-10

    Abstract: 本实用新型提供一种能够在处理槽内形成适当的液流的基板处理装置。本实用新型的基板处理装置包括处理槽和流体供给部。处理槽通过使排列的多个基板浸渍于处理液而对该多个基板进行处理。流体供给部在处理槽的内部配置于比多个基板靠下方的位置,通过喷出流体从而在处理槽的内部产生处理液的液流。另外,流体供给部具有向在多个基板的排列方向上的不同的区域喷出流体的多个喷出路径。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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