-
公开(公告)号：CN102243439B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201110121500.7
申请日：2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 提供一种用于EB或EUV平版印刷的化学放大正性抗蚀剂组合物，其包括(A)聚合物或聚合物共混物，其中聚合物或聚合物共混物的薄膜不可溶于碱性显影剂，但是在酸的作用下变为可溶于其中，(B)酸产生剂，(C)碱性化合物，和(D)溶剂。碱性化合物(C)为包括带有侧链的重复单元的聚合物，并且构成作为组分(A)的一种聚合物或多种聚合物的一部分或全部，所述侧链具有仲胺或叔胺结构作为碱性活性位点。
-
公开(公告)号：CN102129172B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110005991.9
申请日：2011-01-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , C08F212/14 , C08F220/30
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0045
Abstract: 负性抗蚀剂组合物，其包括包含具有烷基硫基基团重复单元且具有1000-2500的Mw的基础聚合物，产酸剂和碱性组分，典型地为包含羧基、但不包括活性氢的胺化合物。其可以形成具有低LER值的45-nm线间隔的图案。
-
公开(公告)号：CN102591152B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201110442501.1
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
-
公开(公告)号：CN101943864B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010221430.8
申请日：2010-06-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 本发明提供一种正型光阻组合物，其至少含有：(A)基础树脂，其是具有由酸不稳定基保护的酸性官能基的碱不溶性或难溶性的树脂，且在此酸不稳定基脱离时变为碱可溶性；(B)产酸剂；及(C)作为碱性成分的含氮化合物；其特征在于：所述基础树脂含有以下述通式(1)所表示的重复单元，并含有一种或两种以上的以下述通式(2)及/或通式(3)所表示的重复单元，而且，构成所述基础树脂的全部重复单元中，含有70摩尔％以上的以下述通式(1)、通式(2)和通式(3)所表示的重复单元。根据本发明，可以提供一种在用以进行微细加工的光刻，特别是使用KrF激光、极端紫外线、电子束、X射线等作为曝光源的光刻中，耐蚀刻性和解像性优异，即使在基板表面也可以形成良好的图案形状的正型光阻组合物，以及使用此正型光阻组合物的图案形成方法。
-
公开(公告)号：CN102096321A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010568163.1
申请日：2010-11-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/038 , G03F1/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/20 , Y10S430/111
Abstract: 本发明是一种负型光阻组合物，其至少含有：(A)为碱可溶性且可由于酸的作用而变为碱不溶性的基础聚合物；(B)产酸剂；及(C)碱性成分；其特征在于：所述基础聚合物至少含有一高分子化合物，该高分子化合物含有由下述通式(1)及下述通式(2)所表示的重复单元，且重量平均分子量为1,000～10,000。根据本发明，可提供一种在形成微细图案时不易产生桥接，且能够赋予高解像性的负型光阻组合物及使用此负型光阻组合物的图案形成方法，
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102081304A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010559623.4
申请日：2010-11-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0045
Abstract: 本发明是一种负型光阻组合物，其特征在于：基础树脂至少含有由下述通式(1)及(2)所表示的重复单元，且重量平均分子量为1,000～10,000，作为碱性成分的含氮化合物包含一种以上的具有羧基且不具有以共价键与作为碱性中心的氮原子键合的氢的胺化合物。根据本发明，可提供一种不易于产生桥接，并且基板依存性较小，可形成解像性优异的图案的负型光阻组合物及使用此负型光阻组合物的图案形成方法。
-
公开(公告)号：CN101982807A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN201010510475.7
申请日：2010-04-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0048 , G03F7/0392 , G03F7/40
Abstract: 一种图案形成方法。一种化学放大型抗蚀剂组合物，它包括基础树脂、产酸剂和溶剂。每100pbw的基础树脂存在1400-5000pbw的溶剂，且上述溶剂含有至少60wt％的PGMEA和乳酸乙酯以及0.2-20wt％的高沸点溶剂。通过在基材上涂敷抗蚀剂组合物、预烘烤、图案形式曝光、曝光后烘烤、显影和热处理来形成抗蚀剂图案。
-
公开(公告)号：CN101762981A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910262157.0
申请日：2009-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0045 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及一种化学增幅正型光阻组合物，是用以形成在光刻中使用的化学增幅光阻膜，该化学增幅正型光阻组合物的特征在于：至少含有：(A)基质树脂，是碱不溶性或碱难溶性的树脂，具有被叔烷基保护的酚性羟基的重复单元，且当前述叔烷基脱离时，变成碱可溶性；(B)酸产生剂；(C)碱性成分；及(D)有机溶剂；且，以通过旋转涂布来获得具有10～100nm的膜厚的前述化学增幅光阻膜的方式调整固体成分浓度。根据本发明，可提供一种化学增幅正型光阻组合物，在光刻中，可在形成10～100nm的膜厚时，一边抑制由于化学增幅光阻膜薄膜化而造成的的LER恶化，一边获得高解析性；及提供一种使用此光阻组合物的光阻图案形成方法。
-
-
公开(公告)号：CN102516453B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201110316698.4
申请日：2011-07-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F220/36 , C08F212/32 , C08F220/30 , C08F232/08 , C08F212/14 , G03F7/004 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0382 , C07D239/10 , C08F12/22 , C08F12/24 , C08F12/26 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/30 , C08F220/36 , C09D125/18 , G03F1/50 , G03F7/0045 , C08F212/12
Abstract: 提供了包含侧链上具有N，N’-双(烷氧基甲基)四氢嘧啶酮或N，N’-双(羟甲基)四氢嘧啶酮结构的重复单元的聚合物。当使用该聚合物配制化学增幅负抗蚀剂组合物并通过光刻加工时，可以形成具有改善的LER和高分辨率优点的精细抗蚀剂图案。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.041 seconds)
