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公开(公告)号：CN101937922A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010213279.3
申请日：2010-06-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L21/28518 , H01L27/14632
Abstract: 本发明涉及制造光电转换装置的方法。在一种制造具有像素区和外围电路区的光电转换装置的方法中，通过使得外围电路区中的MOS晶体管的栅电极或者扩散层的表面与高熔点金属进行反应形成半导体化合物层，然后在形成半导体化合物层的步骤以后在像素区和外围电路区中形成绝缘层。在绝缘层中形成接触孔以暴露像素区中的扩散层，在绝缘层中形成接触孔以暴露在外围电路区中形成的半导体化合物层。这些孔在不同时刻被形成。在形成后形成的孔之前，在先形成的接触孔中形成接触插塞。
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公开(公告)号：CN101118919B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710143752.3
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 一种光电转换器件，包括：光电转换区域，其具有多个光电转换元件和配置为响应每个光电转换元件的电荷而读取信号的第一MOS晶体管；以及外围电路区域，其具有配置为驱动所述第一MOS晶体管和/或放大从所述光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，并且所述光电转换区域和所述外围电路区域位于同一半导体衬底上，其中所述第一MOS晶体管的漏极中的杂质浓度低于所述第二MOS晶体管的漏极中的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN100590846C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200710148317.X
申请日：2007-08-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 降低了由加宽光电转换元件的光入射孔径的结构产生的噪声。在光电转换装置的制造方法中，布置在第一层间绝缘层中的第一孔中的第一导电体电连接第一半导体区与放大MOS晶体管的栅电极，而不通过包含在布线层中的布线。另外，第二导电体电连接与第一半导体区不同的第二半导体区与布线。在该第二导电体的结构中，布置在第一层间绝缘层中的第二孔中的第三导电体和布置在第二层间绝缘层中的第三孔中的第四导电体相互堆叠并电连接。另外，形成第一导电体的步骤和形成第三导电体的步骤同时进行。
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公开(公告)号：CN101609813A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910151873.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开光电转换器件的制造方法，该器件包括：光电转换区域，具有多个光电转换元件和响应每个光电转换元件的电荷读取信号的第一MOS晶体管；外围电路区域，具有驱动第一MOS晶体管和/或放大从光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，光电转换区域和外围电路区域位于同一半导体衬底上。该方法包括：形成第一和第二MOS晶体管的栅电极；用栅电极作为掩模注入第一导电类型杂质离子；形成绝缘膜以覆盖光电转换区域和外围电路区域；在通过掩模保护光电转换区域上的绝缘膜时，通过回蚀刻去除外围电路区域上的绝缘膜，并形成第二MOS晶体管的侧面间隔件；用光电转换区域上的绝缘膜和侧面间隔件作为掩模，注入第一导电类型杂质离子。
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公开(公告)号：CN101136367A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710148317.X
申请日：2007-08-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 降低了由加宽光电转换元件的光入射孔径的结构产生的噪声。在光电转换装置的制造方法中，布置在第一层间绝缘层中的第一孔中的第一导电体电连接第一半导体区与放大MOS晶体管的栅电极，而不通过包含在布线层中的布线。另外，第二导电体电连接与第一半导体区不同的第二半导体区与布线。在该第二导电体的结构中，布置在第一层间绝缘层中的第二孔中的第三导电体和布置在第二层间绝缘层中的第三孔中的第四导电体相互堆叠并电连接。另外，形成第一导电体的步骤和形成第三导电体的步骤同时进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109203695A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810665098.0
申请日：2018-06-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/05
CPC classification number: B41J2/14129 , B41J2/14072 , B41J2/1601 , B41J2202/13 , H01L23/345 , B41J2/05
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法、液体排出头和液体排出装置。提供了一种用于液体排出头的半导体器件。该器件包括：布线层；绝缘构件，其形成在布线层之上；发热元件，其布置在绝缘构件之上并与绝缘构件接触，并且电连接到布线层；金属构件，其布置在绝缘构件之上并与绝缘构件接触，并且电连接到布线层；以及导电构件，其覆盖金属构件的上表面，并且通过金属构件电连接到布线层。导电构件的电阻率小于金属构件的电阻率和发热元件的电阻率。发热元件和金属构件彼此分开。
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公开(公告)号：CN103165634B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310042689.X
申请日：2010-06-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L21/28518 , H01L27/14632
Abstract: 本发明涉及制造光电转换装置的方法。在一种制造具有像素区和外围电路区的光电转换装置的方法中，通过使得外围电路区中的MOS晶体管的栅电极或者扩散层的表面与高熔点金属进行反应形成半导体化合物层，然后在形成半导体化合物层的步骤以后在像素区和外围电路区中形成绝缘层。在绝缘层中形成接触孔以暴露像素区中的扩散层，在绝缘层中形成接触孔以暴露在外围电路区中形成的半导体化合物层。这些孔在不同时刻被形成。在形成后形成的孔之前，在先形成的接触孔中形成接触插塞。
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公开(公告)号：CN103579272B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310342100.8
申请日：2013-08-07
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 成濑裕章
IPC: H01L27/146
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/13 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629
Abstract: 本发明公开了成像装置、成像系统和成像装置的制造方法。根据本发明的示例性实施例是一种成像装置，该成像装置包括：其中布置多个受光部的基板；被配置为布置于基板上的绝缘体；多个第一部件，该多个第一部件被配置为布置于基板上，使得多个第一部件在基板上的投影中的每一个至少部分地与多个受光部中的任一个重叠，多个第一部件中的每一个的侧面被绝缘体包围；被配置为布置于绝缘体和多个第一部件上的第二部件；和被配置为布置于第二部件中的遮光部。
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公开(公告)号：CN102142450B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110042341.1
申请日：2008-02-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76807 , H01L21/7681 , H01L21/76829 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L27/14621 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种光电转换装置的制造方法。该光电转换装置包括：半导体基板；光电转换元件和MOS晶体管，布置在基板中；多层配线结构，包括多个配线层的叠层和使配线层隔离的层间绝缘膜。该制造方法包括：形成MOS晶体管的栅极和有源区；在基板上形成第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中形成第一孔；在第一孔中形成金属膜以形成第一插头，以在有源区之间、栅极之间或者有源区和栅极之间相互连接；在第一层间绝缘膜中形成第二孔；在第二孔中形成金属膜，以形成第二插头，以电连接至任一有源区；形成覆盖第一插头和第二插头的第二层间绝缘膜；根据双镶嵌工艺在第二层间绝缘膜上形成双镶嵌结构。通过此结构，可改进光到光电转换元件上的入射效率。
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公开(公告)号：CN101609813B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910151873.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开光电转换器件的制造方法，该器件包括：光电转换区域，具有多个光电转换元件和响应每个光电转换元件的电荷读取信号的第一MOS晶体管；外围电路区域，具有驱动第一MOS晶体管和/或放大从光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，光电转换区域和外围电路区域位于同一半导体衬底上。该方法包括：形成第一和第二MOS晶体管的栅电极；用栅电极作为掩模注入第一导电类型杂质离子；形成绝缘膜以覆盖光电转换区域和外围电路区域；在通过掩模保护光电转换区域上的绝缘膜时，通过回蚀刻去除外围电路区域上的绝缘膜，并形成第二MOS晶体管的侧面间隔件；用光电转换区域上的绝缘膜和侧面间隔件作为掩模，注入第一导电类型杂质离子。
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