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公开(公告)号：CN109085737B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201810605620.6
申请日：2018-06-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料及制造方法。将光掩模坯料加工成透射光掩模，该透射光掩模用于使用曝光光在接受体上形成图案的光刻。该光掩模坯料包括：透明衬底、可通过氯/氧基干蚀刻来蚀刻的材料的第一膜、和含硅材料的第二膜。该第二膜包括相对于检查光的波长(长于曝光光)具有至少1.6的折射率n或至少0.3的消光系数k的层。
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公开(公告)号：CN114167679A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111052690.1
申请日：2021-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底、其制造方法以及EUV掩模坯料。具体地，提供一种用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底，该衬底包括衬底和形成在衬底上的多层反射膜。多层反射膜包括Si/Mo层叠部和保护层，该保护层含有Ru并包括由Ru组成的下层和由含有Ru和选自除Ru以外的金属和准金属中的至少一种的材料组成的上层。
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公开(公告)号：CN106502046A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610791121.1
申请日：2016-08-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/84
CPC classification number: G01N21/8851 , G01N21/956 , G01N2021/95676 , G03F1/84
Abstract: 本发明公开了检查存在于包括光学膜和薄膜的光掩模坯的表面部的缺陷的方法。该方法包括：选择和指定对应于光掩模坯的光学膜和薄膜的模式的用于判定缺陷的凹凸形状的标准和检查处理工序；基于指定的检查处理工序，施加检查光至包括缺陷的区域，同时保持缺陷和检查用光学系统的物镜之间的距离，通过该检查用光学系统将来自被检查光照射的区域的反射光作为该区域的放大图像聚集；以及基于指定的用于判定的标准，从该放大图像的光强度分布判定缺陷的凹凸形状。
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公开(公告)号：CN114167680A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111052720.9
申请日：2021-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底，其制造方法和EUV掩模坯料。具有多层反射膜的衬底包括衬底和形成在衬底上的多层反射膜。多层反射膜包括其中Si层与Mo层交替层叠的Si/Mo层叠部，在Si/Mo层叠部的Si层与Mo层之间的一个或多个部分插入有含有Si和N的层，其与Si层和Mo层都接触。
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公开(公告)号：CN113341644A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110229567.6
申请日：2021-03-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及反射型掩模坯料的制造方法及反射型掩模坯料。通过溅射法制造了一种反射型掩模坯料，其包括基底、多层反射膜和吸收体膜，该多层反射膜由至少两个第一层和至少两个第二层构成，该第一层和第二层交替层叠，且具有彼此不同的光学特性。通过由第一阶段和第二阶段组成的两个阶段来形成每个层，其中从每个层的形成开始时到形成规定厚度为止施加第一阶段，且从形成规定厚度开始到每个层的形成结束为止施加第二阶段；以及将第一阶段的溅射压力设定为高于刚形成层的形成结束时的溅射压力和第二阶段的溅射压力二者。
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公开(公告)号：CN106292180B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201610467574.9
申请日：2016-06-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/84 , G01N21/892
Abstract: 本发明涉及光掩模坯的缺陷检查方法、分选方法和制备方法；利用检查用光学系统检查在具有在基底上形成的至少一个薄膜的光掩模坯的表面部分上存在的缺陷的方法。该方法包括设定缺陷和检查用光学系统的物镜之间的距离为离焦量，通过物镜对缺陷施加检查光，通过物镜将来自用检查光照射的区域的反射光作为放大图像聚集，识别放大图像的光强度变化部分，并且基于放大图像的光强度变化部分的光强度上的变化测定缺陷的凹凸形状。
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公开(公告)号：CN112505999A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010951398.2
申请日：2020-09-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种反射性掩模坯料的制造方法、反射性掩模坯料和反射性掩模的制造方法。具体涉及一种反射性掩模坯料，其包括衬底、从衬底侧依次形成在衬底的一个主表面上的用于EUV光反射的多层反射膜、保护膜和用于EUV光吸收的吸收体膜以及导电膜。在衬底的其他主表面上形成坐标参比标记时，在另一主表面上形成坐标参比标记。
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公开(公告)号：CN108362711A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810075523.0
申请日：2018-01-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G01N21/956
CPC classification number: G01N21/8851 , G01N21/8422 , G01N21/956 , G01N2021/8874 , G01N2021/95676 , G03F1/84
Abstract: 本发明涉及光掩模坯的缺陷检查方法、分选方法及其制造方法。通过以下方式来检查具有在透明基板上的薄膜的光掩模坯的缺陷：将检查光线照射到光掩模坯的表面区域，经由检查光学系统收集来自照射区域的反射光以形成该区域的放大图像，提取出来自放大图像的光强度分布的特征参数，和基于与薄膜结构相结合的特征参数来识别缺陷的凸起/凹坑形状。该缺陷检查方法对于以高度可靠的方式区分凸起或凹坑形状的缺陷而言是有效的。在应用该缺陷检测方法时，可以以更低的成本和更高的成品率获得没有针孔缺陷的光掩模坯。
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