-
公开(公告)号：CN107039516A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611005643.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/02 , H01L21/335 , H01L29/20
Abstract: 本发明涉及化合物半导体衬底。本发明的目的在于提供化合物半导体衬底及其表面处理方法，其中，即使在将处理过的衬底长时间储存之后，也不会出现电阻值异常。即使将所述化合物半导体衬底长时间储存且然后在其上形成外延膜，也不会出现电特性异常。根据本发明的半导体衬底为如下化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，所述镜面抛光的表面被含有氢(H)、碳(C)和氧(O)的有机物质覆盖；或者如下化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，其中，在550℃的生长温度下生长的外延膜与所述化合物半导体衬底之间的界面处的硅(Si)峰值浓度为2×1017cm‑3以下。
-
公开(公告)号：CN107039516B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201611005643.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/02 , H01L21/335 , H01L29/20
Abstract: 本发明涉及化合物半导体衬底。本发明的目的在于提供化合物半导体衬底及其表面处理方法，其中，即使在将处理过的衬底长时间储存之后，也不会出现电阻值异常。即使将所述化合物半导体衬底长时间储存且然后在其上形成外延膜，也不会出现电特性异常。根据本发明的半导体衬底为如下化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，所述镜面抛光的表面被含有氢(H)、碳(C)和氧(O)的有机物质覆盖；或者如下化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，其中，在550℃的生长温度下生长的外延膜与所述化合物半导体衬底之间的界面处的硅(Si)峰值浓度为2×1017cm‑3以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103460349A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280014248.2
申请日：2012-05-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L29/20 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明的目的在于提供化合物半导体衬底及其表面处理方法，其中，即使在将处理过的衬底长时间储存之后，也不会出现电阻值异常。即使将所述化合物半导体衬底长时间储存且然后在其上形成外延膜，也不会出现电特性异常。根据本发明的半导体衬底为如下化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，所述镜面抛光的表面被含有氢(H)、碳(C)和氧(O)的有机物质覆盖；或者如下化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，其中，在550℃的生长温度下生长的外延膜与所述化合物半导体衬底之间的界面处的硅(Si)峰值浓度为2×1017cm-3以下。
-
公开(公告)号：CN101981237A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111737.8
申请日：2009-05-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42 , C30B19/12 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0062 , C30B19/00 , C30B29/40 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/0251 , H01L21/02546 , H01L21/02628
Abstract: 本发明公开了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法，所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的光输出特性的半导体器件。具体地，本发明涉及具有AlxGa(1-x)As层(11)的AlxGa(1-x)As衬底(10a)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面11a和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，并且本发明的AlxGa(1-x)As衬底(10a)的特征在于，在所述AlxGa(1-x)As层(11)中，所述背面(11b)中Al的组成比x大于在所述主面(11a)中Al的组成比x。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还包含与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触的GaAs衬底(13)。
-
公开(公告)号：CN103460349B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201280014248.2
申请日：2012-05-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L29/20 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明的目的在于提供化合物半导体衬底及其表面处理方法，其中，即使在将处理过的衬底长时间储存之后，也不会出现电阻值异常。即使将所述化合物半导体衬底长时间储存且然后在其上形成外延膜，也不会出现电特性异常。根据本发明的半导体衬底为如下化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，所述镜面抛光的表面被含有氢(H)、碳(C)和氧(O)的有机物质覆盖；或者如下化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，其中，在550℃的生长温度下生长的外延膜与所述化合物半导体衬底之间的界面处的硅(Si)峰值浓度为2×1017cm‑3以下。
-
公开(公告)号：CN102016136A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115891.2
申请日：2009-05-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42 , C30B19/12 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , C30B19/00 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/0251 , H01L21/02546 , H01L21/02628 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/30
Abstract: 本发明提供了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法、以及制造红外LED的方法。所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的特性的半导体器件。具体地，本发明涉及AlxGa(1-x)As衬底(10a)，其特征在于，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)具有AlxGa(1-x)As层(11)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面(11a)和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，其中在所述背面(11b)中Al的组成比(x)大于在所述主面(11a)中Al的组成比(x)。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还可以包含GaAs衬底(13)，并使其与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触。
-
公开(公告)号：CN101960056A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107544.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42 , C30B19/12 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , C30B19/00 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/0251 , H01L21/02546 , H01L21/02628 , H01L33/0062 , H01L33/0079
Abstract: 本发明公开了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法。所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的光输出特性的半导体器件。具体地，本发明涉及具有AlxGa(1-x)As层(11)的AlxGa(1-x)As衬底(10a)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面(11a)和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，其中所述背面(11b)中Al的组成比(x)大于在所述主面(11a)中Al的组成比(x)。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还可包含GaAs衬底(13)，并使其与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.031 seconds)
