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公开(公告)号：CN101331591A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680047480.0
申请日：2006-10-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , C30B29/38 , H01L29/201 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/02658 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/0254
Abstract: 本发明的AlxGayIn1－x－yN晶体基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)。该主平面(12m)具有位于距离主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，和对应于除了该外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)。该内侧区域(12n)具有至少1×102cm－2并且至多1×106cm－2的总位错密度。由此能够提供一种用作半导体器件的基板的具有大尺寸和合适位错密度的AlxGayIn1－x－yN晶体基板、包括该AlxGayIn1－x－yN晶体基板的半导体器件、及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101194053A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200680020842.7
申请日：2006-08-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 利用HVPE制造GaN晶体的常规方法看起来具有通过在高于1100℃的温度下制造GaN晶体提高GaN晶体结晶度的可能性。然而，这种常规方法具有石英反应管(1)在由加热器(5)和(6)加热到高于1100℃的温度时熔融的问题。这里公开了一种制造GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，该方法通过在石英反应管(1)中，由包含氨气和卤化镓气体与卤化铟气体的至少一种的材料气体的反应，在基衬底(7)的表面上生长GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)来制造GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体，其中在GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)生长期间，外部地加热石英反应管(1)并且单独地加热基衬底(7)。
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公开(公告)号：CN101063225A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610105562.8
申请日：2002-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。
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公开(公告)号：CN1908251A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610105961.4
申请日：2000-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L33/0075
Abstract: 提供一种制造106cm－2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。
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公开(公告)号：CN1196176C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN99108644.9
申请日：1999-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , C30B25/02 , C30B29/406 , C30B29/60 , H01L21/02395 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0079 , Y10T428/26
Abstract: 提供一种面积大、弯曲小的独立的GaN单晶衬底，该衬底有20mm以上的直径和0.07mm以上的厚度，固有内部应力为7MPa以下，弯曲的曲率半径为600mm以上，直径为2英寸的衬底的中心处挠曲量为0.55mm以下，且衬底表面的法线方向和与衬底表面的平行度最高的低指数晶面的法线方向的夹角在衬底内为3°以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1542992A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410044554.8
申请日：1998-10-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B25/00 , C30B29/406 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01S5/0206 , H01S5/34333 , H01S2304/00 , H01S2304/04 , Y10S117/902 , Y10S438/942
Abstract: 一种GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在GaAs衬底2上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗10的屏蔽层8；和外延层生成工序，在屏蔽层8上，生长由GaN构成的外延层12。
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公开(公告)号：CN102315103A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110308166.6
申请日：2006-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02617 , C23C16/303 , C23C16/4405 , C23C16/4488 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403
Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
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公开(公告)号：CN1908251B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200610105961.4
申请日：2000-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L33/0075
Abstract: 提供一种制造106cm-2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。
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公开(公告)号：CN101331591B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200680047480.0
申请日：2006-10-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , C30B29/38 , H01L29/201 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/02658 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/0254
Abstract: 本发明的AlxGayIn1-x-yN晶体基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)。该主平面(12m)具有位于距离主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，和对应于除了该外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)。该内侧区域(12n)具有至少1×102cm-2并且至多1×106cm-2的总位错密度。由此能够提供一种用作半导体器件的基板的具有大尺寸和合适位错密度的AlxGayIn1-x-yN晶体基板、包括该AlxGayIn1-x-yN晶体基板的半导体器件、及其制造方法。
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公开(公告)号：CN100555659C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510099023.3
申请日：2005-08-31
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/38 , H01L29/417 , H01L29/861 , H01L29/772 , H01L29/732
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/41741 , H01L29/4238 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 在肖特基二极管11中，氮化镓支撑底板13包括第一表面13a和与第一表面相反的第二表面13b，其载流子浓度大于1×1018cm-3。氮化镓外延层15放置在第一表面13a上。欧姆电极17放置在第二表面13b上。肖特基电极19放置在氮化镓外延层15上。氮化镓外延层15的厚度D1至少是5微米，但不大于1000微米。另外，氮化镓外延层15的载流子密度至少是1×1014cm-3，但不大于1×1017cm-3。
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