公开(公告)号：CN107039516A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611005643.0

申请日：2012-05-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫原贤一 ,  西浦隆幸 ,  坪仓光隆 ,  藤原新也

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/02 ,  H01L21/335 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明涉及化合物半导体衬底。本发明的目的在于提供化合物半导体衬底及其表面处理方法，其中，即使在将处理过的衬底长时间储存之后，也不会出现电阻值异常。即使将所述化合物半导体衬底长时间储存且然后在其上形成外延膜，也不会出现电特性异常。根据本发明的半导体衬底为如下化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，所述镜面抛光的表面被含有氢(H)、碳(C)和氧(O)的有机物质覆盖；或者如下化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，其中，在550℃的生长温度下生长的外延膜与所述化合物半导体衬底之间的界面处的硅(Si)峰值浓度为2×1017cm‑3以下。

公开(公告)号：CN104379788A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380031481.6

申请日：2013-06-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 井上龙一 ,  北村贵彦 ,  森信之 ,  大石幸广 ,  河部望 ,  中村元宣 ,  坪仓光隆 ,  藤冈宽之 ,  曾我部万里

IPC: C22C23/02 ,  C22F1/06 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22C23/02 ,  B21B1/22 ,  C22C23/00 ,  C22F1/06 ,  C22F1/00

Abstract: 本发明提供在塑性成形如压制成形中具有优异成形性的镁合金板，以及镁合金构件。所述镁合金板通过对镁合金实施轧制得到、并且具有平行于镁合金板的厚度方向的如下横截面，其中当在横截面中各个晶粒的长轴长度和短轴长度被确定、长轴长度和短轴长度(长轴长度/短轴长度)的比率被定义为纵横比，并将具有3.85以上纵横比的晶粒定义为伸长晶粒时，在上述横截面中上述伸长晶粒的面积比率为3％～20％。

公开(公告)号：CN102753716B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201180008745.7

申请日：2011-01-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山川真弘 ,  杉原崇康 ,  水野修 ,  井口光治 ,  坪仓光隆

IPC: C22C23/02 ,  B21B3/00 ,  C22F1/06 ,  C22C23/00 ,  C22C23/04 ,  C22C23/06 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22C23/02 ,  C22F1/06 ,  Y10T428/258

Abstract: 本发明公开了一种由含Al的镁合金制成的镁合金板。含有Al和Mg中的至少一种金属的金属间化合物的粒子以分散状态存在于所述板中。所述板包含实质上在所述板的整个表面上延伸并具有均匀厚度的氧化膜。所述金属间化合物的粒子的平均尺寸为0.5μm以下。所述粒子的总面积所占的百分比为11%以下。因此，所述镁合金板具有优异的耐腐蚀性。本发明还提供一种镁合金构件。