公开(公告)号：CN101542760B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880000429.3

申请日：2008-03-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  京野孝史 ,  石桥惠二 ,  笠井仁

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供有源层(17)以使得发射具有440nm至550nm范围的发射波长的光。第一导电类型氮化镓半导体区域(13)、有源层(17)和第二导电类型氮化镓半导体区域(15)沿着预定轴Ax的方向设置。有源层(17)包括由六方晶系的InxGa1-xN(0.16≤x≤0.4，x：应变组分)的阱层，铟组成x由应变组分表示。六方晶系的InxGa1-xN的m平面沿着预定轴Ax被定向。阱层的厚度在大于3nm且小于或等于20nm之间。使阱层的厚度超过3nm，能够制造具有发射波长超过440nm的发光器件。

公开(公告)号：CN100573822C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200710127356.1

申请日：2007-07-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  八乡昭广 ,  三浦祥纪 ,  秋田胜史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/0075 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开其上接合有GaN薄膜的衬底及其制备方法以及基于GaN的半导体器件及其制备方法。提供一种制造薄GaN接合膜衬底的方法，包括步骤：在GaN块状晶体上接合与GaN类型或化学成分不同的衬底；在离不同类型的衬底的界面具有至少0.1μm和至多100μm距离的平面处隔开GaN块状晶体，以在不同类型的衬底上提供GaN薄膜，其中GaN块状晶体具有接合到不同类型的衬底的表面，具有至多20μm的最大表面粗糙度Rmax。由此可以以低成本制备一种包括薄GaN接合膜衬底和沉积在GaN薄膜上的至少一个基于GaN的半导体层的基于GaN的半导体器件，该薄GaN接合膜衬底包括不同类型的衬底和固定在不同类型衬底上的GaN薄膜。

公开(公告)号：CN101101868A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710127356.1

申请日：2007-07-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  八乡昭广 ,  三浦祥纪 ,  秋田胜史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/0075 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开其上接合有GaN薄膜的衬底及其制备方法以及基于GaN的半导体器件及其制备方法。提供一种制造薄GaN接合膜衬底的方法，包括步骤：在GaN块状晶体上接合与GaN类型或化学成分不同的衬底；在离不同类型的衬底的界面具有至少0.1μm和至多100μm距离的平面处隔开GaN块状晶体，以在不同类型的衬底上提供GaN薄膜，其中GaN块状晶体具有接合到不同类型的衬底的表面，具有至多20μm的最大表面粗糙度Rmax。由此可以以低成本制备一种包括薄GaN接合膜衬底和沉积在GaN薄膜上的至少一个基于GaN的半导体层的基于GaN的半导体器件，该薄GaN接合膜衬底包括不同类型的衬底和固定在不同类型衬底上的GaN薄膜。

公开(公告)号：CN101086963A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710110258.7

申请日：2007-06-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  元木健作 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  井尻英幸 ,  笠井仁 ,  藤田俊介 ,  佐藤史隆 ,  松冈彻

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。

公开(公告)号：CN101070619A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710092177.9

申请日：2007-04-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤田俊介 ,  笠井仁

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  Y10S117/902

Abstract: 一种GaN晶体衬底，具有其上生长晶体的晶体生长表面(10c)和与晶体生长表面(10c)相对的后表面(10r)。晶体生长表面(10c)具有至多10nm的粗糙度Ra(C)，以及后面表面(10r)具有至少0.5μm和至多10μm的粗糙度Ra(R)，以及该表面粗糙度Ra(R)与表面粗糙度Ra(C)的比率Ra(R)/Ra(C)至少是50。因此，可以在而不损害GaN晶体衬底上生长的半导体层的形态条件下，提供其中可区分其前和后表面的GaN晶体衬底。

公开(公告)号：CN102315103A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110308166.6

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN101548400B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200880000776.6

申请日：2008-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  京野孝史 ,  石桥惠二 ,  笠井仁

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 设置有源层以便发射具有在440到550nm范围内的发光波长的光。在预定轴(Ax)方向上布置第一导电类型氮化镓基半导体区域(13)、有源层(17)以及第二导电类型氮化镓基半导体区域(15)。有源层(17)包括由六方晶系InXGa1-XN(0.16≤X≤0.35，X：应变组分)构成的阱层，并且铟组分X由应变组分表示。六方晶系InXGa1-XN的a面在预定轴(Ax)方向被对准。阱层的厚度在大于2.5nm到10nm的范围内。当阱层的厚度被设定为2.5nm或以上时，可以形成具有440nm或以上的发光波长的发光器件。

公开(公告)号：CN101542760A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000429.3

申请日：2008-03-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  京野孝史 ,  石桥惠二 ,  笠井仁

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 提供有源层(17)以使得发射具有440nm至550nm范围的发射波长的光。第一导电类型氮化镓半导体区域(13)、有源层(17)和第二导电类型氮化镓半导体区域(15)沿着预定轴Ax的方向设置。有源层(17)包括由六方晶系的InxGa1－xN(0.16≤x≤0.4，x：应变组分)的阱层，铟组成x由应变组分表示。六方晶系的InxGa1－xN的m平面沿着预定轴Ax被定向。阱层的厚度在大于3nm且小于或等于20nm之间。使阱层的厚度超过3nm，能够制造具有发射波长超过440nm的发光器件。

公开(公告)号：CN101515700A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910007584.4

申请日：2009-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  笠井仁 ,  京野孝史 ,  元木健作

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供III族氮化物发光器件及制造III族氮化物基半导体发光器件的方法。在氮化镓基半导体区域的基面上生长具有量子阱结构的有源层。该量子阱结构以具有410nm以上的发射峰值波长的方式形成。阱层的厚度为4nm以上10nm以下。该阱层由InXGa1－XN(0.15≤X＜1，其中X为应变组分)组成。所述氮化镓基半导体区域的基面关于六方晶系III族氮化物的{0001}面或{000－1}面以15度以上85度以下的范围内的倾斜角倾斜。该范围中的基面是半极性面。

公开(公告)号：CN101345221A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810130233.8

申请日：2008-06-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  石桥惠二 ,  中畑成二 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  三浦祥纪

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

Abstract: GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种GaN衬底，由该GaN衬底可以制造增强发射效率的发光及半导体器件，提供其中在GaN衬底主表面上形成外延层的外延衬底、半导体器件以及制造GaN衬底的方法。该GaN衬底是具有主表面的衬底，相对于其法线矢量，[0001]平面取向在两个不同的离轴方向上倾斜。