公开(公告)号：CN112447715A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010883722.1

申请日：2020-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘书豪 ,  陈国儒 ,  李凯璇 ,  翁翊轩 ,  杨正宇 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  杨育佳 ,  章勋明 ,  周孟翰

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请公开了FINFET器件和方法。一种器件，包括从半导体衬底延伸的鳍；在鳍之上的栅极堆叠；在栅极堆叠的侧壁上的第一间隔件；在与第一间隔件相邻的鳍中的源极/漏极区域；在栅极堆叠、第一间隔件和源极/漏极区域之上延伸的层间电介质层(ILD)，ILD具有第一部分和第二部分，其中ILD的第二部分比ILD的第一部分更靠近栅极堆叠；延伸穿过ILD并接触源极/漏极区域的接触插塞；在接触插塞的侧壁上的第二间隔件；以及第一隔离件和第二隔离件之间的气隙，其中，ILD的第一部分延伸穿过气隙并与第二间隔件物理接触，其中，ILD的第一部分密封气隙。