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公开(公告)号：CN108807140A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810366118.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02071 , B08B3/08 , B81C1/00857 , B81C1/00952 , C11D7/28 , C11D7/5018 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/02041 , H01L21/02082 , H01L21/67023 , H01L21/67034
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗干燥方法，其可在不用特殊装置的情况下，抑制对清洗基板后的清洗液进行干燥时发生的图案倒塌或损坏及图案底部的树脂分解，能有效去除清洗液，其特征在于包括以下工序：(I)用清洗液清洗形成图案的半导体基板；(II)用包含含通式(1)所示的重复单元的树脂(A)及溶剂的组合物置换所述基板上残留的清洗液并以小于所述树脂(A)的分解温度的温度加热去除该已置换的组合物中的溶剂；(III)通过将所述半导体基板保持0℃以上且小于所述树脂(A)的分解温度的温度并同时对所述树脂(A)吹气温度为所述树脂(A)的分解温度以上的气体，从与所述气体接触的表面侧分解去除所述树脂(A)。
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公开(公告)号：CN100467541C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510005885.5
申请日：2005-01-27
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C08L83/04 , C08K3/36 , C08J5/18 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/06 , C08G77/08 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有优良机械强度和介电常数的多孔膜的涂布液和用于在通常使用的半导体制造工艺中易于形成膜厚度可自由控制的膜的涂布液。更具体来说，本发明提供了一种制备多孔膜形成用组合物的方法，该方法包含制备聚硅氧烷粒子、二氧化硅粒子或沸石粒子(组分A)的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和暂时终止交联性的步骤；以及用该方法可得到的多孔膜形成用组合物。此外，本发明也提供了一种形成多孔膜的方法，该方法包括通过制备组分A的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和加入交联性抑制剂以暂时终止交联性的步骤来制备多孔膜形成用组合物；将多孔膜形成用组合物施用于衬底上形成膜，干燥该膜，通过加热该干燥膜在去除交联性抑制剂的同时使粒子交联。
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公开(公告)号：CN114660896B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202111577055.5
申请日：2021-12-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物。本发明的课题是：提供可形成无论负显影、正显影，对于任何抗蚀剂图案均具良好的密接性，而且对于如EUV曝光的更微细的图案也具良好的密接性的抗蚀剂下层膜的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物。一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为：含有1种以上的下列通式(1)表示的硅化合物(A‑1)的水解物或水解缩合物中的任一者、或其两者。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111995751B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010451030.X
申请日：2020-05-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G73/12 , C08J5/18 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法。课题为提供不仅在空气中，在钝性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且可形成对基板的密接性良好的有机下层膜的使用有含酰亚胺基团的聚合物的有机膜形成用组成物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法。解决方法为有机膜形成用材料，其含有(A)聚合物，具有式(1A)表示的重复单元且末端基团为式(1B)及(1C)中任一者表示的基团、及(B)有机溶剂。W1为4价有机基团，W2为2价有机基团。R1为式(1D)表示的基团中的任一者，也可组合使用2种以上的R1。
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公开(公告)号：CN114690555A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111600298.6
申请日：2021-12-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、以及图案形成方法及聚合物。本发明的课题是为了提供不损及树脂本身的碳含量且可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性的有机膜形成材料，以及提供使用了该有机膜形成材料的图案形成方法、及适于如此的有机膜形成材料的聚合物。该课题的解决手段为一种有机膜形成材料，其特征为含有：(A)具有下述通式(1)表示的重复单元的聚合物，及(B)有机溶剂；该通式(1)中，AR1、AR2、AR3及AR4为苯环或萘环，W1为具有至少1个以上的芳香环的碳数6～70的4价有机基团，W2为碳数1～50的2价有机基团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112286000A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010710472.1
申请日：2020-07-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。本发明的课题为提供可形成LWR、CDU优良的抗蚀剂图案的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用该组合物的图案形成方法。该课题的解决方法为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有：包含通式(Sx‑1)、(Sx‑2)及(Sx‑3)所示的部分结构中的任一种以上的热固化性含硅的材料、及通式(P‑0)所示的化合物。[化1]。
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公开(公告)号：CN107540491B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710387797.9
申请日：2017-05-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种糖醇化合物的金属低减法，所述方法用于得到能够适用于半导体装置制造工序的品质的糖醇化合物。所述糖醇化合物的金属低减法包含：(A)使用保护基团，保护含有作为杂质的金属的糖醇化合物的羟基的保护工序，(B)从上述羟基通过保护基团受到保护的糖醇化合物中，除去作为杂质的金属的金属除去工序，以及(C)对上述除去了金属的糖醇化合物的保护基团进行脱保护的脱保护工序。
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公开(公告)号：CN111171070A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911088837.5
申请日：2019-11-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07F7/18
Abstract: 本发明涉及一种含碘的硅化合物的制造方法。本发明的课题提供经济地制造含碘化苯基的硅化合物而不会造成水解性烷氧基的水解的方法。一种含碘化苯基的硅化合物的制造方法，其特征为：如下述反应式所示，利用含碘的亲电子试剂(I-X)将键结于苯基的三烷基硅((R0)3Si)基取代成碘。[化学式1]上述反应式中，R0为可全部相同也可不同的碳数1～6的烷基，R1为单键或2价有机基团，R2为碳数1～10的有机基团，R3为碳数1～10的有机基团，R为碳数1～6的有机基团。n0为1、2或3，n1为1、2或3，n2为0、1或2，n3为0、1或2，且1≤n1+n3≤3，X为作为亲电子活性种而发挥作用的碘的相对取代基(counter substituent)。
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公开(公告)号：CN110515272A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910420610.X
申请日：2019-05-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种为高分辨率且为高感光度的薄膜抗蚀剂图案的形成方法。该方法的特征在于包含：(1)由包含具有被酸不稳定基保护的羟基和/或羧基的热固化性化合物及产酸剂的第一抗蚀剂材料形成第一抗蚀剂膜的工序；(2)在第一抗蚀剂膜上由包含(A)金属化合物及增敏剂的第二抗蚀剂材料形成第二抗蚀剂膜的工序；(3)通过高能射线或电子束的照射对第一抗蚀剂膜及第二抗蚀剂膜进行图案曝光，在第一抗蚀剂膜的图案曝光部对羟基和/或羧基进行脱保护，并同时在图案曝光部上形成(A)成分与已脱保护的羟基和/或羧基进行交联反应而成的交联部分的工序；以及(4)利用显影液对第二抗蚀剂膜进行显影，得到由交联部分构成的金属膜图案的工序。
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公开(公告)号：CN110515266A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910420669.9
申请日：2019-05-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种为高分辨率且为高感光度的薄膜抗蚀剂图案的形成方法。该图案形成方法包含：(1)由包含热固化性化合物、产酸剂及增敏剂的第一抗蚀剂材料形成第一抗蚀剂膜的工序，所述热固化性化合物具有被酸不稳定基保护的羟基和/或羧基；(2)通过高能射线或电子束的照射对第一抗蚀剂膜进行图案曝光，在图案曝光部对羟基和/或羧基进行脱保护的工序；(3)在所述第一抗蚀剂膜上由包含(A)金属化合物的第二抗蚀剂材料形成第二抗蚀剂膜，并同时在图案曝光部上形成(A)成分与已脱保护的羟基和/或羧基进行交联反应而成的交联部分的工序；以及(4)利用显影液对第二抗蚀剂膜进行显影，得到由交联部分构成的金属膜图案的工序。
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