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公开(公告)号：CN101477307A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810154778.2
申请日：2008-06-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0392
Abstract: 光掩模坯料具有抗蚀膜，该抗蚀膜包含(A)基础树脂，(B)产酸剂，和(C)碱性化合物。该抗蚀膜进一步包含(D)聚合物，该聚合物包含具有侧链的重复单元，该侧链带有氟化烃基，该氟化烃基包含与羟基键合的碳原子和与该碳原子键合的邻近碳原子，该邻近碳原子总计至少有两个与其键合的氟原子。聚合物(D)的加入确保整个抗蚀膜的均匀显影，能形成具有高CD均匀性的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN103176353A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310054677.9
申请日：2008-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/20
Abstract: 一种含有聚合物的化学放大负性抗蚀剂组合物，所述聚合物包含重复的羟基苯乙烯单元和其上具有吸电子取代基的重复苯乙烯单元。在形成一种具有小于0.1μm微细特征尺寸的图案中，组合物表现出高的分辨率，由组合物形成的抗蚀涂层可以处理成这种微细尺寸图案而将图案特征之间桥连接的形成最小化。
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公开(公告)号：CN101625523A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910140186.X
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392
Abstract: 本发明是提供一种光阻图案的形成方法，其特征在于：在具有被酸分解性基保护的羟基的苯乙烯单元、与茚单元或苊烯单元的聚合物中，使用重量平均分子量为4000至7000、特别是4500至5500的聚合物作为化学增幅型光阻组合物的基质聚合物而成的光阻组合物，来形成至少线宽为65纳米以下的图案。目前线边缘粗糙度是被要求解决的课题之一，但是通过酸产生剂或碱性化合物来解决时，在与解像性之间会产生对立。依照本发明，能够提供一种光阻图案的形成方法，其是关于将具有高解像性的被酸不稳定基保护的羟基苯乙烯等作为基质聚合物的光阻组合物，能够抑制线边缘粗糙度，来提供65纳米以下的图案规则(pattern rule)光阻图案。
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公开(公告)号：CN101477307B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200810154778.2
申请日：2008-06-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0392
Abstract: 光掩模坯料具有抗蚀膜，该抗蚀膜包含(A)基础树脂，(B)产酸剂，和(C)碱性化合物。该抗蚀膜进一步包含(D)聚合物，该聚合物包含具有侧链的重复单元，该侧链带有氟化烃基，该氟化烃基包含与羟基键合的碳原子和与该碳原子键合的邻近碳原子，该邻近碳原子总计至少有两个与其键合的氟原子。聚合物(D)的加入确保整个抗蚀膜的均匀显影，能形成具有高CD均匀性的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN101982807A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN201010510475.7
申请日：2010-04-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0048 , G03F7/0392 , G03F7/40
Abstract: 一种图案形成方法。一种化学放大型抗蚀剂组合物，它包括基础树脂、产酸剂和溶剂。每100pbw的基础树脂存在1400-5000pbw的溶剂，且上述溶剂含有至少60wt％的PGMEA和乳酸乙酯以及0.2-20wt％的高沸点溶剂。通过在基材上涂敷抗蚀剂组合物、预烘烤、图案形式曝光、曝光后烘烤、显影和热处理来形成抗蚀剂图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1825206A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610059991.6
申请日：2006-01-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , C08L25/18 , C08L2666/04
Abstract: 本发明提供了一种负型抗蚀剂组合物，其包含一种包含具有式(1)的重复单元的聚合物、一种光致酸生成剂和一种交联剂。在式(1)中，X是烷基或烷氧基，R1和R2是H、OH、烷基、可取代的烷氧基或卤素，R3和R4是H或CH3，n是1至4的整数，m和k是1至5的整数，p、q和r是正数。该组合物具有高的曝光前后的碱溶解率对比、高灵敏度、高分辨率和良好的蚀刻性。
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公开(公告)号：CN101982807B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201010510475.7
申请日：2010-04-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0048 , G03F7/0392 , G03F7/40
Abstract: 一种图案形成方法。一种化学放大型抗蚀剂组合物，它包括基础树脂、产酸剂和溶剂。每100pbw的基础树脂存在1400-5000pbw的溶剂，且上述溶剂含有至少60wt％的PGMEA和乳酸乙酯以及0.2-20wt％的高沸点溶剂。通过在基材上涂敷抗蚀剂组合物、预烘烤、图案形式曝光、曝光后烘烤、显影和热处理来形成抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN101625523B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200910140186.X
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392
Abstract: 本发明是提供一种光阻图案的形成方法，其特征在于：在具有被酸分解性基保护的羟基的苯乙烯单元、与茚单元或苊烯单元的聚合物中，使用重量平均分子量为4000至7000、特别是4500至5500的聚合物作为化学增幅型光阻组合物的基质聚合物而成的光阻组合物，来形成至少线宽为65纳米以下的图案。目前线边缘粗糙度是被要求解决的课题之一，但是通过酸产生剂或碱性化合物来解决时，在与解像性之间会产生对立。依照本发明，能够提供一种光阻图案的形成方法，其是关于将具有高解像性的被酸不稳定基保护的羟基苯乙烯等作为基质聚合物的光阻组合物，能够抑制线边缘粗糙度，来提供65纳米以下的图案规则(pattern rule)光阻图案。
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公开(公告)号：CN101299131B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810093491.3
申请日：2008-04-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0382 , G03F7/0397
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂组合物的制备方法，所述抗蚀剂组合物能使从所制备的抗蚀剂组合物得到的抗蚀剂膜的溶解性能得以稳定；还提供了一种通过所述制备方法得到的、显示随时间退化的批间偏差小的抗蚀剂组合物。本发明的方法用于制备含有粘合剂、酸产生剂、含氮碱性物质和溶剂的化学增强型抗蚀剂组合物，所述方法包括选择溶剂的步骤，即选择具有不高于容许值的过氧化物含量的溶剂作为溶剂，以及在上述选择的溶剂中混合所述抗蚀剂组合物的组成材料的步骤。
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公开(公告)号：CN101387831A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810173799.9
申请日：2008-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/20
Abstract: 一种含有聚合物的化学放大负性抗蚀剂组合物，所述聚合物包含重复的羟基苯乙烯单元和其上具有吸电子取代基的重复苯乙烯单元。在形成一种具有小于0.1μm微细特征尺寸的图案中，组合物表现出高的分辨率，由组合物形成的抗蚀涂层可以处理成这种微细尺寸图案而将图案特征之间桥连接的形成最小化。
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