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公开(公告)号：CN101304041B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200710110249.8
申请日：2007-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/665
Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体晶体管及其形成方法，该金属氧化物半导体晶体管包括：栅极电极，位于半导体衬底上，其中该栅极电极包含金属氮氧化物，其中该栅极电极还包括碳或硅。本发明可调整其功函数至能带边缘，并能获得高性能的金属氧化物半导体装置。
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公开(公告)号：CN101304041A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200710110249.8
申请日：2007-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/665
Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体晶体管及其形成方法，该金属氧化物半导体晶体管包括：栅极电极，位于半导体衬底上，其中该栅极电极包含金属氮氧化物。本发明可调整其功函数至能带边缘，并能获得高性能的金属氧化物半导体装置。
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公开(公告)号：CN115881771A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211067026.9
申请日：2022-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供了半导体器件，该半导体器件包括第一纳米结构；第二纳米结构，位于第一纳米结构下方，第二纳米结构在第二纳米结构的相对端部处具有垂直突起；栅极结构，设置在第一纳米结构和第二纳米结构上方，栅极结构在第一纳米结构和第二纳米结构之间延伸；以及源极/漏极区域，与栅极结构相邻，源极/漏极区域接触第一纳米结构和第二纳米结构。本发明的实施例还提供了晶体管和形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN114975440A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110861984.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/423 , H01L21/8238
Abstract: 本申请涉及纳米片场效应晶体管器件及其形成方法。一种半导体器件，包括：鳍，突出得高于衬底；源极/漏极区域，位于鳍之上；纳米片，位于源极/漏极区域之间；以及栅极结构，位于鳍之上并且在源极/漏极区域之间，该栅极结构包括：栅极电介质材料，位于纳米片中的每个纳米片的周围；功函数材料，位于栅极电介质材料的周围；衬里材料，位于功函数材料的周围，其中，衬里材料具有不均匀的厚度并且在纳米片之间的第一位置处比在沿着纳米片的侧壁的第二位置处更厚；以及栅极电极材料，位于衬里材料的至少一些部分的周围。
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公开(公告)号：CN114566501A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110662770.2
申请日：2021-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本申请涉及半导体器件的栅极结构及其形成方法。提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括在衬底的有源区域之上的栅极堆叠。栅极堆叠包括栅极电介质层和在栅极电介质层之上的第一功函数层。第一功函数层包括以交替方式布置在栅极电介质层之上的多个第一层和多个第二层。多个第一层包括第一材料。多个第二层包括与第一材料不同的第二材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114520229A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110460017.5
申请日：2021-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件及方法。在一个实施例中，一种器件包括：沟道区域；栅极电介质层，位于沟道区域上；第一功函数调整层，位于栅极电介质层上，第一功函数调整层包括n型功函数金属；阻挡层，位于第一功函数调整层上；第二功函数调整层，位于阻挡层上，第二功函数调整层包括p型功函数金属，该p型功函数金属与n型功函数金属不同；以及填充层，位于第二功函数调整层上。
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公开(公告)号：CN113130480A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011293437.0
申请日：2020-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置。其包含鳍突出于基底之上；源极/漏极区位于鳍上方；多个纳米片位于源极/漏极区之间；以及栅极结构位于鳍上方和源极/漏极区之间，栅极结构包含:栅极介电材料围绕多个纳米片的每一个；第一衬垫材料围绕栅极介电材料；功函数材料围绕第一衬垫材料；第二衬垫材料围绕功函数材料；以及栅极电极材料围绕第二衬垫材料的至少一部分。
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公开(公告)号：CN101997027A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010226315.X
申请日：2010-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4983 , H01L29/6656
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管及其栅结构，场效应晶体管的栅结构包括：一栅电极层；一栅绝缘层，位于该栅电极层之下，且于该栅电极层的相反侧上具有底脚区；以及一密封层，位于该栅结构的侧壁上，其中该密封层覆盖于该底脚区上的一较低部分的一厚度小于该密封层位于该栅电极层的侧壁上的一较高部分的一厚度。本发明所形成的半导体元件(晶体管)的密封结构在基底表面中几乎不具有凹陷。
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公开(公告)号：CN1245750C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN03153190.3
申请日：2003-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/76829 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/31116 , H01L21/3148 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76813
Abstract: 本发明是关于一种使用无氮介电蚀刻停止层的半导体元件及其工艺，其工艺步骤包括：提供一基底；依序形成一第一蚀刻停止层及一第二蚀刻停止层于上述基底上，其中上述第二蚀刻停止层是为一碳氧化硅层，而此第一蚀刻停止层是为碳化硅(SiC)层；形成一介电层于该第二蚀刻停止层上；依序定义上述介电层、第二蚀刻停止层以及第一蚀刻停止层以构成至少一开口于上述基底上，并露出开口内的基底；以及形成一导电层于上述开口内。
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公开(公告)号：CN1617318A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410088483.1
申请日：2004-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/762
CPC classification number: H01L22/34 , H01L21/76229
Abstract: 本发明涉及一种用以测试浅沟槽填洞的测试区域设计。具体为一浅沟槽填洞的测试图案层，包括：一测试区域，其中该测试区域包括一外边，以定义出一第一内部区；及一测试图案层，该测试图案层位于第一内部区中，该测试图案层是由一浅沟槽形成，以供作测试浅沟槽绝缘区的缝隙填充，该测试图案层定义出一边缘以形成一第二内部区。每一测试区域的内部更包括至少一测试图案层。在一较佳实施例中，此测试图案层是一方形层，更甚者是一两个相反且相对的L形层，此两个L形层彼此不连续。如此，可以在STI形成之后，即以光学仪器检查，实时反应实际情形STI结构的填洞状况。可克服现有长条形STI测试图案层无法反应实际STI结构边角状况的缺点。
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