公开(公告)号：CN115020495A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210492122.1

申请日：2022-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李凯璇 ,  林诗哲 ,  黄柏瑜 ,  吴仕杰 ,  吴以雯 ,  李振铭 ,  杨复凯 ,  王美匀

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体器件结构包括形成在衬底上方的纳米结构。该结构还包括形成在纳米结构上方和周围的栅极结构。该结构还包括在纳米结构上方的栅极结构的侧壁上方形成的间隔件层。该结构还包括邻近间隔件层形成的源极/漏极外延结构。该结构还包括形成在源极/漏极外延结构上方的接触结构，以及形成在间隔件层和接触结构之间的空气间隔件。本申请的实施例还涉及用于形成半导体器件结构的方法。

公开(公告)号：CN114843269A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202110813522.3

申请日：2021-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李凯璇 ,  杨世海 ,  徐志安

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开总体涉及晶体管栅极接触件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：源极/漏极区域，该源极/漏极区域与衬底的沟道区域邻接；接触蚀刻停止层，该接触蚀刻停止层位于源极/漏极区域上；第一源极/漏极接触件，该第一源极/漏极接触件延伸穿过接触蚀刻停止层，该第一源极/漏极接触件连接到源极/漏极区域；栅极结构，该栅极结构位于沟道区域上；栅极接触件，该栅极接触件连接到栅极结构；以及接触件间隔件，该接触件间隔件在栅极接触件周围，其中，接触件间隔件、栅极结构、接触蚀刻停止层和衬底共同限定栅极结构和第一源极/漏极接触件之间的空隙。

公开(公告)号：CN112447715A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010883722.1

申请日：2020-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘书豪 ,  陈国儒 ,  李凯璇 ,  翁翊轩 ,  杨正宇 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  杨育佳 ,  章勋明 ,  周孟翰

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请公开了FINFET器件和方法。一种器件，包括从半导体衬底延伸的鳍；在鳍之上的栅极堆叠；在栅极堆叠的侧壁上的第一间隔件；在与第一间隔件相邻的鳍中的源极/漏极区域；在栅极堆叠、第一间隔件和源极/漏极区域之上延伸的层间电介质层(ILD)，ILD具有第一部分和第二部分，其中ILD的第二部分比ILD的第一部分更靠近栅极堆叠；延伸穿过ILD并接触源极/漏极区域的接触插塞；在接触插塞的侧壁上的第二间隔件；以及第一隔离件和第二隔离件之间的气隙，其中，ILD的第一部分延伸穿过气隙并与第二间隔件物理接触，其中，ILD的第一部分密封气隙。

公开(公告)号：CN112447715B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202010883722.1

申请日：2020-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘书豪 ,  陈国儒 ,  李凯璇 ,  翁翊轩 ,  杨正宇 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  杨育佳 ,  章勋明 ,  周孟翰

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 本申请公开了FINFET器件和方法。一种器件，包括从半导体衬底延伸的鳍；在鳍之上的栅极堆叠；在栅极堆叠的侧壁上的第一间隔件；在与第一间隔件相邻的鳍中的源极/漏极区域；在栅极堆叠、第一间隔件和源极/漏极区域之上延伸的层间电介质层(ILD)，ILD具有第一部分和第二部分，其中ILD的第二部分比ILD的第一部分更靠近栅极堆叠；延伸穿过ILD并接触源极/漏极区域的接触插塞；在接触插塞的侧壁上的第二间隔件；以及第一隔离件和第二隔离件之间的气隙，其中，ILD的第一部分延伸穿过气隙并与第二间隔件物理接触，其中，ILD的第一部分密封气隙。

公开(公告)号：CN114883246A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202110835612.2

申请日：2021-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李凯璇 ,  杨世海 ,  徐志安

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 本公开涉及通过层膨胀工艺进行可扩展的图案化以及所得结构。可以通过下列方式来形成具有小尺寸和紧密间距的特征：对层进行图案化以在其中具有孔，并且然后使该层膨胀，以使得孔收缩。如果膨胀足以夹断各个孔，则可以从一个较大的孔来形成多个孔。以这种方式可以获得比实际的或可能的更小和间距更近的孔。一种用于使层膨胀的工艺包括：注入平均原子间距大于该层的材料的掺杂剂物质。

公开(公告)号：CN113517302B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202110708543.9

申请日：2021-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王圣祯 ,  李凯璇 ,  杨世海 ,  游佳达 ,  贾汉中

IPC: H10B51/10 ,  H10B51/20 ,  H10B51/30

Abstract: 一种存储器件包括：第一晶体管，位于半导体衬底上方，其中，第一晶体管包括在半导体衬底上方延伸的第一字线；第二晶体管，位于半导体衬底上方，其中，第二晶体管包括在第一字线上方延伸的第二字线；第一气隙，在第一字线和第二字线之间延伸；存储器膜，沿着第一字线和第二字线延伸并且接触第一字线和第二字线；沟道层，沿着存储器膜延伸；源极线，沿着沟道层延伸，其中，存储器膜位于源极线和字线之间；位线，沿着沟道层延伸，其中，存储器膜位于位线和字线之间；以及隔离区域，位于源极线和位线之间。本申请的实施例提供了存储器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN114883255A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202110775708.4

申请日：2021-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李凯璇 ,  杨世海 ,  徐志安

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件和方法。一种形成半导体器件的方法包括：在突出得高于衬底的鳍之上形成栅极结构，所述栅极结构被第一ILD层包围；在所述第一ILD层中形成与所述鳍相邻的沟槽；用第一虚设材料填充所述沟槽；在所述第一ILD层和所述第一虚设材料之上形成第二ILD层；在所述第一ILD层和所述第二ILD层中形成开口，所述开口暴露所述第一虚设材料的侧壁；用第二虚设材料内衬所述开口的侧壁；在内衬之后，在所述开口中形成导电材料；在形成所述导电材料之后，从所述沟槽和所述开口分别去除所述第一虚设材料和所述第二虚设材料；以及在去除之后，通过在所述第二ILD层之上形成电介质层来密封所述开口和所述沟槽。

公开(公告)号：CN113517302A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110708543.9

申请日：2021-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王圣祯 ,  李凯璇 ,  杨世海 ,  游佳达 ,  贾汉中

IPC: H01L27/11587 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/11597

Abstract: 一种存储器件包括：第一晶体管，位于半导体衬底上方，其中，第一晶体管包括在半导体衬底上方延伸的第一字线；第二晶体管，位于半导体衬底上方，其中，第二晶体管包括在第一字线上方延伸的第二字线；第一气隙，在第一字线和第二字线之间延伸；存储器膜，沿着第一字线和第二字线延伸并且接触第一字线和第二字线；沟道层，沿着存储器膜延伸；源极线，沿着沟道层延伸，其中，存储器膜位于源极线和字线之间；位线，沿着沟道层延伸，其中，存储器膜位于位线和字线之间；以及隔离区域，位于源极线和位线之间。本申请的实施例提供了存储器件及其形成方法。