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公开(公告)号：CN119421622A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411535317.5
申请日：2024-10-30
Abstract: 本发明涉及光电探测技术领域，公开了梯度带隙光电二极管探测器及其制备方法、重构光谱仪。制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧表面形成导电层；在衬底上形成第一载流子传输层；在第一载流子传输层上形成初始半导体光敏层；将衬底沿第一预设方向浸入到反应溶液中；从反应溶液中提拉出衬底，形成梯度带隙半导体光敏层；在梯度带隙半导体光敏层上形成第二载流子传输层；在第二载流子传输层上形成阵列排布的多个第一电极结构，在衬底上形成与导电层连接的第二电极结构。本发明的梯度带隙半导体光敏层与阵列的第一电极结构构成了光电二极管阵列光电探测器阵列，具有不同的光谱响应和宽动态响应范围，提高光谱重构算法线性求解准确性和光谱分辨率。
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公开(公告)号：CN118919624A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410977433.6
申请日：2024-07-19
Abstract: 本发明涉及半导体光电器件技术领域，公开了一种发光器件及制备方法，该发光器件包括衬底层、缓冲层、多孔化结构及发光结构层，缓冲层位于衬底层一侧表面，缓冲层上具有目标区域；多孔化结构嵌于目标区域内，多孔化结构包括氮化镓柱，且氮化镓柱具有纳米孔；发光结构层位于氮化镓柱背离衬底层的一侧表面，发光结构层包括第一掺杂半导体层、发光层及第二掺杂半导体层，第一掺杂半导体层位于氮化镓柱背离衬底层的一侧表面，发光层位于第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间，第一掺杂半导体层的导电类型和第二掺杂半导体层的导电类型相反。本发明减少了大面积多孔化造成的孔径不均匀的情况，进而减少了应力弛豫程度不均匀的情况。
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公开(公告)号：CN118073497A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410396770.6
申请日：2024-04-02
Abstract: 本发明提供一种Mi cro‑LED芯片及其制备方法。Mi cro‑LED芯片包括：衬底层；位于衬底层上的发光结构；发光结构在平行于衬底层的截面上的图形为多边形；发光结构包括：N型GaN层；位于衬底层一侧表面；I nGaN有源层，位于部分N型GaN层背离衬底层的一侧表面；P型GaN层，位于I nGaN有源层背离所述N型GaN层的一侧表面；发光结构的侧壁与衬底层的表面垂直，且在GaN六方晶系内，侧壁所在的平面属于{11‑20}的晶面族。本发明提供的Mi cro‑LED芯片的发光效率高。
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公开(公告)号：CN117276436A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311222695.3
申请日：2023-09-20
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制备方法。LED芯片包括：层叠的半导体衬底层、半导体缓冲层以及N型GaN层，N型GaN层远离所述半导体衬底层一侧的部分厚度中具有多孔GaN区域，多孔GaN区域具有若干孔；N型InGaN六棱锥层，阵列排布于多孔GaN区域上。本发明提供的LED芯片可以在多孔GaN区域上得到有更多In含量(超过20％)的N型InGaN六棱锥层阵列，进而得到高In含量的InGaN量子阱层，使InGaN量子阱层中In含量在25～35％，从而实现良好的红光LED。
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公开(公告)号：CN111048641B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201911044450.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种单芯片白光发光二极管，包括：衬底、缓冲层、非掺GaN层、图形化的n型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型GaN层、红光波长转换材料、电流扩展层、n型与p型欧姆接触电极。通过干法刻蚀技术和湿法腐蚀技术刻蚀n型GaN层，使其形成具有半极性面、非极性面以及极性面的六边形孔洞阵列，在该图形化的n型GaN层上外延生长InGaN多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层，发射出蓝光至黄绿光波段的宽光谱；在所述六边形孔洞中填充红光波长转换材料，由量子阱有源区发射的蓝/绿光激发出红光光谱；从而形成全光谱，获得高显色指数的单芯片白光发光二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112117356A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010813127.0
申请日：2020-08-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种全彩有源寻址Micro‑LED芯片结构及其制作方法，包括具有驱动电路阵列的支撑衬底、位于支撑衬底上的堆叠层，以及贯穿堆叠层与驱动电路阵列连接的互联电极，其中堆叠层从下至上包括有衬底金属键合层、多色发光外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、钝化层，互联电极包括连接第一外延层的p型面与驱动像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、连接第三外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、贯穿堆叠层分别与多色发光外延层n型面连接的共用电极。本发明技术方案可制造出高分辨率且高效的全彩驱动融合Micro‑LED芯片。
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公开(公告)号：CN102544298A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210028309.2
申请日：2012-02-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 有效提高外量子效率的深紫外发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。深紫外发光二极管设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层，在p-GaN盖层上沉积铝膜层，在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。在衬底上生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层；采用ICP技术刻蚀出n型台面，并通过光刻、真空电子束蒸发沉积及快速热退火处理技术分别形成p型、n型的欧姆接触；在p-GaN盖层上沉积铝膜层；在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。
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公开(公告)号：CN101503826A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910111002.7
申请日：2009-02-03
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B29/40 , C30B29/38 , C30B25/02 , H01L21/205 , H01L21/08
Abstract: AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件，涉及一种氮化物半导体材料。提供一种用于生长氮化物半导体材料的AlN生长面复合基底的制备方法及氮化物半导体器件。在衬底上生长AlN外延层，得AlN生长面复合基底。氮化物半导体器件设有AlN生长面复合基底、过渡层和氮化物半导体器件结构材料层。过渡层生长在AlN生长面复合基底上，过渡层由含Al的氮化物材料AlxInyGa(1－x－y)N(0＜x≤1，0≤y≤1)组成，氮化物半导体器件结构材料层生长在过渡层上，氮化物半导体器件结构材料层包含n型层、发光或吸收等功能结构层和p型层，其成分含有AlxInyGa(1－x－y)N(0≤x≤1，0≤y≤1)。
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公开(公告)号：CN119789653A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411976164.8
申请日：2024-12-30
IPC: H10H29/14 , G02B30/00 , G02B30/50 , G02B5/30 , G02B27/28 , G09F9/33 , G09F19/12 , H10H29/24 , H10H29/30 , H10H29/01 , H10H29/85 , H10H29/855 , H01L25/16 , H01L25/075 , H10H20/855 , H10H20/85
Abstract: 本发明涉及一种LED 3D显示装置及其制造方法。本发明提供的LED 3D显示装置包括：LED器件层；所述LED器件层包括若干阵列排布的LED封装结构，所述LED封装结构至少包括一组RGB三色LED芯片；偏振片层；所述偏振片层包括若干阵列排布的偏振片，所述偏振片与所述LED封装结构一一对应；其中所述偏振片包括左旋偏振片和右旋偏振片；所述左旋偏振片与所述右旋偏振片交替排列。本发明的LED 3D显示装置可扩展3D显示图像的有效视角范围，提升3D图像清晰度和亮度。
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公开(公告)号：CN119419203A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411353917.X
申请日：2024-09-26
IPC: H01L25/16 , H10H20/857 , H10H20/83 , H10H20/84 , H10H20/855
Abstract: 本发明涉及微型发光二极管技术领域，公开微型发光二极管发光单元、器件及器件的制备方法。包括：驱动电路层、外延结构、第一透明导电层、钝化层、第二透明导电层、电极结构、介电材料层和金属准直结构；外延结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一透明导电层设置在驱动电路层与外延结构之间；钝化层设置在外延结构和第一透明导电层侧壁及驱动电路层上表面；第二透明导电层覆盖外延结构及钝化层的外表面；电极结构设置在第二透明导电层上；介电材料层设置在外延结构上；金属准直结构设置在介电材料层上，形成通孔以及环形凹槽。本发明的介电材料层增大出射光临界角，提高光提取效率；金属准直结构减小发散角和光串扰，实现汇聚准直。
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