公开(公告)号：CN1445832A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN02107425.9

申请日：2002-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈欣恺 ,  刘原龙 ,  张文 ,  林志丰

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种多重金属层内连线结构，设置于一具有电路的半导体基底上，该结构包括：一介电层，沉积于该半导体基底之上；第一金属线层与第二金属线层，分别镶嵌于介电层中，其中第一金属线层以一距离d，大体平行于第二金属线层；多个第一插塞，设置于介电层中，与该第一金属线层连接，与该半导体基底的电路构成电性连接；多个第二插塞，设置于该介电层中与该第二金属线层连接，与该半导体基底的电路构成电性连接；第三金属线层与第四金属线层位于第一与第二金属线层上方，与第一与第二插塞连接以形成金属双镶嵌结构，其中，第三金属线层相邻于该第四金属线层的一边，大于下方该第一与第二金属线层间1/2d的位置，而第三与第四金属线层间仍保持以距离d彼此平行。

公开(公告)号：CN114597208A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202110549995.7

申请日：2021-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李欣怡 ,  张文 ,  徐志安

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种器件包括：p型晶体管，该p型晶体管包括：第一沟道区域；第一栅极电介质层，其位于第一沟道区域上；含钨功函数调整层，其位于第一栅极电介质层上；以及第一填充层，其位于含钨功函数调整层上；以及n型晶体管，该n型晶体管包括：第二沟道区域；第二栅极电介质层，其位于第二沟道区域上；无钨功函数调整层，其位于第二栅极电介质层上；以及第二填充层，其位于无钨功函数调整层上。

公开(公告)号：CN107887334B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201710647370.8

申请日：2017-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余德伟 ,  罗加聘 ,  姚亮吉 ,  张文 ,  杨育佳 ,  方子韦

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/268

Abstract: 一种半导体器件的制造方法包括提供衬底，该衬底包括从衬底延伸的第一鳍元件和第二鳍元件。在第一鳍元件和第二鳍元件上方形成第一层，其中第一层包括缝隙。对衬底实施激光退火工艺以去除第一层中的缝隙。基于第一层的高度来调整在激光退火工艺期间施加到第一层的能量。本发明实施例涉及半导体集成电路的制造方法。

公开(公告)号：CN113270403A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202010894273.0

申请日：2020-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李欣怡 ,  洪正隆 ,  陈智城 ,  张文 ,  徐志安

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。公开了一种具有不同栅极结构配置的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：设置在衬底上的鳍结构；设置在所述鳍结构上的纳米结构沟道区域；以及栅极环绕式(GAA)结构，围绕所述纳米结构沟道区域。所述GAA结构包括：具有金属掺杂区域的高K(HK)栅极电介质层，所述金属掺杂区域具有第一金属材料的掺杂剂；设置在所述HK栅极电介质层上的p型功函数金属(pWFM)层；插入在所述HK栅极电介质层和所述pWFM层之间的双金属氮化物层；设置在所述pWFM层上的n型功函数金属(nWFM)层；以及设置在所述nWFM层上的栅极金属填充层。所述pWFM层包括第二金属材料，并且所述双金属氮化物层包括所述第一金属材料和所述第二金属材料。

公开(公告)号：CN113053885A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202010638792.0

申请日：2020-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李欣怡 ,  陈智城 ,  洪正隆 ,  张文 ,  徐志安

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请公开了半导体器件和方法。公开了一种包括围绕功函数金属层的阻挡层的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底；第一沟道区域，位于半导体衬底之上；第二沟道区域，位于第一沟道区域之上；栅极电介质层，围绕第一沟道区域和第二沟道区域；功函数金属层，围绕栅极电介质层；以及阻挡层，围绕功函数金属层，围绕第一沟道区域的第一阻挡层与围绕第二沟道区域的第二阻挡层融合。

公开(公告)号：CN110838488A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910747774.3

申请日：2019-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承晏 ,  黄铭淇 ,  陈昱璇 ,  李威缙 ,  洪正隆 ,  李达元 ,  张文 ,  苏庆煌

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供了一种半导体装置与其形成方法，在一实施例中，该方法包括：形成栅极介电层于界面层上；形成掺杂层于栅极介电层上，且掺杂层包括偶极诱发元素；退火掺杂层以驱使偶极诱发元素穿过栅极介电层至栅极介电层与界面层相邻的第一侧；移除掺杂层；形成牺牲层于栅极介电层上，与栅极介电层跟牺牲层相邻的第二侧的残留的偶极诱发元素与牺牲层的材料反应；移除牺牲层；形成盖层于栅极介电层上；以及形成栅极层于盖层上。

公开(公告)号：CN107887334A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710647370.8

申请日：2017-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余德伟 ,  罗加聘 ,  姚亮吉 ,  张文 ,  杨育佳 ,  方子韦

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种半导体器件的制造方法包括提供衬底，该衬底包括从衬底延伸的第一鳍元件和第二鳍元件。在第一鳍元件和第二鳍元件上方形成第一层，其中第一层包括缝隙。对衬底实施激光退火工艺以去除第一层中的缝隙。基于第一层的高度来调整在激光退火工艺期间施加到第一层的能量。本发明实施例涉及半导体集成电路的制造方法。

公开(公告)号：CN106158967A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510844455.6

申请日：2015-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周群渊 ,  吴仲强 ,  李达元 ,  张文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/495 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/4958

Abstract: 本发明提供了一种制造Fin FET的方法，方法包括在衬底上方形成鳍结构，鳍结构包括上层。上层的部分从隔离绝缘层暴露。在鳍结构的部分上方形成伪栅极结构。伪栅极结构包括伪栅电极层和伪栅极介电层。在伪栅极结构上方形成层间绝缘层。去除伪栅极结构以形成空间。在空间中形成栅极介电层。在空间中的栅极介电层上方形成第一金属层。在空间的第一金属层上方形成第二金属层。部分地去除第一金属层和第二金属层，由此降低第一金属层和第二金属层的高度。在部分去除的第一金属层和第二金属层上方形成第三金属层。

公开(公告)号：CN103887340A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310072572.6

申请日：2013-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭博钦 ,  程仲良 ,  李显铭 ,  张文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了用于鳍式场效应晶体管(FinFET)的栅极堆叠件的N功函数金属及其形成方法。实施例FinFET包括由半导体衬底支撑的鳍，该鳍在源极和漏极之间延伸并且具有沟道区域；以及在鳍的沟道区域上方形成的栅极堆叠件，该栅极堆叠件包括包含位于碳化钽铝(TaAlC)层相对侧上的氧化物层的N功函数金属层。

公开(公告)号：CN101304041B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200710110249.8

申请日：2007-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  飞思卡尔半导体公司

Inventor： 张文 ,  胡伯康 ,  杰米薛佛 ,  大卫·C.·吉摩尔 ,  菲尔托宾

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体晶体管及其形成方法，该金属氧化物半导体晶体管包括：栅极电极，位于半导体衬底上，其中该栅极电极包含金属氮氧化物，其中该栅极电极还包括碳或硅。本发明可调整其功函数至能带边缘，并能获得高性能的金属氧化物半导体装置。