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公开(公告)号：CN117294269A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311587411.0
申请日：2023-11-27
Applicant: 华南理工大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
IPC: H03H1/00
Abstract: 本发明涉及无源滤波器技术领域，更具体地，本发明涉及一种集成电容式带通滤波器，其输入电极和输出电极之间连接有多个串联的电容器和多个并联的电容器，多个并联的电容器为对地电容器；每个电容器包括共用底电极的两个串联电容，两个串联电容的顶电极分别作为电容器的两端电极，多个串联的电容器两端的电感呈之字形交替分布在多个串联电容器的两侧；正面膜层结构包括上电极层、绝缘薄膜和下电极层，输入电极、输出电极和电容器的两端电极位于上电极层，所述共用底电极位于下电极层，背面膜层结构包括位于绝缘支撑片下侧的背面金属层。根据本发明的方案，解决了目前的微带滤波器体积较大且配置不灵活的问题。
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公开(公告)号：CN115215546B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210703701.6
申请日：2022-06-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种莫来石增强透明釉及其制备方法和应用。本发明的莫来石增强透明釉的组成包括透明基釉和莫来石，透明基釉的组成包括SiO2、CaO、ZnO、Al2O3、K2O、MgO和BaO。本发明的莫来石增强透明釉的制备方法包括以下步骤：将透明基釉、莫来石和分散剂混合进行湿法球磨制成釉浆，再在陶瓷坯体上施釉，再进行烧制，即得莫来石增强透明釉。本发明的莫来石增强透明釉具有高透明度、高硬度、高耐磨性、低成本等优点，且其制备工艺简单，适合进行大规模工业化应用。
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公开(公告)号：CN113674994B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111112404.6
申请日：2021-09-23
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 , 华南理工大学
Abstract: 本发明属电容器制备技术领域，尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。本发明提供了的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，包括第一半导体化SrTiO3单晶片，第二半导体化SrTiO3单晶片，设置于所述第一半导体化SrTiO3单晶片和第二半导体化SrTiO3单晶片之间的金属氧化物绝缘层，所述第一半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第一掺杂扩散层，所述第二半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第二掺杂扩散层。本发明提供的电容器材料具有高温度稳定性和高可靠性的特点。
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公开(公告)号：CN113674994A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111112404.6
申请日：2021-09-23
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 , 华南理工大学
Abstract: 本发明属电容器制备技术领域，尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。本发明提供了的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，包括第一半导体化SrTiO3单晶片，第二半导体化SrTiO3单晶片，设置于所述第一半导体化SrTiO3单晶片和第二半导体化SrTiO3单晶片之间的金属氧化物绝缘层，所述第一半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第一掺杂扩散层，所述第二半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第二掺杂扩散层。本发明提供的电容器材料具有高温度稳定性和高可靠性的特点。
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公开(公告)号：CN109942291B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910191986.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种SrTiO3基晶界层陶瓷电容器及其制备方法，电容器的材质成分包括基本原料和无机单晶颗粒，单晶颗粒的加入量上限为基本原料总质量的20%，基本原料按质量百分比包括SrTiO394‑98%、Nb2O50.05‑1%、La2O30.05‑1%、SiO20.5‑2%、MgO0.2‑1%、Al2O30.2‑1%和TiO2 0.1‑1%，且基本原料的组分和为100%。将上述原料混均流延成型，还原气氛中烧成，然后在表面涂覆氧化物，空气中氧化烧成，施加电极，得到SrTiO3晶界层电容器。本发明直接将无机单晶颗粒加入流延成型浆料中，在还原烧成中促进了晶粒的均匀生长，有益于电容器耐电压可靠性的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111908914A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010685817.2
申请日：2020-07-16
Applicant: 广州天极电子科技有限公司 , 华南理工大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/622 , C04B41/87
Abstract: 本发明提供了一种晶界层陶瓷材料、晶界层陶瓷基片的制备方法及其应用，属于芯片电容器技术领域。本发明提供的晶界层陶瓷材料包括以下质量份数的制备原料：SrTiO395.35～99.30份、Nb2O30.30～0.55份和改性添加剂0.30～5.00份；所述改性添加剂为BaCO3、Nd2O3、CaO、Sm2O3、Al2O3和SiO2中的一种或几种。本发明提供的晶界层陶瓷材料具有优异的电性能和可控性，由该晶界层陶瓷材料制备的晶界层陶瓷基片具有优良的重复性和一致性。
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公开(公告)号：CN108911512A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810771863.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: C03C8/08
Abstract: 本发明公开了一种可析出锐钛矿晶体的光催化釉的配方及制备方法，属于陶瓷技术领域；该光催化釉由以下重量份的组分组成：10-12份TiO2，48-50份SiO2，2-4份Al2O3，16-18份B2O3，7.5-9份Na2O，6-7.5份K2O，1-3份MgO，1-3份P2O5，1份氟（F），将上述配方的釉料烧成熔块，研磨过200目筛子烘干后即得熔块釉。本发明直接将TiO2加入熔块釉中，在釉熔体冷却时成功析出了锐钛矿晶体，理论上有益于光催化活性。
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公开(公告)号：CN108409146A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810544981.4
申请日：2018-05-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种无锆假蓝宝石微晶乳浊釉及其制造方法。该无锆假蓝宝石微晶乳浊釉的组分及各组分的质量百分比为：Na2O：1～3%；K2O：2～3%；Al2O3：25～28%；MgO：8～10%；B2O3：5～7%；Li2O：0～1%；CaO：0～1%；P2O5：0～1%；余量为SiO2。本发明用假蓝宝石代替ZrSiO4作为乳浊剂制备乳浊釉。本发明所得的无锆假蓝宝石微晶乳浊釉，其釉面光泽度高、硬度高、耐磨性好、耐酸碱性好和抗划痕。另外，相较于ZrSiO4乳浊釉，本发明不含锆英砂，不含任何放射性元素，成本低廉、环保且乳白效果好，生产工艺与锆系乳浊熔块釉完全一样，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN101172882A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710031107.2
申请日：2007-10-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/185
Abstract: 本发明公开了一种高强度抗震隔热多孔陶瓷的制备方法，该方法把纯度大于98.4％的莫来石球磨得粒度小于1μm的莫来石粉；将采用共沉淀法制备的氢氧化锆和氢氧化钇混合溶胶加入莫来石粉中，加入三乙醇胺为分散剂，混和均匀后干燥、在500～900℃温度范围煅烧，制备出氧化锆分散均匀的氧化锆/莫来石粉体；然后在无水乙醇中加入淀粉，然后用超声波对其进行分散，将其加入到氧化锆/莫来石粉中。造粒后，采用先干压成型再静压成型；从室温升温到700℃，去除淀粉，再快速升温至1500℃～1600℃烧成高强度抗震隔热多孔陶瓷。本发明制备的多孔陶瓷强度高，气孔的孔径小、分布比较集中，具有良好的抗热震性和隔热性能。
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公开(公告)号：CN1331790C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200410015588.4
申请日：2004-03-08
Applicant: 华南理工大学 , 广州新日电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用作氧化锌多层片式压敏电阻器用保护层的无铅的低温玻璃材料及其制备方法。本发明的玻璃材料具体组成如下：SiO2含量30～50%，B2O3含量20～35%，Al2O3含量5～17重量%，RO含量为0～15重量%，R2O含量为5～15%，稀土氧化物的含量为0.5～1.5%，其中，RO中的R为正二价的金属离子，R2O中的R为正一价的金属离子。本发明的玻璃材料的透明度高，化学稳定性好，操作温度不高于700℃，很好地符合多层ZnO压敏电阻器的保护层要求，并解决了传统的铅玻璃对人体有害、对环境污染严重等缺陷。
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