公开(公告)号：CN1461288A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN02801227.5

申请日：2002-04-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: C04B37/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6833 ,  B32B18/00 ,  B32B2309/022 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/44 ,  C04B35/581 ,  C04B37/005 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/08 ,  Y10T279/23

Abstract: 提供一种基片支承构造体，所述的基片支承构造体具有优良的耐腐蚀性及气密性、同时有优良的尺寸精度，在被加有机械的或热的应力时有足够的耐久性。本发明基片支承构造体的支承体(1)包括：支承基片用的陶瓷基体(2)、接合在陶瓷基体(2)上的保护筒体(7)、位于陶瓷基体(2)与保护筒体(7)之间并把陶瓷基体(2)和保护筒体(7)接合的接合层(8)。接合层(8)含有稀土类氧化物质量2％以上质量70％以下、氧化铝质量10％以上质量78％以下、氮化铝质量2％以上质量50％不到。接合层(8)的上述三种成分中稀土类氧化物或氧化铝的比例最多。

公开(公告)号：CN1452233A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03109539.9

申请日：2003-04-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67103

Abstract: 本申请公开了一种半导体制造设备工件保持架，其基片保持表面具有优良的等温属性，其适用于在涂胶机/显影机中热固光刻胶，和烘低介电常数，即低k的绝缘膜。工件保持架由基片保持架1和支撑基片保持架1的支撑部件4组成，其特点是支撑部件4的热传导率低于基片保持架1的热传导率。基片保持架1和支撑部件4或者不连接，或者如果连接，则两者具有相同的热膨胀系数2.0×10－6/℃或者更小。基片保持架1的主要成分最好是AlN，支撑部件4的主要成分最好是高铝红柱石。

公开(公告)号：CN1227968A

公开(公告)日：1999-09-08

申请号：CN99102471.0

申请日：1999-03-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 汤盐泰久 ,  仲田博彦 ,  夏原益宏

IPC: H01L21/68 ,  B25B11/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C04B35/581 ,  B32B37/12 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/111 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/6342 ,  C04B35/638 ,  C04B37/005 ,  C04B37/006 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5001 ,  C04B41/85 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9615 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9638 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/66 ,  C04B2237/72 ,  C23C16/4581 ,  C30B25/12 ,  C30B31/14 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/12542 ,  Y10T428/12549 ,  Y10T428/24926 ,  Y10T428/252 ,  Y10T428/30 ,  C04B41/4531 ,  C04B41/53 ,  B32B18/00

Abstract: 一种层叠多个氮化铝(AIN)陶瓷衬底与高熔点金属层和粘附层而获得半导体制造装置的保持体，该氮化铝(AIN)陶瓷衬底包括，按元素重量为0.01到1%的3a族元素化合物，且基本上包括氮化铝(AIN)的剩余部分。其中AIN晶体的平均颗粒大小为从2到5μm。材料粉末混合，模制，在非氧化气氛下1600到2000℃下焙烧，形成衬底，而后层叠多个衬底，其间插入高熔点金属层和粘附层，在上述气氛中1500到1700℃下焙烧层叠体以及修整，制成保持体。

公开(公告)号：CN1689732B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200510072778.4

申请日：1999-07-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 汤盐泰久 ,  仲田博彦 ,  佐佐木一隆 ,  夏原益宏 ,  田中素之 ,  村濑康裕

IPC: B22F3/10 ,  C04B35/581

CPC classification number: C04B35/581 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制备氮化铝烧结体的方法，包括以下步骤：制备包含至少0.01重量％但少于0.05重量％的碳粉、至少0.01重量％并不超过5重量％的以其氧化物计的碱土金属元素、至少0.01重量％并不超过10重量％的以其氧化物计的稀土元素、剩余部分主要由氮化铝粉末构成的混合粉末；将该混合粉末制成坯体；通过烧结该坯体形成烧结体。

公开(公告)号：CN100413024C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200480030636.5

申请日：2004-08-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 田中澄 ,  斋藤哲也 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68792 ,  H01L21/67103

Abstract: 本发明的目的在于，在保持被处理基板的基板保持构件中，抑制由基板保持台的热应力所造成的破损。在支柱末端部设有基板保持台的基板保持台构件中，在上述支柱和上述基板保持台的接合部形成有由内周面和外周面区划成的凸缘部，此时由上述凸缘部的内径向着上述基板保持台的下表面连续地增大的倾斜面形成上述内周面，而且在上述凸缘部所结合的上述基板保持台的下表面上，与上述凸缘部的外周面对应地形成U字型槽。

公开(公告)号：CN1868031A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480030636.5

申请日：2004-08-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 田中澄 ,  斋藤哲也 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68792 ,  H01L21/67103

Abstract: 本发明的目的在于，在保持被处理基板的基板保持构件中，抑制由基板保持台的热应力所造成的破损。在支柱末端部设有基板保持台的基板保持台构件中，在上述支柱和上述基板保持台的接合部形成有由内周面和外周面区划成的凸缘部，此时由上述凸缘部的内径向着上述基板保持台的下表面连续地增大的倾斜面形成上述内周面，而且在上述凸缘部所结合的上述基板保持台的下表面上，与上述凸缘部的外周面对应地形成U字型槽。

公开(公告)号：CN1610961A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN03801837.3

申请日：2003-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 夏原益宏 ,  仲田博彦 ,  柊平启 ,  桥仓学

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/68 ,  C23C16/44 ,  H05B3/02

CPC classification number: H01L21/68792 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143

Abstract: 一种配置有连接到固定器陶瓷基座的多个固定管状件和/或固定支撑件的晶片固定器，其中可以防止在加热操作期间由于热应力对固定管状件的损坏，并利用此晶片固定器制作获得高可靠性的半导体制作设备。至少两个固定管状件(5)和/或固定支撑件的一端连接到陶瓷基座(2)，而另一端连接进反应室(4)，其中假设陶瓷基座(2)达到的最高温度为T1，陶瓷基座(2)的热膨胀系数为α1，反应室(4)达到的最高温度为T2，反应室(4)的热膨胀系数为α2，在常温下在多个固定管状件(5)中的陶瓷基座(2)上的最长件间距离为L1，而在常温下在多个固定管状件(5)和/或固定支撑件中的反应室(4)上的最长件间距离为L2，则满足关系式|(T1×α1×L1)－(T2×α2×L2)|≤0.7mm。

公开(公告)号：CN1579007A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN03801379.7

申请日：2003-02-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: H01L21/027 ,  H05B3/74 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67103

Abstract: 提供一种用于制备半导体的加热装置，其可以均匀地加热待处理的晶片或其它材料，并且具体而言，提供一种用于在涂布机显影装置中热硬化光刻法用树脂薄膜和用于热煅烧低介电常数绝缘薄膜的加热装置，该装置包含：在其中嵌有电阻加热元件(2)的陶瓷支架(1)，其支持和加热处理材料如晶片(6)，支撑所述的陶瓷支架(1)的筒状支撑构件(4)，和容纳支架(1)和支撑构件(4)的室(5)，其中筒状支撑构件(4)的气氛与室(5)中的气氛通过消除由陶瓷支架(1)的气密密封或通过控制气体的吸入与排出而相互保持基本相同。

公开(公告)号：CN1320010A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN01101673.6

申请日：2001-01-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 夏原益宏 ,  仲田博彦 ,  长尾俊二

IPC: H05B3/20 ,  H05K1/03 ,  C04B35/58

CPC classification number: H05B3/141

Abstract: 本发明公开了一种机械强度增加,抗热震性改善的陶瓷基体,将氮化铝,氮化硅,或碳化硅用作形成该陶瓷基体的主要成分,同时掺入合适的添加剂,以便控制其导热率以及使从加热元件到电极处的温度梯度变得松散,以向该陶瓷基体提供能够防止加热元件的电极和供给部件的连接件之间的接触件氧化的尺寸效应。在陶瓷基体表面上形成电极和加热元件的陶瓷加热器中,应满足A/B≥20的条件,假设A代表从加热元件(2)的电路和电极(3)之间的接触件到陶瓷基体(1a)紧靠电极(3)一端的距离,而B代表陶瓷基体(1a)的厚度,并且陶瓷基体(1a)的导热率被调整到30－80W/m.K。

公开(公告)号：CN1242349A

公开(公告)日：2000-01-26

申请号：CN99110634.2

申请日：1999-07-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 汤盐泰久 ,  仲田博彦 ,  佐佐木一隆 ,  夏原益宏 ,  田中素之 ,  村濑康裕

IPC: C04B35/582 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/581 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种抗热震性和强度均优良的氮化铝烧结体,可用作在严格热循环下使用的功率组件的散热基板或半导体器件的托架。采用稀土元素和碱土金属元素作为烧结助剂得到的氮化铝烧结体包含≥0.01重量%但≤5重量%的碱土金属元素化合物(以其氧化物计)和≥0.01重量%但≤10重量%的稀土元素化合物(以其氧化物计),残留在烧结体中的碳含量控制在0.005至0.1重量%,由此抑制了晶粒生长并且提高了烧结体的抗热震性和强度。