公开(公告)号：CN103828027A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280046517.3

申请日：2012-10-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信

IPC: H01L21/304 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明公开了一种制造碳化硅衬底的方法，所述方法包括：准备由单晶碳化硅构成的锭的步骤；通过对所述锭进行切片而得到碳化硅衬底(10)的步骤；以及对所述碳化硅衬底(10)的表面进行研磨的步骤。在所述得到衬底(10)的步骤中，以使得在其中在{0001}面上的正交投影中相对于 方向或 方向形成的角为15±5°的方向上进行切割的方式对所述锭(1)进行切片。在所述对所述衬底(10)的表面进行研磨的步骤中，在所述衬底(10)的至少一个主表面(10A、10B)的整个表面与研磨表面(30A、40A)接触的同时，对所述衬底(10)的所述至少一个主表面(10A、10B)进行研磨。

公开(公告)号：CN102422387A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020518.1

申请日：2010-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  藤原伸介 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 一种碳化硅衬底(1)，其能够使包括碳化硅衬底的半导体器件制造成本降低，该碳化硅衬底(1)包括：由碳化硅构成的基底衬底(10)，以及由与基底衬底(10)不同的单晶碳化硅构成的且布置在基底衬底(10)上并与之接触的SiC层(20)。由此，碳化硅衬底1是能够有效使用碳化硅单晶的碳化硅衬底。

公开(公告)号：CN102414349A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019023.7

申请日：2010-11-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真

IPC: C30B23/08 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/025

Abstract: 本发明提供一种制造单晶的方法，所述方法包括：准备具有前表面和背表面的晶种(11)；提高所述晶种(11)的所述背表面的表面粗糙度；在所述晶种(11)的所述背表面上形成含碳的涂膜；在所述涂膜与支持台(41)之间具有胶粘剂的情况下使所述涂膜与支持台(41)相互接触；将所述胶粘剂固化以将所述晶种(11)固定到所述支持台(41)上；在所述晶种(11)上生长单晶(52)；其中在实施所述生长之前，通过对所述涂膜进行碳化来形成碳膜(22)。

公开(公告)号：CN102388434A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080016149.9

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L29/1608

Abstract: 加热多个碳化硅衬底(10)和支撑部(30)。将第一辐射平面(RP1)的温度设定成第一温度，在垂直于一个平面(PL1)并且远离所述支撑部(30)的方向上从所述多个碳化硅衬底(10)延伸的第一空间中，所述第一辐射平面(RP1)面对所述多个碳化硅衬底(10)。将第二辐射平面(RP2)的温度设定成高于所述第一温度的第二温度，在垂直于一个平面(PL1)并且远离所述多个碳化硅衬底(10)的方向上从所述支撑部(30)延伸的第二空间中，所述第二辐射平面(PR2)面对所述支撑部(30)。将第三辐射平面(RP3)的温度设定成低于所述第二温度的第三温度，沿着一个平面(PL1)从所述多个碳化硅衬底(10)之间的间隙(GP)延伸的第三空间中，所述第三辐射平面(RP3)面对所述多个碳化硅衬底(10)。

公开(公告)号：CN102171787A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201080002811.5

申请日：2010-02-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  增田健良

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B29/36 ,  H01L23/544 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T83/04 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种SiC衬底，其具有与 方向平行的第一取向平面(12)和第二取向平面(13)，所述第二取向平面(13)处于与所述第一取向平面(12)交叉的方向上且长度与所述第一取向平面(12)不同。本发明提供了另一种SiC衬底，其具有矩形平面形状，且所述衬底的主面包括与 方向平行的第一边、处于与所述第一边垂直的方向上的第二边、和将所述第一边连接到所述第二边的第三边。所述第三边在所述第一边延伸的方向上投影的长度与所述第三边在所述第二边延伸的方向上投影的长度不同。

公开(公告)号：CN112575377A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011271507.2

申请日：2014-10-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  佐佐木信 ,  本家翼 ,  川濑智博

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02 ,  B24B27/06 ,  B28D5/04 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及碳化硅锭和碳化硅衬底的制造方法。本发明提供了一种碳化硅锭(1)，其包括端表面(1a)和与端表面(1a)相反端表面(1b)。在碳化硅锭(1)中，端表面(1a)和端表面(1b)在生长方向上彼此面对，并且所述生长方向上的氮浓度梯度不小于1×1016cm‑4且不大于1×1018cm‑4。

公开(公告)号：CN105789029B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201610129950.3

申请日：2010-12-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  和田圭司 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明涉及晶体管、晶体管制造方法以及衬底。公开了一种半导体器件(1)，其具有半导体层(21‑25)和衬底(2)。半导体层(21‑25)由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底(2)具有用于支承半导体层(21‑25)的第一表面(2A)和面对第一表面(2A)的第二表面(2B)。另外，衬底(2)由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底(2)具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件(1)。

公开(公告)号：CN102812537B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201080065662.7

申请日：2010-12-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  和田圭司 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 公开了一种半导体器件（1），其具有半导体层（21-25）和衬底（2）。半导体层（21-25）由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底（2）具有用于支承半导体层（21-25）的第一表面（2A）和面对第一表面（2A）的第二表面（2B）。另外，衬底（2）由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底（2）具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件（1）。

公开(公告)号：CN102414349B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201080019023.7

申请日：2010-11-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真

IPC: C30B23/08 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/025

Abstract: 本发明提供一种制造单晶的方法，所述方法包括：准备具有前表面和背表面的晶种(11)；提高所述晶种(11)的所述背表面的表面粗糙度；在所述晶种(11)的所述背表面上形成含碳的涂膜；在所述涂膜与支持台(41)之间具有胶粘剂的情况下使所述涂膜与支持台(41)相互接触；将所述胶粘剂固化以将所述晶种(11)固定到所述支持台(41)上；在所述晶种(11)上生长单晶(52)；其中在实施所述生长之前，通过对所述涂膜进行碳化来形成碳膜(22)。

公开(公告)号：CN103476975A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280019349.9

申请日：2012-03-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  西口太郎

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24322

Abstract: 本发明提供具有高度均匀的特性的碳化硅衬底和碳化硅锭以及制造所述碳化硅衬底和所述碳化硅锭的方法。制造碳化硅锭的方法包括：准备底部衬底的准备步骤(S10)，所述底部衬底由单晶碳化硅制成并在偏离角方向上具有0.1°以上且10°以下的偏离角，所述偏离角方向是相对于(0001)面的 方向或 方向；和在所述底部衬底的表面上生长碳化硅层的成膜步骤(S20)。在所述成膜步骤(S20)中，在上游侧的端部处在已生长的所述碳化硅层的表面上形成具有(0001)小平面的区域，所述上游侧为在所述偏离角方向上在所述底部衬底的 方向轴与所述底部衬底的所述表面之间相交的角为锐角的一侧。