公开(公告)号：CN1620730A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN02828201.9

申请日：2002-12-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  原田真 ,  弘津研一 ,  初川聪 ,  星野孝志 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明涉及横型接合型场效应晶体管及其制造方法。采用本横型接合型场效应晶体管后，在第3半导体层(13)中的源/漏区层(6、8)之间，跨越第2半导体层(12)及第3半导体层(13)，设置下面延伸到第2半导体层(12)、包含p型杂质的浓度高于第2半导体层的杂质浓度的第1栅电极层(18A)。另外，设置与第1栅电极层(18A)具有大致相同的杂质浓度，而且具有相同电位的第2栅电极层(18B)。其结果，可以提供具有在维持良好的耐压性的同时，还可以降低ON电阻的结构的横型接合型场效应晶体管。

公开(公告)号：CN1415118A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN00817993.X

申请日：2000-07-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一 ,  松波宏之 ,  木本恒畅

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H02M7/537

CPC classification number: H02M7/515 ,  H01L27/098 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/808 ,  Y02B70/1483

Abstract: 一种采用FET结构变换器件的逆变器，其特征在于，所述变换器件S1－S6是由SiC(碳化硅)－JFET形成的，其中该逆变器可以实现开关频率高而损耗小。

公开(公告)号：CN103534792A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280023671.9

申请日：2012-05-04

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 旦野克典 ,  斋藤广明 ,  关章宪 ,  木本恒畅

IPC: H01L21/322 ,  H01L29/872 ,  H01L29/868 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L29/16

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在SiC衬底上形成SiC外延层；向所述外延层注入离子；形成吸杂层，所述吸杂层具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度；以及对所述外延层进行热处理。所述半导体器件包括：SiC衬底；SiC外延层，其形成在所述SiC衬底上；以及吸杂层，其具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度。

公开(公告)号：CN102224592A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200980146754.5

申请日：2009-11-19

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤广明 ,  关章宪 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/046 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种p型SiC半导体，其包括含有作为杂质的Al和Ti的SiC晶体，其中Ti的原子数目浓度等于或小于Al的原子数目浓度。优选Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：(Al的浓度)＞5×1018/cm3；以及0.01％≤(Ti的浓度)/(Al的浓度)≤20％。更优选Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：(Al的浓度)≥5×1018/cm3；以及1×1017/cm3≤(Ti的浓度)≤1×1018/cm3。

公开(公告)号：CN1950548A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580015054.4

申请日：2005-05-13

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  六方有限公司

Inventor： 木本恒畅 ,  盐见弘 ,  齐藤广明

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C23C16/32

CPC classification number: C23C16/325

Abstract: 本发明提供一种可以以实用的生长速度生长可以用作半导体材料的低缺陷、低杂质的SiC单晶的4H－SiC单晶外延生长方法以及由该得到的4H－SiC单晶。本发明的方法包括在使4H－SiC单晶衬底的外延生长面相对于4H－SiC单晶的(0001)面在 轴方向上以至少12度且低于30度的偏角倾斜的同时通过外延生长在所述衬底上生长4H－SiC单晶。

公开(公告)号：CN103534792B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201280023671.9

申请日：2012-05-04

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 旦野克典 ,  斋藤广明 ,  关章宪 ,  木本恒畅

IPC: H01L21/322 ,  H01L29/872 ,  H01L29/868 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L29/16

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在SiC衬底上形成SiC外延层；向所述外延层注入离子；形成吸杂层，所述吸杂层具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度；以及对所述外延层进行热处理。所述半导体器件包括：SiC衬底；SiC外延层，其形成在所述SiC衬底上；以及吸杂层，其具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度。

公开(公告)号：CN102224592B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200980146754.5

申请日：2009-11-19

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤广明 ,  关章宪 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/046 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种p型SiC半导体，其包括含有作为杂质的Al和Ti的SiC晶体，其中Ti的原子数目浓度等于或小于Al的原子数目浓度。优选Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：(Al的浓度)＞5×1018/cm3；以及0.01％≤(Ti的浓度)/(Al的浓度)≤20％。更优选Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：(Al的浓度)≥5×1018/cm3；以及1×1017/cm3≤(Ti的浓度)≤1×1018/cm3。