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公开(公告)号：CN107075727A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580057667.8
申请日：2015-11-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/06 , C30B23/066 , H05B3/62 , H05B6/24 , H05B2203/003
Abstract: 准备具有筒状内表面(10)的坩埚(5)。以与内表面(10)接触的方式布置原料(12)，并在坩埚(5)内以面对原料(12)的方式布置晶种(11)。通过使原料(12)升华而在晶种(11)上生长碳化硅单晶(20)。内表面(10)由包围原料(12)的第一区域(10b)和第一区域(10b)以外的第二区域(10a)形成。在生长碳化硅单晶(20)的步骤中，第一区域(10b)中每单位面积的热量小于第二区域(10a)中每单位面积的热量。
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公开(公告)号：CN112514077B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202080004078.4
申请日：2020-06-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 碳化硅外延衬底具有碳化硅衬底、第一碳化硅外延层以及第二碳化硅外延层。碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相反一侧的第二主面。第一碳化硅外延层与整个第一主面接触。第二碳化硅外延层与整个第二主面接触。碳化硅衬底的载流子浓度高于第一碳化硅外延层及第二碳化硅外延层各自的载流子浓度。
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公开(公告)号：CN112470255B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201980048360.X
申请日：2019-06-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 一种碳化硅外延衬底，具备：碳化硅衬底及碳化硅外延膜，在利用面积为Acm2的多个第一正方形区域划分中心区域时，多个第一正方形区域具有存在宏观缺陷的第一区域和不存在宏观缺陷的第二区域，在利用面积为Bcm2的多个第二正方形区域划分中心区域时，多个第二正方形区域具有存在宏观缺陷的第三区域和不存在宏观缺陷的第四区域，在将第二区域的数量除以第一区域的数量与第二区域的数量的合计数量所得的值设为第一无缺陷区域率，将第四区域的数量除以第三区域的数量与第四区域的数量的合计数量所得的值设为第二无缺陷区域率，并将宏观缺陷的数量除以中心区域的面积所得的值设为Xcm‑2时，A小于B，B为4以下，X大于0且小于4，并满足数学式1，#imgabs0#
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公开(公告)号：CN108369893B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201680068455.4
申请日：2016-08-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 堀勉
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 一种碳化硅单晶衬底包括第一主表面和取向平面。取向平面在 方向上延伸。第一主表面包括从第一主表面的外周延伸至多5mm的端部区域。在垂直于第一主表面的方向上，与取向平面连续的端部区域的翘曲量不大于3μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108463581B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201680078826.7
申请日：2016-10-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20
Abstract: 一种碳化硅外延基板，其包括碳化硅单晶基板和碳化硅层。在平行于中心区域的方向上，所述碳化硅层的载流子浓度的标准偏差相对于所述碳化硅层的载流子浓度的平均值的比率小于5％。所述载流子浓度的平均值为1×1014cm‑3以上且5×1016cm‑3以下。在平行于中心区域的方向上，所述碳化硅层的厚度的标准偏差相对于所述碳化硅层的厚度的平均值的比率小于5％。所述中心区域具有1nm以下的算术平均粗糙度(Sa)。所述中心区域具有50以下的雾度。
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公开(公告)号：CN109943885B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910145535.0
申请日：2015-12-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板。一种碳化硅单晶基板，其中，所述碳化硅单晶基板具有100mm以上的直径，所述碳化硅单晶基板具有1×1017cm‑3以下的氧浓度，所述碳化硅单晶基板具有2×104cm‑2以下的位错密度，且所述碳化硅单晶基板具有2.0％以下的堆垛层错面积比率。一种晶体生长装置(50)，其包含：腔室(20)，所述腔室(20)包含进气口(21)、排气口(22)、焊接部、和被构造成能够用水冷却至少包括所述焊接部的部分的水冷部；与所述排气口(22)连接的排气泵(30)；配置在所述排气口(22)与所述排气泵(30)之间的露点仪(40)，并且所述露点仪(40)被构造成能够测定通过所述排气口(22)的气体的露点。
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公开(公告)号：CN105358744B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201480037439.X
申请日：2014-05-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B23/025 , C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/36
Abstract: 在本发明中，制造碳化硅单晶衬底(10)的方法包括以下步骤。制备具有主表面(2a)并且由碳化硅制成的籽晶(2)，以及碳化硅原材料(3)。通过在维持在碳化硅原材料(3)中的任意两点之间的温度梯度为30℃/cm或更小的同时，升华碳化硅原材料(3)，使碳化硅单晶(1)在主表面(2a)上生长。籽晶(2)的主表面(2a)为{0001}面或相对于{0001}面具有10°或更小偏离角的面，并且主表面(2a)具有20/cm2或更大的螺旋位错密度。因此，提供能实现提高的晶体质量的碳化硅单晶衬底和其制造方法。
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公开(公告)号：CN104278322A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410231410.7
申请日：2014-05-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/1608 , C30B23/00 , C30B23/002 , C30B23/025 , C30B23/066 , C30B29/36 , H01L29/045 , Y10T428/21
Abstract: 本发明涉及制造碳化硅单晶的方法和碳化硅单晶衬底。提高了碳化硅单晶的质量。制备具有第一侧和第二侧的坩埚。将用于利用升华方法生长碳化硅的固体源材料布置在第一侧。将由碳化硅制成的籽晶布置在第二侧。将坩埚布置在绝热容器中。绝热容器具有面向第二侧的开口。加热坩埚，使固体源材料升华。通过绝热容器中的开口测量第二侧的温度。开口具有向着绝热容器的外侧变窄的锥形内表面。
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