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公开(公告)号：CN106769994B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201710038642.4
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/3581 , G01N21/3563
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹亚波长分辨成像装置。本发明针对现有技术存在的问题，提供一种太赫兹波近场探测亚波长分辨成像装置，将太赫兹波近场成像的空间分辨率提高到优于0.02λ量级，提高近场成像质量，拓展太赫兹近场成像技术的应用领域。该成像装置包括控制电脑，0.15‑0.5THz可调频太赫兹固态倍频源，离轴抛物面镜，PE聚焦镜，聚四氟乙烯样品池，PET保护片，线列太赫兹探测器，聚氨酯吸收层，前置放大器及读出电路，AD转换器等部分。本发明应用于太赫兹成像技术领域。
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公开(公告)号：CN106048527B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610405808.7
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备柔性热敏薄膜的方法，该方法以MnCO3、Co2O3、Ni2O3粉末为原料经研磨、过筛、合成、细磨、预压成型、在富氧氛围下烧结成陶瓷靶材，然后以聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺薄片为衬底片，采用射频磁控溅射方法室温下溅射沉积MCNO薄膜。本发明优点在于：1.在室温下完成溅射沉积，实现在聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺等有机柔性衬底上沉积MCNO热敏薄膜。2.该方法制备的MCNO薄膜电阻率低，而负温度电阻系数高，有利提高器件的响应率和降低器件噪声。3.常温下制备，无需高温热处理，耗能低、节能环保。4.溅射沉积温度低，易于与Si基半导体工艺兼容，可以实现在Si基读出电路芯片上直接制备热敏元件，大大降低制作热敏型非制冷红外焦平面阵列成本。
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公开(公告)号：CN106395728A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610893671.4
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: B81B1/00 , B81C1/00476 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器件及其制备方法。探测器的微桥结构为一平台，将锰钴镍氧薄膜材料沉积在该平台上制作红外探测器，其微桥结构的牺牲层采取直接加热的方式去除，而无需在锰钴镍氧探测元上再沉积一层钝化层，且牺牲层可以在内部形成拱形的支撑结构，也简化了制作流程，节约了成本，提高了器件之作的成功率，同时由于其平台结构强度较高，在红外器件的诸如涂黑漆、封装等步骤中不易受损。
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公开(公告)号：CN106374323B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201611055844.1
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开一种激光上转化太赫兹差频源探测系统，该系统基于非线性光学激光上转化的原理，在非线性晶体中对目前已有的太赫兹脉冲差频信号进行上转化探测，依据高灵敏度近红外探测器以及窄带滤光片技术，实现太赫兹的近红外光探测，最终实现太赫兹波的室温高速实时探测。该系统，解决目前太赫兹差频源低温探测局限，具有测量速度快，室温探测，体积小，结构紧凑，信噪比高等优点，便于进行实时脉冲信号探测。
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公开(公告)号：CN106784126A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710038641.X
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/115
CPC classification number: H01L31/115
Abstract: 本发明公开一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件，该器件由半导体衬底上依次生长半导体外延层，钝化保护层和正负电极金属层构成。该器件基于电磁诱导势阱、远禁带下室温光电导机制，选用适宜参数(载流子浓度，迁移率等)的半导体材料，通过理论分析，设计合理的器件尺寸，通过前放电路对光电信号进行放大读出，实现高速光信号到电信号转换及探测。具有可室温工作，远小于半导体禁带下产生较强光电导，灵敏度高，响应迅速，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106374323A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201611055844.1
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S1/02
CPC classification number: H01S1/02
Abstract: 本发明公开一种激光上转化太赫兹差频源探测系统，该系统基于非线性光学激光上转化的原理，在非线性晶体中对目前已有的太赫兹脉冲差频信号进行上转化探测，依据高灵敏度近红外探测器以及窄带滤光片技术，实现太赫兹的近红外光探测，最终实现太赫兹波的室温高速实时探测。该系统，解决目前太赫兹差频源低温探测局限，具有测量速度快，室温探测，体积小，结构紧凑，信噪比高等优点，便于进行实时脉冲信号探测。
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公开(公告)号：CN106048527A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610405808.7
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备柔性热敏薄膜的方法，该方法以MnCO3、Co2O3、Ni2O3粉末为原料经研磨、过筛、合成、细磨、预压成型、在富氧氛围下烧结成陶瓷靶材，然后以聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺薄片为衬底片，采用射频磁控溅射方法室温下溅射沉积MCNO薄膜。本发明优点在于：1.在室温下完成溅射沉积，实现在聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺等有机柔性衬底上沉积MCNO热敏薄膜。2.该方法制备的MCNO薄膜电阻率低，而负温度电阻系数高，有利提高器件的响应率和降低器件噪声。3.常温下制备，无需高温热处理，耗能低、节能环保。4.溅射沉积温度低，易于与Si基半导体工艺兼容，可以实现在Si基读出电路芯片上直接制备热敏元件，大大降低制作热敏型非制冷红外焦平面阵列成本。
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公开(公告)号：CN206412375U
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201720067353.2
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/115
Abstract: 本专利公开一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件，该器件由半导体衬底上依次生长半导体外延层，钝化保护层和正负电极金属层构成。该器件基于电磁诱导势阱、远禁带下室温光电导机制，选用适宜参数(载流子浓度，迁移率等)的半导体材料，通过理论分析，设计合理的器件尺寸，通过前放电路对光电信号进行放大读出，实现高速光信号到电信号转换及探测。具有可室温工作，远小于半导体禁带下产生较强光电导，灵敏度高，响应迅速，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点。
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公开(公告)号：CN206283093U
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201621276323.4
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开一种种子光注入高功率太赫兹差频源系统，该系统包括1064nm脉冲激光器、光学参量振荡器、种子太赫兹激光器、光束延迟线、光学元器件(半波片、偏振分光棱镜、太赫兹合束镜)、硒化镓晶体和太赫兹透镜。该专利基于种子光注入放大原理，首先利用两束高功率近红外泵浦光源(1064nm激光器和光学参量振荡器)在硒化镓晶体中实现常规太赫兹波差频辐射，然后在此光路中注入种子太赫兹实现高功率、极窄线宽的太赫兹辐射。本专利具有结构简单，工作可靠，便于操作，相干性好，室温工作，并且能够增强辐射功率、极窄线宽、宽带、可调谐等优点。
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公开(公告)号：CN206283088U
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201621276324.9
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本专利公开一种激光上转化太赫兹差频源探测系统，该系统基于非线性光学激光上转化的原理，在非线性晶体中对目前已有的太赫兹脉冲差频信号进行上转化探测，依据高灵敏度近红外探测器以及窄带滤光片技术，实现太赫兹的近红外光探测，最终实现太赫兹波的室温高速实时探测。该系统，解决目前太赫兹差频源低温探测局限，具有测量速度快，室温探测，体积小，结构紧凑，信噪比高等优点，便于进行实时脉冲信号探测。
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