公开(公告)号：CN113782505B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202111123106.7

申请日：2021-09-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 赵柯臣 ,  赵继文 ,  代兵 ,  曹文鑫 ,  朱嘉琦 ,  韩杰才

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16

Abstract: 一种金刚石散热片的表面平滑化及连接方法，涉及金刚石散热片的连接方法。本发明要解决利用纳米/微米金属烧结技术键合时，大尺寸连接存在压力过大对器件的可靠性影响大，若无压烧结则只能实现小尺寸连接，且烧结层孔隙率大，严重影响其导热性和可靠性的问题，解决利用原子扩散键合技术键合时，存在对金刚石材料表面粗糙度要求高，需要超真空，金刚石和硅片镀完金属层后未及时压合会导致键合效果不佳的问题。方法：一、沉积过渡层金属/金复合金属镀层；二、涂覆纳米金属浆料并热压烧结键合；三、模板剥离并保留金刚石上金属层；四、表面活化清洗；五、键合。本发明用于金刚石散热片的表面平滑化及连接。

公开(公告)号：CN114695287A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011627346.6

申请日：2020-12-31

Applicant: 华为技术有限公司 ,  哈尔滨工业大学

Inventor： 魏潇赟 ,  代兵 ,  赵柯臣 ,  邓抄军 ,  杨勇

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/40

Abstract: 本申请实施例公开了一种连接散热片和芯片的方法和芯片结构，属于芯片散热技术领域。所述方法包括：在散热片的第一表面形成第一金属层；在芯片的第二表面形成第二金属层；在所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一层上涂覆纳米金属颗粒粘接材料，形成纳米金属颗粒粘接材料层；将所述散热片和所述芯片相对重叠，使得所述纳米金属颗粒粘接材料层夹设于所述第一金属层和所述第二金属层之间；对重叠在一起的所述散热片和所述芯片加温加压，使得所述纳米金属颗粒粘接材料烧结，以将所述散热片和所述芯片连接在一起，增加连接的可靠性，提高产品良率。

公开(公告)号：CN110117484A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910503211.X

申请日：2019-06-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  孙明琪 ,  代兵 ,  舒国阳 ,  赵柯臣 ,  王鹏 ,  杨磊 ,  刘康 ,  韩杰才

IPC: C09K5/14

Abstract: 一种具有方向性的导热硅凝胶复合片材的制备方法，本发明涉及导热硅凝胶复合片材的制备方法。解决现有应用于电子元器件的硅凝胶热导率低的问题。制备方法：一、密堆金刚石层的制备；二、金刚石/硅凝胶复合材料的制备，得到具有方向性的导热硅凝胶复合片材。本发明用于具有方向性的导热硅凝胶复合片材的制备。

公开(公告)号：CN117245238A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311223856.0

申请日：2023-09-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 徐兴春 ,  赵坤龙 ,  朱嘉琦 ,  曹文鑫 ,  赵继文 ,  赵柯臣

IPC: B23K26/60 ,  B23K26/70 ,  B23K26/36 ,  B23K26/362 ,  B23K26/20 ,  B23K26/402 ,  B23K26/324 ,  G16C60/00 ,  G06F30/20 ,  G06T17/00 ,  G06F119/08 ,  G06F119/06 ,  G06F113/10 ,  G06F113/26 ,  G06F113/22

Abstract: 金刚石微流道加工方法，涉及电子器件散热领域。解决了目前复杂形状金刚石微流道难以加工的问题。本发明方法先进行3维微流道模型建模，对其分割，形成衬底和微流道加工层，并对微流道加工层进行切换形成N个单层切片，并对切片格式转化及切片合并；形成单层的激光切割路径总矢量图；按激光切割路径总矢量图中的切割路径对N个金刚石片进行激光烧蚀加工；并对激光烧蚀加工后的金刚石片累加键合，完成对金刚石复杂结构微流道的加工。

公开(公告)号：CN114695133B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202210300888.5

申请日：2022-03-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  赵柯臣 ,  代兵 ,  邓抄军 ,  魏潇赟 ,  赵继文 ,  韩杰才

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/373 ,  B23K26/382 ,  B23K26/402

Abstract: 一种带通孔金刚石集成三维芯片的制备方法，涉及三维芯片的制备方法。本发明要解决当金刚石应用于3D‑IC集成时，现有传统TSV制备及相应集成工艺不完全适用于金刚石，存在高深宽比金刚石通孔制备难、高深宽比金刚石通孔的电镀沉铜难以及如何进行三维集成工序相兼容的问题。方法：一、金刚石通孔的制备；二、金刚石和芯片的键合；三、金刚石通孔的金属填充；四、表面抛光及清洗。本发明用于带通孔金刚石集成三维芯片的制备。

公开(公告)号：CN114695133A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210300888.5

申请日：2022-03-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  赵柯臣 ,  赵继文 ,  代兵 ,  韩杰才

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/373 ,  B23K26/382 ,  B23K26/402

Abstract: 一种带通孔金刚石集成三维芯片的制备方法，涉及三维芯片的制备方法。本发明要解决当金刚石应用于3D‑IC集成时，现有传统TSV制备及相应集成工艺不完全适用于金刚石，存在高深宽比金刚石通孔制备难、高深宽比金刚石通孔的电镀沉铜难以及如何进行三维集成工序相兼容的问题。方法：一、金刚石通孔的制备；二、金刚石和芯片的键合；三、金刚石通孔的金属填充；四、表面抛光及清洗。本发明用于带通孔金刚石集成三维芯片的制备。

公开(公告)号：CN113782505A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111123106.7

申请日：2021-09-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 赵柯臣 ,  赵继文 ,  代兵 ,  曹文鑫 ,  朱嘉琦 ,  韩杰才

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16

Abstract: 一种金刚石散热片的表面平滑化及连接方法，涉及金刚石散热片的连接方法。本发明要解决利用纳米/微米金属烧结技术键合时，大尺寸连接存在压力过大对器件的可靠性影响大，若无压烧结则只能实现小尺寸连接，且烧结层孔隙率大，严重影响其导热性和可靠性的问题，解决利用原子扩散键合技术键合时，存在对金刚石材料表面粗糙度要求高，需要超真空，金刚石和硅片镀完金属层后未及时压合会导致键合效果不佳的问题。方法：一、沉积过渡层金属/金复合金属镀层；二、涂覆纳米金属浆料并热压烧结键合；三、模板剥离并保留金刚石上金属层；四、表面活化清洗；五、键合。本发明用于金刚石散热片的表面平滑化及连接。

公开(公告)号：CN110117484B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201910503211.X

申请日：2019-06-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  孙明琪 ,  代兵 ,  舒国阳 ,  赵柯臣 ,  王鹏 ,  杨磊 ,  刘康 ,  韩杰才

IPC: C09K5/14

Abstract: 一种具有方向性的导热硅凝胶复合片材的制备方法，本发明涉及导热硅凝胶复合片材的制备方法。解决现有应用于电子元器件的硅凝胶热导率低的问题。制备方法：一、密堆金刚石层的制备；二、金刚石/硅凝胶复合材料的制备，得到具有方向性的导热硅凝胶复合片材。本发明用于具有方向性的导热硅凝胶复合片材的制备。