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公开(公告)号：CN118431333A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410490284.0
申请日：2024-04-23
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H03K19/14 , H03K19/20
Abstract: 本发明公开了一种互补型自旋能谷光电晶体管，包括半导体沟道层、源电极、漏电极和自旋极化材料层；源电极和漏电极设于半导体沟道层上，自旋极化材料层位于半导体沟道层上方或下方并构成异质结；自旋极化材料层包括磁性半导体或磁性绝缘体；源漏电极和自旋极化材料层可通过外加磁场调控磁化方向而使自旋能谷光电晶体管呈现出互补特性。本发明引入自旋极化材料提升了半导体通道的自旋输运选择性，进而提升器件的自旋极化率。在此基础上，构建出光电三态门和光电逻辑电路，可用于光电隔离控制等场景。
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公开(公告)号：CN117721527A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311461434.7
申请日：2023-11-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种外延反应器的调温装置及反应器，其调温机构中空，其内通有调温介质，调温机构包括输入通道、流体加热腔、调温腔、输出通道四部分，调温腔位于反应腔的下方，其长度等于或大于所述反应腔放置衬底的区域的长度。本发明还提供一种半导体外延反应器，所述反应器包括感应线圈、石英管、保温层、发热体、一个或多个反应腔，以及前面所述的调温机构。通过调温装置的作用，能够调节均衡衬底中心和衬底边缘的温度，从而使得衬底上生成的外延层边缘和中部的厚度和生成物质掺杂分布均匀，提高产品质量。并且能够调节多个基座之间的相对温度，以降低多个托盘间的温差，以确保多个衬底的温度分布均匀且一致，降低同批次产品的差异。
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公开(公告)号：CN116864441A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310637668.6
申请日：2023-05-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种气浮基座及外延设备的反应室结构，包括固定基座和支承件，固定基座上形成有旋转槽，支承件可转动地设置在所述旋转槽中，支承件用于承载晶圆或晶圆托盘，支承件底部形成一个同心环状凹陷，环状凹陷内形成有沿圆周均匀分布的凸起，凸起呈V字型，以对驱动气体向支承件切线方向导流，限制驱动气体沿支承件半径方向的流动，减小驱动气体对支承件产生的沿半径方向的压力，从而增大驱动气体对支承件产生的沿切线方向的力，提高了驱动气体的利用率和驱动效率。驱动气体直接对凸起结构施加压力驱动支承件旋转，与只靠粘滞力驱动相比，大大提高了驱动力的大小，提高了支承件的转速。本发明还提供一种半导体外延设备。
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公开(公告)号：CN112234118B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011042977.1
申请日：2020-09-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/153 , H01L31/18 , H04B10/114 , H04B10/116 , H04B10/40 , H04J14/02
Abstract: 本发明涉及一种可见光通信的微型阵列光收发集成芯片及制作方法，包括具有信号处理电路的支撑衬底、位于支撑衬底上的微型收发单元阵列以及互联电极，其中每个微型收发单元包括由下至上的衬底金属键合层、多个堆叠外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、光接收台面和钝化层，互联电极包括连接第一外延层的p型面与光发射模块像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与光发射模块像素的贯穿阵列电极、贯穿微型收发单元阵列分别与每个外延层n型面连接的共用电极。使用本发明技术方案可制造出实用化、高速、多场景应用的可见光通信终端产品。
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公开(公告)号：CN113919576A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111203503.5
申请日：2021-10-15
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，提供一种太阳能结构性能的预测方法，主要是通过对太阳能电池结构的输入特征参数及对应的输出特征参数进行收集、提取，并建立相应的数据集及依据已知的准则对数据集中的数据进行预处理；利用机器学习算法搭建模型，并对此模型进行结构参数设定及初始化训练；运用经预处理后的前述数据集对经结构参数初始化训练后的模型进行训练优化，进而得到预测模型；将待预测的太阳能电池结构的输入特征参数的测试数据输入该预测模型，进而获得该待预测的太阳能电池结构的输出特征参数的预测值。藉此，可以对太阳能电池结构的性能进行快速预测，操作简便，准确性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113471340A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110570218.0
申请日：2021-05-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及光电半导体领域，特别涉及一种基于局域表面等离激元耦合增强的MIS结构的超快micro‑LED及其制备方法。所述micro‑LED自下而上依次包括衬底、缓冲层、氮化镓层、p型有源层、绝缘层、电流扩展层以及金属纳米颗粒结构；金属纳米颗粒结构表面设有延伸至p型有源层表面的开口，以使p型有源层表面形成外露区域，外露区域表面设有p型欧姆接触电极，金属纳米颗粒结构的表面设有n型欧姆接触电极。本发明提供的micro‑LED能够有效提高器件的载流子复合速率和复合效率，且有效载流子寿命减小，使该器件的调制带宽大大增加，这将扩展该micro‑LED在光通信中的应用。
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公开(公告)号：CN113437191A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110629473.8
申请日：2021-06-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于回音壁模式的电注入等离激元激光器阵列及其制备方法，该激光器阵列包括LED外延结构、n电极和p电极，LED外延结构包括按序设置的n型氮化镓层、量子阱、p型铝镓氮层和p型氮化镓层，p电极和n电极分别与p型氮化镓层和n型氮化镓层电性连接；LED外延结构具有于厚度方向上由p型氮化镓层深入至至少贯穿量子阱的纳米孔的阵列，纳米孔内填充有环形的电介质层和位于电介质层之内的金属柱。本发明利用LED的电注入方式实现激光器的电注入，利用金属与量子阱中的激子发生近场耦合所形成的等离极化激元，在介电层内形成回音壁式等离激元共振模式，打破常规光学器件的衍射极限，并大幅降低激光器的激射阈值。
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公开(公告)号：CN111048641A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911044450.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种单芯片白光发光二极管，包括：衬底、缓冲层、非掺GaN层、图形化的n型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型GaN层、红光波长转换材料、电流扩展层、n型与p型欧姆接触电极。通过干法刻蚀技术和湿法腐蚀技术刻蚀n型GaN层，使其形成具有半极性面、非极性面以及极性面的六边形孔洞阵列，在该图形化的n型GaN层上外延生长InGaN多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层，发射出蓝光至黄绿光波段的宽光谱；在所述六边形孔洞中填充红光波长转换材料，由量子阱有源区发射的蓝/绿光激发出红光光谱；从而形成全光谱，获得高显色指数的单芯片白光发光二极管。
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公开(公告)号：CN108169518B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201711406378.1
申请日：2017-12-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统，涉及扫描隧道显微镜。包括腐蚀平台、工作电路和控制软件，可制备用于STM测试需要的各种针尖。其中腐蚀平台包括装有腐蚀液体的电解池、用于固定和调节金属丝位置的探针定位机构以及可实时观察腐蚀过程中针尖形貌变化的监测平台；而工作电路为电解池供电，同时采集针尖电压信号，反馈给计算机控制软件，并由电机驱动电路控制步进电机完成探针的给进和提拉动作；控制软件则控制可编程电源输出不同变化模式电流，并根据采集卡反馈的电压信号，在针尖拉断瞬间及时关断电源，触发步进电机提取针尖。基于实时控制、实时观测及反馈，实现动态腐蚀过程的可控操作，从而制备出所需的不同形貌STM用针尖。
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公开(公告)号：CN109216401A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810803231.4
申请日：2018-07-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种二维柔性磁存储阵列及其制备方法，其采用三明治结构，设计合理，通过精确控制生长源的温度、比例、生长时间来生长空位掺杂的III-VI族硫属化物层以达到电学调控的可实现性，从而实现各磁存储单元器件及二维柔性磁存储阵列的存储与记录功能，其磁矩调控范围为0～1μB，可在在液氮低温到室温，空气环境或真空环境中使用，磁存储功能稳定，结合柔性基底，应用范围广泛，适用性强。
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