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公开(公告)号：CN106104811A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580015362.0
申请日：2015-08-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/786 , C01G41/00 , C23C14/08 , H01L21/336 , H01L21/363
Abstract: 提供了一种由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成的氧化物半导体膜(14)，其中，所述氧化物半导体膜包括铟、钨和锌，所述氧化物半导体膜中的钨与所述氧化物半导体膜中的铟、钨和锌总和的含量比率高于0.5原子％且等于或低于5原子％，并且电阻率等于或高于10‑1Ωcm。还提供了一种包括所述氧化物半导体膜的半导体器件(10)。
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公开(公告)号：CN101542790B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200780044063.5
申请日：2007-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01M2/1673 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0585
Abstract: 本发明的电池具有正极层20、负极层50和电解质层40，其中离子传导经由该电解质层而在两电极层之间进行。在所述电池中，正极层20和负极层50相互层叠在一起，并且在正极层20和负极层50之间设置有绝缘层30。所述绝缘层30的面积小于正极层20和负极层50中的一者的面积并且大于另一者的面积。不存在正极层20和负极层50只隔着电解质层40而彼此相对的部位。即使当电解质层40具有穿孔时，正极层20和负极层50间存在的绝缘层30也可抑制正极层和负极层间的短路。
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公开(公告)号：CN101542790A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780044063.5
申请日：2007-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01M2/1673 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0585
Abstract: 本发明的电池具有正极层20、负极层50和电解质层40，其中离子传导经由该电解质层而在两电极层之间进行。在所述电池中，正极层20和负极层50相互层叠在一起，并且在正极层20和负极层50之间设置有绝缘层30。所述绝缘层30的面积小于正极层20和负极层50中的一者的面积并且大于另一者的面积。不存在正极层20和负极层50只隔着电解质层40而彼此相对的部位。即使当电解质层40具有穿孔时，正极层20和负极层50间存在的绝缘层30也可抑制正极层和负极层间的短路。
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公开(公告)号：CN1966757A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610160377.9
申请日：2006-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C14/30 , C23C14/16 , C23C14/20 , C23C14/546 , C23C14/562
Abstract: 在长条状基材上沿其纵向沉积具有均匀厚度薄膜的沉积作业初步试验中，测量从沉积作业开始时的经过时间以及在该经过时间下电源的输出功率。并将所得到的经过时间和输出功率之间的关系储存在存储装置中。随后通过这样一种方法，在长条状基材上进行沉积，其中首先在沉积作业开始之前的预加热步骤中，使用晶体振荡器测厚仪，将该电源的输出功率控制稳定在期望值，然后驱动该基材输送装置，从而在获得期望的沉积速度之后，在该长条状基材上开始沉积作业。在开始该沉积作业之后，将电源的输出功率控制成与储存在该存储装置中的该经过时间下的输出功率相一致。
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公开(公告)号：CN110621637B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201880032388.X
申请日：2018-05-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料及其制造方法以及氧化物半导体膜。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn，包含In2O3晶相和In2(ZnO)mO3晶相(m表示自然数)，并且与铟原子配位的平均氧原子数为3以上且小于5.5。所述氧化物半导体膜含有In、W和Zn。所述氧化物半导体膜为非晶的，并且与铟原子配位的平均氧原子数为2以上且小于4.5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109219890B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201780032780.X
申请日：2017-02-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件包含以与栅极绝缘层接触的方式布置的通道层，所述通道层包含含有铟、钨和锌的氧化物半导体，在所述通道层中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量大于0.01原子％且小于或等于8.0原子％，所述通道层依次包含第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域包含与所述栅极绝缘层接触的第一表面，所述第三区域包含与所述第一表面相反的第二表面，在所述第三区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W3(原子％)大于所述第二区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W2(原子％)。
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公开(公告)号：CN110621637A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880032388.X
申请日：2018-05-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料及其制造方法以及氧化物半导体膜。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn，包含In2O3晶相和In2(ZnO)mO3晶相(m表示自然数)，并且与铟原子配位的平均氧原子数为3以上且小于5.5。所述氧化物半导体膜含有In、W和Zn。所述氧化物半导体膜为非晶的，并且与铟原子配位的平均氧原子数为2以上且小于4.5。
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公开(公告)号：CN109661372A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201780053267.9
申请日：2017-07-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01G51/00 , C01B32/90 , C01B32/949 , C22C1/05 , C22C29/08
Abstract: 水溶液组合物含有相对于1kg水为10质量％～30质量％的钨酸根离子、相对于1kg水为0.05质量％～5质量％的过渡金属离子、以及剩余部分的抗衡阴离子和水。所述过渡金属离子包含钴离子。所述抗衡阴离子包含有机酸离子。所述有机酸离子为多齿配体。
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公开(公告)号：CN109219890A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201780032780.X
申请日：2017-02-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件包含以与栅极绝缘层接触的方式布置的通道层，所述通道层包含含有铟、钨和锌的氧化物半导体，在所述通道层中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量大于0.01原子％且小于或等于8.0原子％，所述通道层依次包含第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域包含与所述栅极绝缘层接触的第一表面，所述第三区域包含与所述第一表面相反的第二表面，在所述第三区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W3(原子％)大于所述第二区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W2(原子％)。
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公开(公告)号：CN107001146A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201680003741.2
申请日：2016-05-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结材料，所述氧化物烧结材料包含：第一晶相，所述第一晶相为所述氧化物烧结材料的主要成分并包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相的锌的含量比所述第一晶相的锌的含量高，所述第二晶相包含平均长轴尺寸为3μm以上且50μm以下并且平均长径比为4以上且50以下的粒子。
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