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公开(公告)号:CN106684057B
公开(公告)日:2019-10-22
申请号:CN201611258231.8
申请日:2016-12-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片封装结构,包括基板、封装于所述基板的上表面的多个芯片和多个分离器件、以及散热装置,所述散热装置包括层压设置的绝缘层和导热层,所述绝缘层完全包覆并贴合所述多个芯片、多个分立器件的外表面及所述基板的上表面,用于将所述多个芯片及多个分立器件产生的热量传导至所述导热层和所述基板上,以通过所述导热层及所述基板将所述多个芯片及多个分立器件产生的热量散除。另,本发明实施例还提供一种芯片封装结构的制造方法。所述芯片封装结构通过设置所述散热装置,可以实现均匀、高效的系统级芯片封装散热。
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公开(公告)号:CN113678574B
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN201980094286.5
申请日:2019-04-11
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 一种共模抑制的封装装置,涉及封装装置中传输差分信号时共模噪声的抑制。该封装装置包括基板,以及设置于基板中的电源层或地层、一对传输差分信号的信号过孔和第一共模抑制过孔,其中该第一共模抑制过孔设置于上述一对信号过孔之间,且第一共模抑制过孔的至少一部分与上述一对信号过孔位于同一水平面。第一共模抑制过孔的一端与上述电源层或地层电连接,除这一段以外的其他部分与其周围的介质绝缘。上述第一共模抑制过孔在共模信号产生的电场中形成谐振回路,从而抑制共模信号,其加工工艺简单,无需额外的滤波走线,有利于节省封装装置的物理空间,降低成本。
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公开(公告)号:CN113396478B
公开(公告)日:2023-01-06
申请号:CN201980091384.3
申请日:2019-03-22
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L25/065 , H04L25/03
Abstract: 一种均衡电路,包括设置于接收端芯片(RX)内部的接收端阻抗网络(Zt),以及设置于接收端芯片(RX)外部的无源均衡器(100),其中:接收端阻抗网络(Zt)通过第一连接件(201)和第二连接件(202)与无源均衡器(100)连接,以及分别通过第一连接件(201)和第二连接件(202)与差分走线的第一走线(203)和第二走线(204)连接,差分走线用于连接接收端芯片(RX)和发送端芯片(TX)。一种封装装置及数据传输装置,通过第一连接件(201)和第二连接件(202)实现接收端阻抗网络(Zt)和无源均衡器(100)的连接,使接收端阻抗网络(Zt)与无源均衡器(100)协同工作,通过调节接收端阻抗网络(Zt)的阻值形成接收端带宽增益可调节,从而提升工作频率;无源均衡器(100)设置在接收端芯片(RX)外部且与第一连接件(201)和第二连接件(202)连接,不占用额外的出线空间或芯片面积。
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公开(公告)号:CN113261097A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN201980087057.0
申请日:2019-05-24
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种芯片封装装置、终端设备,涉及微电子技术领域,用于在有限的部件空间内,增大信号管脚或电源管脚的数量。该芯片封装装置包括第一差分对管脚、第一管脚、第二管脚。其中,第一差分对管脚包括第一差分信号管脚、第二差分信号管脚。此外,第一管脚和第二管脚均位于第一差分信号管脚和第二差分信号管脚之间,第一管脚、第二管脚为差分信号管脚或均为电源管脚。其中,第一管脚与第一差分信号管脚、第二差分信号管脚相邻。第二管脚与第一差分信号管脚、第二差分信号管脚相邻。第一管脚和第二管脚分别位于将第一差分信号管脚和第二差分信号管脚相连的第一虚拟直线的两侧。
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公开(公告)号:CN104851860B
公开(公告)日:2018-03-13
申请号:CN201510221081.2
申请日:2015-04-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/367 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/367 , H01L21/02107 , H01L21/76895 , H01L23/3128 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02166 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05567 , H01L2224/05572 , H01L2224/13023 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明实施例提供了一种IC管芯及制造方法,用以解决采用目前的IC芯片的散热方法在降低IC芯片表面上的热点的温度方面所起的作用有限的问题。该IC管芯包括衬底;有源器件;互连层,覆盖在所述有源器件上,所述互连层包括多层金属层和多层介质层,所述多层金属层和所述多层介质层交替设置;所述多层金属层中距离所述有源器件最远的一层金属层包括金属走线和金属焊垫;及散热层,所述散热层覆盖在所述互连层上除所述金属焊垫对应的位置以外的区域,所述散热层位于封装层之下,所述封装层包括塑封材料,所述散热层包括导热率大于预设值且电绝缘的材料。
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公开(公告)号:CN106684057A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201611258231.8
申请日:2016-12-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片封装结构,包括基板、封装于所述基板的上表面的多个芯片和多个分离器件、以及散热装置,所述散热装置包括层压设置的绝缘层和导热层,所述绝缘层完全包覆并贴合所述多个芯片、多个分立器件的外表面及所述基板的上表面,用于将所述多个芯片及多个分立器件产生的热量传导至所述导热层和所述基板上,以通过所述导热层及所述基板将所述多个芯片及多个分立器件产生的热量散除。另,本发明实施例还提供一种芯片封装结构的制造方法。所述芯片封装结构通过设置所述散热装置,可以实现均匀、高效的系统级芯片封装散热。
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