公开(公告)号：CN102422397A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200980159180.5

申请日：2009-12-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫崎富仁 ,  木山诚 ,  堀井拓

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28581 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/2076

Abstract: 一种半导体器件，提供有：包括GaN的半导体层(1)以及电极。该电极包括：电极主体(6)；连接用电极(8)，其在从半导体层(1)观看时形成在比电极主体(6)更远的位置处并且包括Al；以及阻挡层(7)，其形成在电极主体(6)和连接用电极(8)之间，并且包括选自由W、TiW、WN、TiN、Ta和TaN组成的组中的至少一种材料。阻挡层(7)的表面粗糙度RMS为3.0nm或更小。

公开(公告)号：CN102119443A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200980131020.X

申请日：2009-07-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  宫崎富仁 ,  木山诚

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/08 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143

Abstract: 一种制造肖特基势垒二极管(11)的方法包括以下步骤。首先，准备GaN衬底(2)。在GaN衬底(2)上形成GaN层(3)。形成肖特基电极(4)，该电极包括由Ni或Ni合金制成的且与GaN层(3)接触的第一层。形成肖特基电极(4)的步骤包括形成金属层以用作肖特基电极(4)的步骤以及热处理金属层的步骤。与肖特基电极(4)接触的GaN层(3)的区域具有1×108cm-2或更小的位错密度。

公开(公告)号：CN101569014A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001214.3

申请日：2008-08-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  宫崎富仁 ,  木山诚

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/41 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212

Abstract: 一种肖特基势垒二极管(1)，包括：GaN自支撑衬底(2)，其具有表面(2a)；GaN外延层(3)，其形成在表面(2a)上；以及绝缘层(4)，其形成在GaN外延层(3)的表面(3a)上，并且在其上形成开口。肖特基势垒二极管(1)还提供有电极(5)。电极(5)由肖特基电极和场板电极构成，所述肖特基电极被形成在开口内，以使其与GaN外延层(3)接触，所述场板电极连接到肖特基电极并且被形成为与绝缘层(4)重叠。GaN自支撑衬底(2)的位错密度是1×108cm－2或更少。

公开(公告)号：CN102687250A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201180004208.5

申请日：2011-04-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫崎富仁 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02236 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种清洁SiC半导体的方法，所述方法包括在碳化硅半导体(1)的表面上形成氧化膜(3)的步骤(步骤S2)和除去所述氧化膜(3)的步骤(步骤S3)。在所述除去所述氧化膜(3)的步骤(步骤S3)中，使用卤素等离子体或氢等离子体除去所述氧化膜(3)。在所述除去所述氧化膜(3)的步骤(步骤S3)中，优选使用氟等离子体作为卤素等离子体。能够对所述SiC半导体(1)进行清洁，使得实现良好的表面特性。

公开(公告)号：CN1977366B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200680000383.6

申请日：2006-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  木山诚 ,  樱田隆 ,  田边达也 ,  三浦广平 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 提供具有高纯度沟道层和高阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管11设有由氮化镓构成的支撑衬底13、由第一氮化镓半导体构成的缓冲层15、由第二氮化镓半导体构成的沟道层17、由第三氮化镓半导体构成的半导体层19以及用于晶体管11的电极结构(栅电极21、源电极23和漏电极25)。第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体更宽。第一氮化镓半导体的碳浓度NC1是4×1017cm-3以上。第二氮化镓半导体的碳浓度NC2小于4×1016cm-3。

公开(公告)号：CN1934671A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009107.1

申请日：2005-03-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  宫崎富仁 ,  服部哲也 ,  今井贵浩

IPC: H01J9/02 ,  B82B3/00 ,  G01N13/16 ,  H01J1/304

CPC classification number: B81C1/00111 ,  H01J9/025 ,  H01J2329/0415 ,  H01J2329/0447 ,  Y10T428/26

Abstract: 本发明提供一种碳系材料突起构造的形成方法。该碳系材料突起构造的形成方法包括：在金刚石基板(10)上涂布抗蚀剂(11)的工序；在该涂布好的抗蚀剂(11)上依照规定的配置规则开设孔(12)，以使该孔(12)的壁(12b)从开口部(12a)朝向里侧形成倒锥形的方式加工的工序；从开口部(12a)侧开始蒸镀掩模材料，在孔(12)的内部形成掩模蒸镀物(14)的工序；将蒸镀于抗蚀剂(11)上的掩模材料(13)与抗蚀剂(11)一起提离的工序；将掩模蒸镀物(14)作为掩模而蚀刻金刚石基板(10)，形成碳系材料突起的工序。

公开(公告)号：CN105789029A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610129950.3

申请日：2010-12-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  和田圭司 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明涉及晶体管、晶体管制造方法以及衬底。公开了一种半导体器件(1)，其具有半导体层(21?25)和衬底(2)。半导体层(21?25)由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底(2)具有用于支承半导体层(21?25)的第一表面(2A)和面对第一表面(2A)的第二表面(2B)。另外，衬底(2)由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底(2)具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件(1)。

公开(公告)号：CN102422397B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN200980159180.5

申请日：2009-12-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫崎富仁 ,  木山诚 ,  堀井拓

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28581 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/2076

Abstract: 一种半导体器件，提供有：包括GaN的半导体层(1)以及电极。该电极包括：电极主体(6)；连接用电极(8)，其在从半导体层(1)观看时形成在比电极主体(6)更远的位置处并且包括Al；以及阻挡层(7)，其形成在电极主体(6)和连接用电极(8)之间，并且包括选自由W、TiW、WN、TiN、Ta和TaN组成的组中的至少一种材料。阻挡层(7)的表面粗糙度RMS为3.0nm或更小。

公开(公告)号：CN103441140A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310306272.X

申请日：2009-07-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  宫崎富仁 ,  木山诚

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/08 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143

Abstract: 本发明涉及肖特基势垒二极管。所述肖特基势垒二极管包括：GaN层（3）和肖特基电极（4），所述肖特基电极（4）形成在所述GaN层（3）上，其中，使与所述肖特基电极（4）相接触的所述GaN层（3）的区域（3c）的位错密度为1×108cm-2或更小以减小反向泄漏电流，通过使所述肖特基电极（4）中与所述GaN层（3）相接触的部分由Ni或Ni合金构成来增加势垒高度。由于在肖特基势垒二极管反向偏置时，由位错导致的反向泄漏电流小，所以由于肖特基电极的势垒高度增加而可以增强肖特基势垒二极管的耐受电压。

公开(公告)号：CN101542736A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000260.1

申请日：2008-03-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫崎富仁 ,  木山诚

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66204

Abstract: 提供一种具有外延生长层的肖特基势垒二极管，该外延生长层形成在衬底上并且具有台面部分，肖特基电极形成在台面部分上。肖特基电极的边缘和台面部分的顶表面边缘之间的距离为2μm或者更小。因为距离(x)是2μm或者更小，因此提供了具有显著地降低的泄露电流、提高的击穿电压、以及优良反向击穿电压特性的肖特基势垒二极管。